編者按：一直以來(lái)，愛(ài)集微憑借強(qiáng)大的媒體平臺(tái)和原創(chuàng)內(nèi)容生產(chǎn)力，全方位跟蹤全球半導(dǎo)體行業(yè)熱點(diǎn)，為全球用戶(hù)提供專(zhuān)業(yè)的資訊服務(wù)。此次，愛(ài)集微推出《海外芯片股》系列，將聚焦海外半導(dǎo)體上市公司，第一時(shí)間跟蹤海外上市公司的公告發(fā)布、新聞動(dòng)態(tài)和深度分析，敬請(qǐng)關(guān)注?！逗Ｍ庑酒伞废盗兄饕櫢采w的企業(yè)包括美國(guó)、歐洲、日本、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣等全球半導(dǎo)體主要生產(chǎn)和消費(fèi)地的上市公司，目前跟蹤企業(yè)數(shù)量超過(guò)110家，后續(xù)仍將不斷更替完善企業(yè)數(shù)據(jù)庫(kù)。

上周，恩智浦Q2營(yíng)收下降6.4%至29.3億美元；臺(tái)積電Q2營(yíng)收9337.9億元新臺(tái)幣，年增38.6%；三星加速美國(guó)德州芯片廠建設(shè)；臺(tái)積電中科1.4nm廠或年底動(dòng)工；韓國(guó)AI芯片創(chuàng)企FuriosaAI斬獲LG大單；韓國(guó)芯片設(shè)計(jì)公司Semifive啟動(dòng)IPO預(yù)審；低功耗芯片廠商Ambiq Micro啟動(dòng)美股IPO；AMD新一代Zen 6或采用臺(tái)積電N2制程；尼康光刻機(jī)DSP-100發(fā)布，專(zhuān)為先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)。

財(cái)報(bào)與業(yè)績(jī)

1.恩智浦Q2營(yíng)收下降6.4%至29.3億美元——芯片制造商恩智浦半導(dǎo)體公布第二季度營(yíng)收下降6%，主要原因是在整體市場(chǎng)疲軟的背景下，通信和基礎(chǔ)設(shè)施部門(mén)的業(yè)績(jī)疲軟。根據(jù)倫敦證券交易所匯編的數(shù)據(jù)，恩智浦第二季度營(yíng)收下降6.4%，至29.3億美元，但仍略高于分析師預(yù)期的29億美元。第二季度每股收益為2.72美元，高于預(yù)期的2.68美元。

2.臺(tái)積電Q2營(yíng)收9337.9億元新臺(tái)幣，年增38.6%——7月17日，臺(tái)積電公布的財(cái)報(bào)顯示，該公司第二季度營(yíng)收9337.9億元新臺(tái)幣，季增11.3%，年增38.6%，稅后純益約3982.7億元新臺(tái)幣，季增10.2%，年增60.7%，每股盈余為15.36元新臺(tái)幣，年增加60.7%。若以美元計(jì)算，臺(tái)積電第二季度營(yíng)收為300.7億美元，年增44.4%，季增17.8%。

投資與擴(kuò)產(chǎn)

1.三星加速美國(guó)德州芯片廠建設(shè)——據(jù)外媒報(bào)道，三星電子已派遣具備芯片制造各領(lǐng)域?qū)I(yè)知識(shí)的員工前往其位于美國(guó)德克薩斯州的工廠，此舉可能是為了加速泰勒工廠的建設(shè)，并暗示美國(guó)公司可能對(duì)向三星下芯片訂單表現(xiàn)出興趣。此前，三星推遲了泰勒工廠的啟動(dòng)，主要是由于難以確保其芯片產(chǎn)量的客戶(hù)。根據(jù)三星C&T（負(fù)責(zé)該項(xiàng)目的三星電子建設(shè)部門(mén)）的文件顯示，截至3月，該工廠的建設(shè)進(jìn)度已達(dá)91.8%。盡管最初計(jì)劃于2024年4月完工，但提交給韓國(guó)金融監(jiān)管機(jī)構(gòu)的文件顯示，截止日期現(xiàn)已延長(zhǎng)至2025年10月底。

