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捷捷微電子“一種帶有超結結構的屏蔽柵IGBT”專利公布

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天眼查顯示,江蘇捷捷微電子股份有限公司“一種帶有超結結構的屏蔽柵IGBT”專利公布,申請公布日為2024年3月26日,申請公布號為CN117766576A。

本發(fā)明涉及半導體功率器件領域,具體說是一種帶有超結結構的屏蔽柵IGBT。它包括第一導電類型的半導體襯底,半導體襯底的正面設置有若干個元胞,所述元胞中至少有一個深溝槽,深溝槽內有屏蔽柵結構,深溝槽的兩側有離子注入區(qū)及接觸孔。其特點是,所述深溝槽下方有超結結構電荷平衡區(qū),超結結構電荷平衡區(qū)含有兩層及兩層以上第一導電類型的結構和第二導電類型的結構,相連兩層結構的導電類型不同,且最內層為第二導電類型的結構,其包圍在深溝槽外側。相連兩層結構間,外側的結構包圍在內側的結構外側,且外側的結構頂部不超過內側的結構頂部。該IGBT的可靠性高,開關損耗低。


責編: 愛集微
來源:愛集微 #捷捷微電子# #捷捷微電#
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