1.陸芯電子“一種IGBT器件制備方法及IGBT器件”獲授權(quán)；

2.奕斯偉材料“一種用于修整研磨輪的裝置和方法”獲授權(quán)；

3.紫光同芯“模數(shù)轉(zhuǎn)換的動(dòng)態(tài)補(bǔ)償方法及新型模數(shù)轉(zhuǎn)換器”專利公布；

4.承泰科技“一種適于毫米波雷達(dá)檢測(cè)的抗干擾處理方法、系統(tǒng)及平臺(tái)”專利公布；

5.飛驤科技“線性偏置電路及射頻功率放大電路”獲授權(quán)；

6.北理工團(tuán)隊(duì)在二維材料Janus結(jié)構(gòu)調(diào)控和對(duì)稱性破缺機(jī)理研究方面取得重要進(jìn)展

1.陸芯電子“一種IGBT器件制備方法及IGBT器件”獲授權(quán)

天眼查顯示，上海陸芯電子科技有限公司“一種IGBT器件制備方法及IGBT器件”近日取得一項(xiàng)名為“一種用于修整研磨輪的裝置和方法”的專利，授權(quán)公告號(hào)為 CN118156130B，授權(quán)公告日為2025年3月14日，申請(qǐng)日為2024年4月9日。

本發(fā)明公開了一種IGBT器件制備方法及IGBT器件。該IGBT器件制備方法包括：提供一N型襯底；N型襯底具有較低電阻率；在N型襯底的正面淀積電阻率高于N型襯底的電阻率的至少一層N型漂移區(qū)；在N型襯底的背面進(jìn)行離子注入，形成N型緩沖層；其中，N型緩沖層的電阻率小于N型襯底的電阻率；在N型緩沖層的背面進(jìn)行離子注入，形成P型集電極；在N型漂移區(qū)遠(yuǎn)離N型襯底的一側(cè)形成IGBT功能結(jié)構(gòu)；其中，IGBT功能結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu)，溝槽柵結(jié)構(gòu)的底部嵌于N型漂移區(qū)內(nèi)部。本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案有利于減小FS?IGBT功率器件的開關(guān)損耗，提高FS?IGBT功率器件的開關(guān)速度，并且減小器件的開關(guān)震蕩。

2.奕斯偉材料“一種用于修整研磨輪的裝置和方法”獲授權(quán)

天眼查顯示，西安奕斯偉材料科技股份有限公司近日取得一項(xiàng)名為“一種用于修整研磨輪的裝置和方法”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN115592565B，授權(quán)公告日為2025年3月14日，申請(qǐng)日為2022年10月14日。

本發(fā)明實(shí)施例公開一種用于修整研磨輪的裝置，所述裝置包括：柱狀的修整部，所述修整部設(shè)置成能夠繞自身的中心軸線旋轉(zhuǎn)以通過(guò)所述修整部的周向表面對(duì)研磨輪的研磨齒進(jìn)行修整；距離感測(cè)器，所述距離感測(cè)器用于感測(cè)所述研磨輪相對(duì)于所述修整部的所述周向表面的進(jìn)給距離；其中，當(dāng)所述距離感測(cè)器感測(cè)到所述研磨輪相對(duì)于所述修整部的所述周向表面的進(jìn)給距離達(dá)到第一預(yù)定距離時(shí)，則修整操作結(jié)束。

3.紫光同芯“模數(shù)轉(zhuǎn)換的動(dòng)態(tài)補(bǔ)償方法及新型模數(shù)轉(zhuǎn)換器”專利公布

天眼查顯示，紫光同芯微電子有限公司“模數(shù)轉(zhuǎn)換的動(dòng)態(tài)補(bǔ)償方法及新型模數(shù)轉(zhuǎn)換器”專利公布，申請(qǐng)公布日為2025年3月14日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN119628631A。

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N模數(shù)轉(zhuǎn)換的動(dòng)態(tài)補(bǔ)償方法及新型模數(shù)轉(zhuǎn)換器，涉及模數(shù)轉(zhuǎn)換技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：通過(guò)模擬信號(hào)輸入端口獲取模擬信號(hào)；所述模擬信號(hào)輸入端口同步輸入到模數(shù)轉(zhuǎn)換模塊；根據(jù)所述模擬信號(hào)確定訓(xùn)練數(shù)據(jù)，根據(jù)所述訓(xùn)練數(shù)據(jù)進(jìn)行深度學(xué)習(xí)模型的訓(xùn)練，得到深度學(xué)習(xí)模型，所述深度學(xué)習(xí)模型用于根據(jù)所述模擬信號(hào)和模數(shù)轉(zhuǎn)換模塊輸出的數(shù)字碼值變化周期、幅度和與理想數(shù)字碼值輸出偏差確定參數(shù)補(bǔ)償值；根據(jù)所述參數(shù)補(bǔ)償值對(duì)所述模數(shù)轉(zhuǎn)換模塊輸出的數(shù)字碼值進(jìn)行補(bǔ)償。能夠?qū)崿F(xiàn)實(shí)時(shí)準(zhǔn)確的對(duì)數(shù)字碼值進(jìn)行補(bǔ)償，得到準(zhǔn)確的模數(shù)轉(zhuǎn)換結(jié)果，提高模數(shù)轉(zhuǎn)換的準(zhǔn)確性。

4.承泰科技“一種適于毫米波雷達(dá)檢測(cè)的抗干擾處理方法、系統(tǒng)及平臺(tái)”專利公布

天眼查顯示，深圳承泰科技股份有限公司“一種適于毫米波雷達(dá)檢測(cè)的抗干擾處理方法、系統(tǒng)及平臺(tái)”專利公布，申請(qǐng)公布日為2025年3月14日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN119620003A。

