4月29日，華微電子發(fā)布2023年度業(yè)績報(bào)告稱，報(bào)告期內(nèi)，公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入17.42億元，較上年同期減少10.82%；歸屬于股東的凈利潤3686.94萬元，較上年同期下降36.16%；歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤3485.54萬元，同比增長1.4%；經(jīng)營性現(xiàn)金流凈額3.12億元，較上年同期減少36.49%。

報(bào)告期內(nèi)，公司持續(xù)加大研發(fā)力度，提升科技自主創(chuàng)新水平，建設(shè)一體化、結(jié)構(gòu)模塊化技術(shù)管理平臺。一是，采用LEDIT（版圖設(shè)計(jì)工具）、SILVACO（器件及工藝仿真工具）、ICEPACK（電路熱仿真工具）等仿真設(shè)計(jì)工具，不斷優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)和電路設(shè)計(jì)水平，提高器件的功率密度和轉(zhuǎn)換效率。二是，借助產(chǎn)品生命周期管理（PLM）系統(tǒng)，推進(jìn)科學(xué)化的技術(shù)研發(fā)管理，加快各級工藝技術(shù)平臺的技術(shù)創(chuàng)新和迭代，實(shí)施一級、二級、系列化產(chǎn)品研發(fā)分級管理，突出重點(diǎn)研發(fā)項(xiàng)目。

公司持續(xù)推進(jìn)IPM模塊、寬禁帶半導(dǎo)體、IGBT及功率模塊、中低壓MOS、超結(jié)MOS、高壓FRD等系列產(chǎn)品的升級換代。引進(jìn)先進(jìn)的制造設(shè)備和工藝技術(shù)，優(yōu)化生產(chǎn)流程，提高生產(chǎn)效率和良品率。采用先進(jìn)的刻蝕技術(shù)，大幅提升了公司產(chǎn)品性能、產(chǎn)品質(zhì)量及供貨保障能力。

圍繞IPM、寬禁帶半導(dǎo)體、IGBT器件及模塊、超結(jié)MOS等前沿產(chǎn)品，開展關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)。豐富IPM和PM模塊系列，在家用空調(diào)、工業(yè)及汽車領(lǐng)域占據(jù)市場頭部客戶；SiCSBD及MOSFET產(chǎn)品開始嶄露頭角，在充電樁、儲能領(lǐng)域穩(wěn)定銷售；加快推廣新一代TrenchFSIGBT產(chǎn)品，提高產(chǎn)品競爭力，應(yīng)用于白色家電、儲能及新能源汽車領(lǐng)域；完成600V～700V超結(jié)MOS全系列產(chǎn)品開發(fā)，在電源領(lǐng)域快速占領(lǐng)市場。

華微電子同日還發(fā)布了2024年一季度業(yè)績報(bào)告稱，Q1實(shí)現(xiàn)營收4.96億元，同比增長20.1%；歸屬于上市公司股東的凈利潤1555.3萬元，同比增長198.27%；歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤1116.27萬元，同比增長130.9%。