2月28日，士蘭微電子（600460）旗下廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司的8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目全面封頂。

“今日海滄”消息稱，士蘭集宏項(xiàng)目總投資120億元，分兩期建設(shè)，總建筑面積達(dá)23.45萬(wàn)㎡，一期投資70億元，預(yù)計(jì)2025年四季度初步通線，2026年一季度試生產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)能42萬(wàn)片8英寸SiC芯片。二期投產(chǎn)后總產(chǎn)能將提升至72萬(wàn)片/年，成為全球規(guī)模領(lǐng)先的8英寸SiC功率器件產(chǎn)線，項(xiàng)目以SiC MOSFET為核心產(chǎn)品，主要服務(wù)于新能源汽車、主驅(qū)逆變器、光伏逆變器、智能電網(wǎng)等高需求領(lǐng)域。

士蘭微電子董事會(huì)秘書、副總裁陳越表示，希望在“十五五”期間，在各方的大力支持下，士蘭集宏建成72萬(wàn)片8英寸SiC功率芯片的年產(chǎn)能，其中總投資70億元的一期項(xiàng)目，盡最大努力爭(zhēng)取在今年年底實(shí)現(xiàn)初步通線，明年一季度投產(chǎn)，到2028年底最終形成，年產(chǎn)42萬(wàn)片8英寸SiC功率器件芯片的生產(chǎn)能力。