【編者按】自2020年舉辦以來，IC風云榜已成為半導體行業(yè)的年度盛事。今年新增12項獎項，共設(shè)39項大獎，進一步關(guān)注半導體投資與退出、科技前沿領(lǐng)域貢獻、項目創(chuàng)新以及技術(shù)“出?！迸c拓展。評委會由超過100家半導體投資聯(lián)盟會員單位及500+行業(yè)CEO組成。獲獎名單將于2025半導體投資年會暨IC風云榜頒獎典禮上揭曉。
【候選企業(yè)】深圳市至信微電子有限公司（以下簡稱：至信微電子）
【候選獎項】年度優(yōu)秀創(chuàng)新產(chǎn)品獎
【候選產(chǎn)品】SMC190SE7N120MBH1(1200V 7mΩ)
全球碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)正迎來前所未有的發(fā)展機遇。作為新一代功率半導體材料，碳化硅憑借其出色的耐高溫、高電壓、低損耗等特性，在新能源汽車、光伏、工業(yè)控制等關(guān)鍵領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。
至信微電子，成立于2021年，由國內(nèi)功率半導體領(lǐng)域的知名專家張愛忠創(chuàng)立，匯聚了一支來自華潤微、意法半導體等頂尖半導體企業(yè)的資深精英構(gòu)成的團隊。這支團隊不僅擁有雄厚的產(chǎn)業(yè)資源和深厚的行業(yè)背景，更以卓越的創(chuàng)新能力和領(lǐng)先的設(shè)計制造技術(shù)，成為功率半導體領(lǐng)域的一股強勁力量。
至信微電子緊跟時代潮流，積極布局碳化硅產(chǎn)業(yè)，致力于開發(fā)出更多高性能、高可靠性的碳化硅功率器件，以滿足市場日益增長的需求。
至信微電子聚焦開發(fā)頂級的第三代半導體功率器件，以其行業(yè)領(lǐng)先的設(shè)計與制造技術(shù)為基石。推出的碳化硅MOSFET產(chǎn)品不僅良率超過90%，技術(shù)性能卓越，更是在國內(nèi)率先研發(fā)出1200V/7mΩ、750V/5mΩ等行業(yè)領(lǐng)先的SiC芯片，這些產(chǎn)品在新能源汽車、光伏、工業(yè)等關(guān)鍵領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用和認可。
此次，至信微電子憑借其明星產(chǎn)品——碳化硅MOSFET芯片SMC190SE7N120MBH1（1200V 7mΩ）競逐IC風云榜年度優(yōu)秀創(chuàng)新產(chǎn)品獎，并成為候選企業(yè)。
目前，這款芯片已順利實現(xiàn)量產(chǎn)，并成功進入10家Tier 1供應(yīng)商體系，被應(yīng)用于10款車型的前裝系統(tǒng)，累計供應(yīng)總量已超過10萬顆。
這款1200V/7mΩ SiC MOSFET的應(yīng)用場景廣泛，涵蓋了車規(guī)級和工業(yè)規(guī)級的多個關(guān)鍵領(lǐng)域，例如交換機供電、可再生能源、電機驅(qū)動、高電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器等。
至信微電子推出這款1200V/7mΩ SiC MOSFET，采用平面工藝制造，晶圓良率超過80%，導通電阻Rds(on)僅為7mΩ，單die支持超過250A的超大電流，單芯片系統(tǒng)輸出功率達到30kW，標稱電壓為1200V，耐壓能力超過1600V，是國內(nèi)唯一量產(chǎn)的7mΩ出貨產(chǎn)品，應(yīng)用于汽車主驅(qū)模塊等。
與現(xiàn)有市場方案相比，至信微電子的這款芯片能夠顯著減少一半的芯片使用數(shù)量，從而簡化主驅(qū)模塊設(shè)計，降低布線難度和均流要求，提升系統(tǒng)可靠性并優(yōu)化成本。
至信微電子1200V/7mΩ SiC MOSFET優(yōu)勢如下：
- 領(lǐng)先的特征導通電阻
通過優(yōu)化JFET區(qū)寬度和源極接觸區(qū)寬度，以及采用額外的JFET區(qū)N型離子注入工藝或高濃度外延工藝，至信微電子成功將特征導通電阻Ron,sp降低至2.8mΩ·cm，達到國內(nèi)領(lǐng)先水平。同時，溝道自對準工藝的應(yīng)用進一步降低了溝道長度，顯著改善了器件性能。
- 優(yōu)異的短路能力
通過調(diào)整溝道長度、閾值和JFET電場控制，至信微的SiC MOSFET短路能力達到3us以上，處于業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平，確保在大功率電力電子變換器應(yīng)用中的穩(wěn)健性。
- 高可靠的柵氧工藝
通過在氧化工藝后加入氮化工藝（NO 或 N2O 退火工藝），溝道遷移率由10cm2/(V·S) 以下增加到 20cm2 /(V·S) 左右，溝道電阻減少50%以上，界面陷阱引起的閾值電壓漂移問題也得到改善。同時顯著提升了 SiC MOSFET器件性能和產(chǎn)品可靠性。
- 車規(guī)級可靠性設(shè)計
至信微電子的SiC MOSFET芯片符合車規(guī)級應(yīng)用標準，通過不斷改善柵氧工藝，解決了時間相關(guān)的介電擊穿、閾值電壓漂移等問題，確保了在車規(guī)級和工業(yè)級等高要求應(yīng)用場景中的出色表現(xiàn)。
此外，該產(chǎn)品已獲得多項知識產(chǎn)權(quán)，包括實用新型和發(fā)明專利。其中，實用新型專利如“一種芯片引線框架及半導體器件”“一種碳化硅MOS芯片、電路板組件和電子設(shè)備”等，以及發(fā)明專利如“溝槽型MOS場效應(yīng)晶體管的制備方法和應(yīng)用”等，均為至信微電子在SiC MOSFET研發(fā)和生產(chǎn)中的技術(shù)創(chuàng)新提供了有力保障。
2025半導體投資年會暨IC風云榜頒獎典禮將于2024年12月舉辦，獎項申報已啟動，目前征集與候選企業(yè)/機構(gòu)報道正在進行，歡迎報名參與，共赴行業(yè)盛宴！
【年度優(yōu)秀創(chuàng)新產(chǎn)品獎】
旨在表彰補短板、填空白或?qū)崿F(xiàn)國產(chǎn)替代，對于我國半導體產(chǎn)業(yè)鏈自立自強發(fā)展具有重要意義的企業(yè)。
【報名條件】
1、深耕半導體某一細分領(lǐng)域，近一年內(nèi)實現(xiàn)新產(chǎn)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；
2、產(chǎn)品的技術(shù)創(chuàng)新性強，具有自主知識產(chǎn)權(quán)，產(chǎn)生一定效益，促進完善供應(yīng)鏈自立自強。
【評選標準】
技術(shù)或產(chǎn)品的主要性能和指標（30%）；
技術(shù)的創(chuàng)新性（40%）；
產(chǎn)品銷量情況（30%）。
