8月19日，揚(yáng)杰科技發(fā)布2025年半年度報(bào)告稱，上半年，公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入34.55億元，同比增長20.58%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為6.01億元，同比增長41.55%；扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤為5.59億元，同比增長32.33%。

報(bào)告期內(nèi)，半導(dǎo)體行業(yè)景氣度持續(xù)攀升，汽車電子、人工智能、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長態(tài)勢，帶動公司主營業(yè)務(wù)增長。公司始終堅(jiān)持產(chǎn)品領(lǐng)先的技術(shù)引領(lǐng)戰(zhàn)略，持續(xù)加大高附加值新產(chǎn)品的研發(fā)投入力度，推動產(chǎn)品競爭力持續(xù)提升，報(bào)告期內(nèi)公司多品類重點(diǎn)產(chǎn)品持續(xù)放量。同時(shí)，公司將精益生產(chǎn)理念深度融入功率半導(dǎo)體生產(chǎn)全流程，通過生產(chǎn)流程優(yōu)化、質(zhì)量管控強(qiáng)化及成本精細(xì)化管理等舉措，全方位提升運(yùn)營效率。報(bào)告期內(nèi)，公司毛利率實(shí)現(xiàn)同比增長，為利潤增長提供了強(qiáng)勁支撐。

報(bào)告稱，公司持續(xù)增加對第三代半導(dǎo)體芯片行業(yè)的投入，加大在以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體功率器件等產(chǎn)品的研發(fā)力度，以進(jìn)一步滿足公司后續(xù)戰(zhàn)略發(fā)展需求。報(bào)告期內(nèi)，公司投資的SiC芯片工廠通過IDM技術(shù)實(shí)現(xiàn)650V/1200V/1700V的SiC MOS產(chǎn)品從第二代升級到第三代，所有SiC MOS型號實(shí)現(xiàn)覆蓋650V/1200V/1700V 13mΩ-500mΩ。報(bào)告期內(nèi)公司在碳化硅尤其是SiC MOS市場份額持續(xù)增加，當(dāng)前各類產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器電源、新能源汽車、光伏、充電樁、儲能、工業(yè)電源等領(lǐng)域。

在車載模塊方面，針對新能源汽車控制器應(yīng)用，建設(shè)了全自動化車規(guī)功率模塊產(chǎn)線，可年產(chǎn)三相橋HPD模塊16.8萬只，重點(diǎn)攻克了芯片銀燒結(jié)、Pin針超聲焊接、銅線互連等先進(jìn)工藝技術(shù)難題；同時(shí)針對車規(guī)功率模塊高功率密度、低熱阻的特點(diǎn)，研究了低寄生電感、多并聯(lián)芯片均流、直接水冷等關(guān)鍵技術(shù)。研制了三相橋功率模塊（750V/950A IGBT模塊、1200V/2.0mΩ SiC模塊）、半橋功率模塊（1200V 600A IGBT模塊、1200V1.6mΩ SiC模塊、1200V2.0mΩ SiC模塊）。目前在多家汽車客戶完成送樣，并且已經(jīng)獲得多家Tier1和終端車企的測試及合作意向。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品的持續(xù)推出，為公司實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體功率器件全系列產(chǎn)品的一站式供應(yīng)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

此外，報(bào)告期內(nèi)，公司研發(fā)費(fèi)用率為6.38%，合計(jì)申請知識產(chǎn)權(quán)15件（其中國內(nèi)發(fā)明專利9件，實(shí)用新型6件），獲授70件（其中國內(nèi)發(fā)明專利11件，實(shí)用新型48件，集成電路布圖設(shè)計(jì)7件，外觀設(shè)計(jì)4件）。

（校對/黃仁貴）