天眼查顯示，上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司“閃存器件的制備方法”專(zhuān)利公布，申請(qǐng)公布日為2024年8月21日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN119136552A。
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N閃存器件的制備方法，通過(guò)CAA&PAA合版制備第二隔離溝槽和第一隔離溝槽，先在存儲(chǔ)區(qū)和外圍邏輯區(qū)的襯底上形成第一硬掩膜層，然后利用襯墊氧化層作為外圍邏輯區(qū)刻蝕第一硬掩膜層的刻蝕停止層，徹底去除外圍邏輯區(qū)的第一硬掩膜層，可以避免第一硬掩膜層刻蝕工藝帶來(lái)的厚度波動(dòng)，進(jìn)一步的，在存儲(chǔ)區(qū)和外圍邏輯區(qū)同時(shí)形成厚度精確可控的第二硬掩膜層，配合第一硬掩膜層，可減少后續(xù)第一/第二隔離溝槽刻蝕深度的波動(dòng)，同時(shí)使得第二隔離溝槽和第一隔離溝槽之間形成穩(wěn)定的深度差，同時(shí)，本申請(qǐng)通過(guò)CAA&PAA合版制備第二隔離溝槽和第一隔離溝槽不需額外增加光罩，避免了制造成本的增加。
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