天眼查顯示，普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司近日取得一項(xiàng)名為“NOR型閃存編程電路”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN114203242B，授權(quán)公告日為2024年11月29日，申請(qǐng)日為2021年12月2日。
本發(fā)明公開了一種NOR型閃存編程電路，其電源電壓檢測(cè)電路，用于檢測(cè)電荷泵輸入端的編程工作電源電壓；其地址譯碼單元用于選擇NOR型存儲(chǔ)陣列中需要進(jìn)行編程操作的存儲(chǔ)單元，提供電荷泵輸出端到需要編程的存儲(chǔ)單元的電流通道；所述編程控制電路，實(shí)時(shí)編程工作電源電壓越高，在一次編程脈沖中所述地址譯碼單元的電荷泵輸出端到對(duì)應(yīng)同一字線的需要編程的存儲(chǔ)單元的位線的電流通道的最大允許連通數(shù)量越大。該NOR型閃存編程電路，能減小芯片面積，并且即便接到電荷泵輸入端的編程工作電源電壓大幅變化，也都能對(duì)NOR型閃存進(jìn)行有效編程。
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