2023年8月，致真存儲(chǔ)（北京）科技有限公司團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)的128Kb SOT-MRAM 芯片成功下線。這是繼1Kb SOT-MRAM流片成功后又一個(gè)重要的新一代磁存儲(chǔ)技術(shù)工藝研制里程碑，圍繞自旋軌道矩材料、磁性隧道結(jié)圖案化、專用電路設(shè)計(jì)等實(shí)現(xiàn)了多處技術(shù)突破，為新一代磁存儲(chǔ)芯片量產(chǎn)、國產(chǎn)高端存儲(chǔ)器技術(shù)突圍、后摩爾時(shí)代片上非易失性存儲(chǔ)開拓了道路。

致真存儲(chǔ)自研128Kb SOT-MRAM

致真存儲(chǔ)深耕自旋存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域近十年，是一家致力于研發(fā)和制造磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)的創(chuàng)新型科技企業(yè)。公司擁有8英寸磁性存儲(chǔ)芯片專用后道微納加工工藝中試線，分別在北京和青島建立了設(shè)計(jì)和制造中心。公司組建了一支具備國際視野和創(chuàng)新能力的國際化團(tuán)隊(duì)，團(tuán)隊(duì)核心成員包括外籍專家、長(zhǎng)江學(xué)者以及國際存儲(chǔ)領(lǐng)域的高級(jí)技術(shù)人才。

致真存儲(chǔ)研發(fā)的新一代磁存儲(chǔ)芯片 (SOT-MRAM)，采用電子的自旋屬性表征數(shù)據(jù)信息，擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，具備高速讀寫、低功耗、耐擦寫、高可靠、寬溫區(qū)等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，是下一代非易失存儲(chǔ)芯片的理想選擇之一。

目前，致真存儲(chǔ)已簽約落地青島西海岸新區(qū)，總投資數(shù)十億元，計(jì)劃在新區(qū)建設(shè)8英寸及12英寸的完整磁存儲(chǔ)后道量產(chǎn)線，以加速磁存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，預(yù)計(jì)2024年底通線，2025年初投產(chǎn)。下一步，致真存儲(chǔ)研發(fā)團(tuán)隊(duì)將在持續(xù)擴(kuò)大芯片容量的基礎(chǔ)上，不斷完善功能、提升性能，達(dá)到可量產(chǎn)可推廣狀態(tài)。