2.臺(tái)積電中科1.4nm廠或年底動(dòng)工——據(jù)媒體7月19日?qǐng)?bào)道，臺(tái)積電中科1.4nm廠預(yù)計(jì)年底動(dòng)工，首座廠預(yù)計(jì)2028年量產(chǎn)。今年4月，臺(tái)積電釋放生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)規(guī)劃消息，中科二期計(jì)劃編號(hào)為晶圓25廠，業(yè)界傳出將興建四座1.4nm晶圓廠，首座廠預(yù)計(jì)2027年底完成風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，2028年下半年正式量產(chǎn)，將導(dǎo)入2nm以下制程，初期月產(chǎn)能規(guī)劃約5萬(wàn)片。臺(tái)積電本規(guī)劃中科第一座2nm制程最快在2024年投產(chǎn)，后續(xù)更改為導(dǎo)入2nm以下制程。

市場(chǎng)與輿情

1.韓國(guó)AI芯片創(chuàng)企FuriosaAI斬獲LG大單——韓國(guó)AI芯片創(chuàng)企FuriosaAI致力于設(shè)計(jì)芯片與英偉達(dá)競(jìng)爭(zhēng)，在拒絕Meta Platforms的8億美元收購(gòu)要約數(shù)月后，終于簽下首份重要合同。經(jīng)過(guò)七個(gè)月的嚴(yán)格評(píng)估，這家初創(chuàng)公司的AI芯片RNGD最終獲得LG AI Research的批準(zhǔn)，該芯片涵蓋性能和效率。FuriosaAI CEO June Paik表示，LG將使用該芯片為其Exaone大型語(yǔ)言模型提供支持。

2.英偉達(dá)H20芯片供應(yīng)對(duì)華解禁——根據(jù)《The Information》周六（19日）報(bào)導(dǎo)，美國(guó)芯片巨頭英偉達(dá)已告知中國(guó)客戶(hù)，其H20人工智能（AI）芯片供應(yīng)量有限。H20為目前美國(guó)允許英偉達(dá)對(duì)中國(guó)出口的最高階AI芯片。報(bào)導(dǎo)引述兩位知情人士指出，美國(guó)政府于4月下令禁止H20芯片出口至中國(guó)，使英偉達(dá)被迫取消原先的客戶(hù)訂單，并撤銷(xiāo)在芯片代工大廠臺(tái)積電的制造產(chǎn)能預(yù)約。英偉達(dá)本周正式表示，將恢復(fù)向中國(guó)銷(xiāo)售H20芯片，但依據(jù)現(xiàn)行美國(guó)出口政策，仍需事前取得授權(quán)許可。

3.韓國(guó)芯片設(shè)計(jì)公司Semifive啟動(dòng)IPO預(yù)審——韓國(guó)芯片設(shè)計(jì)公司Semifive已在首爾提交首次公開(kāi)募股（IPO）預(yù)審申請(qǐng)，尋求刺激增長(zhǎng)，以滿(mǎn)足人工智能（AI）等領(lǐng)域?qū)Π雽?dǎo)體日益增長(zhǎng)的需求。Semifive表示，此次申請(qǐng)啟動(dòng)了在韓國(guó)科斯達(dá)克上市的程序。三星證券公司和瑞銀集團(tuán)擔(dān)任聯(lián)席主承銷(xiāo)商。主要合作伙伴包括韓國(guó)AI芯片初創(chuàng)公司FuriosaAI和Rebellions。

