IBM與半導(dǎo)體設(shè)備巨頭東京威力科創(chuàng)（TEL）近日共同宣布，將繼續(xù)其合作協(xié)議，進(jìn)行為期五年的先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的聯(lián)合研究和開發(fā)。這項新的協(xié)議將專注于推動下一代半導(dǎo)體節(jié)點和架構(gòu)的技術(shù)發(fā)展，以滿足生成式人工智能時代對效能的需求。

此項協(xié)議建立在IBM與TEL長達(dá)二十多年的合作伙伴關(guān)系之上。過去，兩家公司已取得多項突破性進(jìn)展，包括為3D芯片堆疊技術(shù)開發(fā)出一種新型激光剝離制程，用于生產(chǎn)300mm硅晶圓。

IBM半導(dǎo)體總經(jīng)理暨混合云部門副總裁Mukesh Khare表示，IBM和TEL在過去20年的合作中，有效地推動了半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供了多代芯片的效能提升和能源效率的改善。他們很高興在這個關(guān)鍵時刻繼續(xù)合作，加速芯片創(chuàng)新，以推動生成式AI的時代。

東京威力科創(chuàng)總裁兼執(zhí)行長河合利樹也指出，IBM和東京威力科創(chuàng)通過多年的共同開發(fā)，建立了堅實的信任和創(chuàng)新關(guān)系。他們很高興能與IBM再續(xù)五年長期的合作伙伴關(guān)系。這項續(xù)簽協(xié)議強調(diào)了雙方對推進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的共同承諾，包括采用高數(shù)值孔徑（High NA）極紫外光（EUV）的圖案化制程。