本發(fā)明公開了一種適于毫米波雷達(dá)檢測(cè)的抗干擾處理方法、系統(tǒng)及平臺(tái)，本發(fā)明通過(guò)生成并獲取與待毫米波雷達(dá)檢測(cè)目標(biāo)物相對(duì)應(yīng)的第一數(shù)據(jù)，并根據(jù)所述第一數(shù)據(jù)生成相對(duì)應(yīng)的第二數(shù)據(jù)；所述第二數(shù)據(jù)為檢測(cè)區(qū)域的距離譜信號(hào)數(shù)據(jù)；抗干擾消除處理所述第二數(shù)據(jù)，并生成與所述第二數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的第三數(shù)據(jù)；以及與方法相應(yīng)的系統(tǒng)及平臺(tái)，可以提高檢測(cè)精度，使用兩級(jí)干擾檢測(cè)，識(shí)別待檢測(cè)環(huán)境是否有干擾，而且，后續(xù)可以針對(duì)不同的干擾選擇不同的算法，提高檢測(cè)精度和檢測(cè)效率，還能夠識(shí)別出持續(xù)地微動(dòng)干擾信號(hào)，降低了漏檢和誤檢概率，使檢測(cè)結(jié)果更準(zhǔn)確。

5.飛驤科技“線性偏置電路及射頻功率放大電路”獲授權(quán)

天眼查顯示，深圳飛驤科技股份有限公司近日取得一項(xiàng)名為“線性偏置電路及射頻功率放大電路”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN119628577B，授權(quán)公告日為2025年5月27日，申請(qǐng)日為2025年2月13日。 

本發(fā)明提供了一種線性偏置電路及射頻功率放大電路，其中，所述線性偏置電路包括第一電源、第一電流鏡、第二電源、第二電流鏡、第一電容、第一晶體管、第一電阻及第二電容，所述第一電阻的第二端作為所述線性偏置電路的輸出端，用于連接至射頻功率放大電路。本發(fā)明中的線性偏置電路可以控制其輸入阻抗，以提升其線性補(bǔ)償效果，另外將該線性偏置電路應(yīng)用于射頻功率放大電路后，還能使射頻功率放大電路在工作功率下的效率及線性度達(dá)到最佳狀態(tài)。

6.北理工團(tuán)隊(duì)在二維材料Janus結(jié)構(gòu)調(diào)控和對(duì)稱性破缺機(jī)理研究方面取得重要進(jìn)展

近日，依托先進(jìn)光場(chǎng)顯示芯片與系統(tǒng)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、學(xué)校光量子與納機(jī)電集成交叉科學(xué)中心，北京理工大學(xué)物理學(xué)院/前沿交叉研究院武旭教授課題組與我校集成電路學(xué)院、武漢大學(xué)物理與技術(shù)學(xué)院、中國(guó)科學(xué)院物理研究所開展合作，在二維材料Janus結(jié)構(gòu)調(diào)控和電荷密度波態(tài)對(duì)稱性破缺機(jī)理研究方面取得重要進(jìn)展。相關(guān)研究成果以“Unusual charge density wave introduced by the Janus structure in monolayer vanadium dichalcogenides”為題發(fā)表在國(guó)際知名期刊《Science Advances》上，論文第一作者為北京理工大學(xué)畢業(yè)博士生許自強(qiáng)、邵巖教授、在讀博士生黃純和武漢大學(xué)在讀博士生朱超。通訊作者為北京理工大學(xué)武旭教授、喬婧思教授、王業(yè)亮教授和武漢大學(xué)張晨棟教授。

研究課題組成功發(fā)展出原子層級(jí)Se化工藝，以此為基礎(chǔ)實(shí)現(xiàn)了單層Janus結(jié)構(gòu)VTeSe材料的可控制備。進(jìn)一步，借助掃描隧道顯微鏡技術(shù)，對(duì)材料的電荷密度波（CDW）現(xiàn)象進(jìn)行原子級(jí)成像，觀測(cè)到具有獨(dú)特對(duì)稱性的“√13×√13”超周期，該結(jié)構(gòu)具有顯著的三重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性破缺。通過(guò)理論計(jì)算與實(shí)驗(yàn)結(jié)合，團(tuán)隊(duì)揭示了這種CDW態(tài)與材料內(nèi)部自旋排列緊密相關(guān)，而不是單一的傳統(tǒng)電子-聲子耦合作用機(jī)理。該成果不僅為二維過(guò)渡金屬硫族化合物（TMD）的原子級(jí)結(jié)構(gòu)調(diào)控提供了新的制備工藝技術(shù)，也對(duì)對(duì)稱性調(diào)控與量子態(tài)設(shè)計(jì)提供了全新思路，推動(dòng)二維材料的物態(tài)調(diào)控和相關(guān)的基礎(chǔ)以及應(yīng)用科學(xué)研究。

圖1 單層Janus VTeSe的制備流程示意圖和原子級(jí)結(jié)構(gòu)表征結(jié)果。

圖2 二維VTe2和具有Janus結(jié)構(gòu)VTeSe兩種材料電荷密度波結(jié)構(gòu)的原子級(jí)成像對(duì)照。

圖3 二維Janus VTeSe中CDW態(tài)的電子態(tài)實(shí)空間成像分析結(jié)果。

圖4 單層Janus VTeSe的電荷密度波與自旋序之間的關(guān)聯(lián)以及對(duì)應(yīng)的DFT理論計(jì)算

論文詳情：Ziqiang Xu et al., Unusual charge density wave introduced by the Janus structure in monolayer vanadium dichalcogenides. Sci. Adv.11, eadq4406(2025). DOI:10.1126/sciadv.adq4406

論文連接：https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.adq4406

本研究受到科技部重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金、北京市自然科學(xué)基金等項(xiàng)目的資助。