天眼查顯示，上海矽?？萍脊煞萦邢薰尽靶酒?D形貌制備方法”專利獲授權(quán)，授權(quán)公告日為8月8日，授權(quán)公告號(hào)為CN112582533B。

圖片來源：天眼查

專利摘要顯示，本發(fā)明揭示了一種芯片3D形貌制備方法，所述方法包括：在基底上生長第一介質(zhì)材料，形成第一介質(zhì)材料層；在所述第一介質(zhì)材料層上生長第二介質(zhì)材料，形成第二介質(zhì)材料層，所述第二介質(zhì)材料層包括至少兩個(gè)第二介質(zhì)材料層單元；不同第二介質(zhì)材料層單元具有設(shè)定間隔，形成設(shè)定間距的隔斷；利用高密度等離子體邊沉積邊刻蝕的工藝特征形成具有設(shè)定坡度及高度的高密度等離子體層；在所述高密度等離子體層上生長氧化硅，形成氧化硅層。

據(jù)悉，本發(fā)明提出的芯片3D形貌制備方法，可制得的產(chǎn)品具有更好的斜坡面及坡度，提高產(chǎn)品的性能。（校對(duì)/劉沁宇）