8月18日，上交所正式受理了瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡稱“瑞能半導(dǎo)”）的科創(chuàng)板上市申請。
晶閘管：國內(nèi)第一、全球第二
招股書顯示，瑞能半導(dǎo)從事功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是一家擁有芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝設(shè)計的一體化經(jīng)營功率半導(dǎo)體企業(yè)，致力于開發(fā)并生產(chǎn)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體器件組合。公司主要產(chǎn)品主要包括晶閘管和功率二極管等，廣泛應(yīng)用于以家電為代表的消費電子、以通信電源為代表的工業(yè)制造、新能源及汽車等領(lǐng)域。瑞能半導(dǎo)開發(fā)的功率半導(dǎo)體器件如下：
根據(jù)IHSMarkit報告的市場統(tǒng)計，2019年度瑞能半導(dǎo)晶閘管產(chǎn)品的市場占有率，在國內(nèi)排名第一、全球排名第二。根據(jù)WSTS協(xié)會報告的市場統(tǒng)計，2019年度公司晶閘管產(chǎn)品的全球市場占有率為21.8%，其中中國市場占有率達(dá)36.2%；2019年度公司功率二極管產(chǎn)品的全球市場占有率為2.6%，其中中國市場占有率達(dá)7.5%。
瑞能半導(dǎo)提供的功率半導(dǎo)體器件組合已應(yīng)用至眾多全球知名客戶。以家電為代表的消費電子領(lǐng)域用戶包括惠而浦、伊萊克斯、惠普、海爾、美的、格力、海信、三星、LG、索尼、日立、佳能、飛利浦、松下、戴爾等；以通信電源為代表的工業(yè)制造領(lǐng)域用戶包括臺達(dá)、ABB、施耐德、霍尼韋爾、通用電氣、科士達(dá)、英威騰、麥格米特、光寶、偉創(chuàng)力、立維騰等；新能源及汽車領(lǐng)域用戶包括海拉電子、特銳德、上能電氣、中恒電氣、博世、NAPINO、HERO、TVSMotor等。
持續(xù)加大研發(fā)投入
2017年至2020年第一季度，瑞能半導(dǎo)分別實現(xiàn)銷售收入為61,854.81萬元、66,687.15萬元、58,790.12萬元和14,044.25萬元，凈利潤為8,775.98萬元、9,493.04萬元、8,610.88萬元和1,898.70萬元。
瑞能半導(dǎo)表示，公司2019年營業(yè)收入為58,790.12萬元，同比下滑11.84%，2019年凈利潤為8,610.88萬元，同比下滑9.29%。公司營業(yè)收入和凈利潤下滑主要系受到半導(dǎo)體景氣度進(jìn)入周期底部的影響。
報告期內(nèi)，瑞能半導(dǎo)的主要客戶包括華為以及ArrowElectronics,Inc.（艾睿電子）、Avnet,Inc.（安富利）、WPGHoldingsLimited（大聯(lián)大）等經(jīng)銷商。
2017年度至2019年度，瑞能半導(dǎo)研發(fā)投入分別為2,450.96萬元、2,363.82萬元和3,214.54萬元，累計8,029.32萬元。
截至本招股說明書簽署日，瑞能半導(dǎo)及其子公司持有境內(nèi)專利共22項，其中發(fā)明專利5項、實用新型專利17項，境外專利4項。
積極研發(fā)MOSFET、IGBT、碳化硅等功率半導(dǎo)體器件
招股書披露，瑞能半導(dǎo)本次擬向社會公開發(fā)行股票不超過3,010萬股，占發(fā)行后總股本不低于25.00%，募集資金用于公司主營業(yè)務(wù)相關(guān)的項目。
C-MOS/IGBT-IPM產(chǎn)品平臺建設(shè)項目圍繞功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，規(guī)劃建設(shè)硅基MOSFET、IGBT/IPM功率器件產(chǎn)品平臺。本項目實施后，產(chǎn)品將廣泛應(yīng)用于新能源汽車、新能源光伏、工業(yè)制造、工業(yè)制造、通信電源等領(lǐng)域。
南昌實驗室擴容項目在瑞能半導(dǎo)現(xiàn)有南昌實驗室的基礎(chǔ)上進(jìn)行擴容建設(shè)，通過增加可靠性測試和失效性分析相關(guān)的檢測分析設(shè)備投入，優(yōu)化實驗環(huán)境，提升測試與分析的能力和效率，從而進(jìn)一步保障產(chǎn)品質(zhì)量、吸引高端人才，促進(jìn)業(yè)務(wù)高質(zhì)量發(fā)展。
研發(fā)中心新建項目依托公司在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢，布局碳化硅功率器件等功率半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的新技術(shù)領(lǐng)域，通過引進(jìn)高技術(shù)人才、增加與外部機構(gòu)研發(fā)合作等方式，進(jìn)一步加強公司研發(fā)團隊及研發(fā)平臺的實力，以保持公司產(chǎn)品在核心技術(shù)方面的優(yōu)勢地位，為公司業(yè)務(wù)中長期的可持續(xù)發(fā)展奠定基礎(chǔ)。
此外，瑞能半導(dǎo)擬使用30,000萬元募集資金，用于發(fā)展與科技儲備資金。本次發(fā)展與科技儲備資金將結(jié)合公司的經(jīng)營需要和戰(zhàn)略規(guī)劃的資金需求，以提升公司的競爭力。
瑞能半導(dǎo)表示，公司將進(jìn)一步完善全系列晶閘管和功率二極管器件的研發(fā)，開展新一代碳化硅半導(dǎo)體芯片及器件的研發(fā)，積極推進(jìn)以MOSFET和IGBT為代表的功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)和生產(chǎn)。（校對/Candy）
