6月28日-29日，以“跨越邊界 新質(zhì)未來”為主題的2024第八屆集微半導體大會在廈門國際會議中心酒店隆重舉辦。29日上午的集微半導體大會主論壇上，2024年第六屆“芯力量”項目評選大賽的頒獎儀式舉行。
第六屆“芯力量”項目評選大賽自2023年6月啟動招募以來，獲得了諸多國內(nèi)創(chuàng)新項目及投資機構(gòu)的關(guān)注。本屆芯力量大賽共計舉辦初賽 20 場，其中 14 場線上路演，并走入深圳、江陰、蘇州、泉州、海門、合肥，舉辦了線下路演。參加初賽項目超 140 個，100 多家頂尖投資機構(gòu)參與初賽評選，最終 13 個項目突出重圍，進入決賽。
作為本年度“芯力量”大賽的佼佼者之一，上海功頂半導體有限公司（下稱“功頂半導體”）憑硬核技術(shù)和前沿高端產(chǎn)品脫穎而出，得到國內(nèi)頂級投資人團隊一致認可，榮膺2024“芯力量”最具投資價值獎！
值得一提的是，本次大會同期舉辦“集微半導體展”，旨在為集成電路（IC）產(chǎn)業(yè)發(fā)展成果、創(chuàng)新產(chǎn)品及技術(shù)提供一個展示的舞臺。功頂半導體攜650/750/1000/1200/1700V、15-300A系列高端IGBT芯片亮相“集微半導體展”，吸引了諸多參展人員駐足。
功頂半導體成立于2023年，著力開發(fā)高端IGBT芯片，IGBT產(chǎn)品線涵蓋650/750/1000/1200/1700V等多個系列，重點面向光伏儲能、新能源汽車以及工控等市場。
根據(jù)Omdia統(tǒng)計，2022年全球功率半導體市場規(guī)模達481億美元，預計至2024年將增長至522億美元，復合年均增長率約為5.46%，增長平穩(wěn)。中國作為全球最大的功率半導體消費國，貢獻了約40%的功率半導體市場，預計2024年中國功率半導體市場規(guī)模將達200億美元（約合1450億元）以上。但截止到2023年末，國內(nèi)功率半導體國產(chǎn)化率不足35%，尤其是IGBT國產(chǎn)化率低，本土替代空間巨大。
功頂半導體則是針對IGBT、SGT MOSFET等產(chǎn)品進行深入研究，致力實現(xiàn)國產(chǎn)替代。目前，功頂半導體已高效研發(fā)完成并推出20余款I(lǐng)GBT芯片，實現(xiàn)交付客戶百萬顆量級，即將進入下一個大規(guī)模放量階段。
創(chuàng)新產(chǎn)品成功推出的背后離不開一支技術(shù)實力雄厚的團隊。據(jù)了解，功頂半導體核心團隊來自華虹、先進（積塔）、Diodes、三安集成、通富、Microsemi、揚杰等業(yè)內(nèi)頭部企業(yè)，擁有平均20年左右各類功率器件設計、工藝研發(fā)和市場銷售經(jīng)驗。技術(shù)帶頭人是國內(nèi)頭部FAB廠最早一批從事并長期深耕IGBT工藝平臺和器件開發(fā)的核心研發(fā)人員，完整經(jīng)歷了從第1代IGBT到最前沿第7代微溝槽場的IGBT7工藝平臺的開發(fā)和大規(guī)模量產(chǎn)。
功頂半導體是國內(nèi)為數(shù)不多的深度掌握第七代大電流IGBT全工藝流程和關(guān)鍵工藝菜單的芯片設計公司，并把這些技能充分應用在IGBT器件結(jié)構(gòu)設計和版圖設計優(yōu)化中，大幅縮短了芯片研發(fā)迭代周期，實現(xiàn)了受頭部客戶認可的產(chǎn)品差異化競爭力。值得關(guān)注的是，功頂半導體750V新能源車主驅(qū)逆變用IGBT7產(chǎn)品，通過了臺架測試并已上車路試。
在關(guān)注高端IGBT產(chǎn)品之外，功頂半導體還深度參與IGBT全產(chǎn)業(yè)鏈，在生產(chǎn)制造、應用、封裝測試等環(huán)節(jié)均有布局：在晶圓代工廠流片的IGBT采用差異化自主工藝流程與菜單，實現(xiàn)了芯片的差異化競爭力；與新興晶圓代工廠聯(lián)合開發(fā)下一代微溝槽IGBT工藝平臺，前瞻性布局下一代IGBT芯片產(chǎn)品；與頭部模塊廠和電控廠聯(lián)合定義IGBT7應用和封裝測試方案，從立項伊始進行芯片設計優(yōu)化。從而優(yōu)化資源配置、提升運營效率、減少中間環(huán)節(jié)、降低成本，同時增強抗風險能力。
對于公司未來產(chǎn)品規(guī)劃，功頂半導體總經(jīng)理蔡斌君對集微網(wǎng)表示：“基于核心團隊深厚的功率器件全工藝流程能力，功頂半導體將持續(xù)為頭部客戶量身打造具備差異化競爭力的IGBT系列化產(chǎn)品。公司正在與業(yè)內(nèi)頭部12英寸晶圓代工廠進行下一代微溝槽IGBT8工藝平臺的聯(lián)合開發(fā)，持續(xù)推動公司IGBT產(chǎn)品往更高電流密度、更低開關(guān)損耗、更強魯棒性方向迭代升級。”
此外，公司還積極布局以GaN和SiC為代表的第三代半導體功率器件，預計明年將實現(xiàn)硅基和寬禁帶功率器件的組合供應。
（校對/孫樂）
