天眼查顯示，北京智芯微電子科技有限公司“非對(duì)稱型混合多柵半導(dǎo)體器件及其制作方法、芯片”專利公布，申請(qǐng)公布日為2025年2月28日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN119545855A。

本申請(qǐng)公開了一種非對(duì)稱型混合多柵半導(dǎo)體器件及其制作方法、芯片，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述非對(duì)稱型混合多柵半導(dǎo)體器件包括：襯底，包括第一高壓阱區(qū)，第一高壓阱區(qū)中設(shè)有沿目標(biāo)方向依次連接的漏極區(qū)、第一漂移區(qū)和第二漂移區(qū)，第二漂移區(qū)的摻雜濃度大于第一漂移區(qū)的摻雜濃度；第二漂移區(qū)中的阱區(qū)中設(shè)有沿目標(biāo)方向相間隔的第一源極區(qū)和第二源極區(qū)，第一源極區(qū)靠近第一漂移區(qū)一側(cè)的阱區(qū)構(gòu)成第一溝道區(qū)，第二源極區(qū)底部的阱區(qū)構(gòu)成第二溝道區(qū)；第一柵極結(jié)構(gòu)，覆蓋第一溝道區(qū)；第二柵極結(jié)構(gòu)，位于第一高壓阱區(qū)內(nèi)，且覆蓋第二溝道區(qū)。本申請(qǐng)能夠在提高器件的過電流能力的同時(shí)，維持了較小的器件面積，保證了器件集成度。