4.低功耗芯片廠商Ambiq Micro啟動(dòng)美股IPO——Ambiq Micro是一家為人工智能（AI）應(yīng)用生產(chǎn)超低功耗半導(dǎo)體的制造商，該公司正尋求通過(guò)首次公開(kāi)募股（IPO）籌集高達(dá)8500萬(wàn)美元的資金。該公司計(jì)劃在紐約證券交易所上市，股票代碼為AMBQ，預(yù)計(jì)將于7月29日紐約股市收盤(pán)后定價(jià)。根據(jù)該公司向美國(guó)證券交易委員會(huì)提交的文件，這家總部位于奧斯汀的公司計(jì)劃以每股22~25美元的價(jià)格發(fā)行340萬(wàn)股股票，投資者包括Arm。

技術(shù)與合作

1.AMD新一代Zen 6或采用臺(tái)積電N2制程——有媒體19日?qǐng)?bào)道，AMD新一代Zen 6架構(gòu)處理器傳出將采用臺(tái)積電N2制程，即AMD所有服務(wù)器與高階消費(fèi)級(jí)處理器，幾將全數(shù)采用臺(tái)積電N2P（2nm加強(qiáng)版）制程。法人機(jī)構(gòu)表示，AMD是臺(tái)積電N2制程的首批客戶(hù)，其第六代服務(wù)器處理器 EPYCVenice 成為業(yè)界首款在臺(tái)積電N2制程下完成設(shè)計(jì)定案（tape out），并通過(guò)初步驗(yàn)證的高效能運(yùn)算（HPC）處理器，并同時(shí)采用SoIC和CoWoC-L封裝制程，取代蘋(píng)果成為N2制程首發(fā)客戶(hù)，但其對(duì)整體N2制程的貢獻(xiàn)度在六大客戶(hù)中相對(duì)最小。

2.Rapidus成功研發(fā)2納米芯片原型——日本Rapidus公司近日宣布，已成功開(kāi)發(fā)出一種先進(jìn)芯片的原型，標(biāo)志著這家受政府支持的初創(chuàng)公司在巨額公共資金支持下，取得了重要的早期創(chuàng)新成果。Rapidus總裁小池淳昨日向媒體透露，該公司上周采用2納米環(huán)柵工藝技術(shù)在晶圓上成功印刷電路，但未透露生產(chǎn)的功能芯片數(shù)量。Rapidus自今年4月起使用ASML Holding NV的極紫外（EUV）光刻設(shè)備開(kāi)發(fā)晶圓，目標(biāo)是在明年3月前為客戶(hù)提供芯片。

3.三星突破10納米級(jí)DRAM制程，力攻HBM4市場(chǎng)——三星電子近日宣布，已成功突破10納米級(jí)第六代（1c）DRAM制程的良率門(mén)檻，良率超過(guò)50%，并計(jì)劃在下半年導(dǎo)入第六代HBM（HBM4）進(jìn)行量產(chǎn)。這一突破標(biāo)志著三星在高端存儲(chǔ)器領(lǐng)域的重大進(jìn)展。1c DRAM制程節(jié)點(diǎn)約為11～12納米，相較于目前主流的第4代（1a，約14nm）和第5代（1b，約12～13nm）DRAM，1c DRAM具備更高密度、更低功耗和更薄的晶粒厚度，有利于在HBM4中堆疊更多層次的記憶體，從而大幅提升容量與頻寬密度。

4.尼康光刻機(jī)DSP-100發(fā)布，專(zhuān)為先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)——隨著先進(jìn)封裝技術(shù)發(fā)展，電路圖案日益微細(xì)化，封裝尺寸也不斷擴(kuò)大。預(yù)計(jì)采用樹(shù)脂或玻璃基板的面板級(jí)封裝需求將進(jìn)一步增長(zhǎng)。尼康（Nikon）宣布將于2025年7月起，正式接受面向半導(dǎo)體器件制造后道工藝的數(shù)字光刻機(jī)“DSP-100”的訂單，預(yù)計(jì)2026年內(nèi)正式上市，該設(shè)備專(zhuān)為先進(jìn)封裝領(lǐng)域設(shè)計(jì)，能夠支持最大600mm見(jiàn)方的大型基板，并具備1.0μm（L/S）高分辨率。