三星代工工藝首次應(yīng)用于作為第六代高帶寬存儲器（HBM4）大腦的“邏輯芯片”，據(jù)報(bào)道，三星電子代工部門生產(chǎn)的邏輯芯片測試良率穩(wěn)定，這將為在HBM技術(shù)競爭中一直落后的三星電子對12層HBM4的開發(fā)和量產(chǎn)提供動力。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，采用三星電子代工4nm工藝生產(chǎn)的邏輯芯片的測試生產(chǎn)良率已超過40%。

一位半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士解釋道，“初始測試生產(chǎn)良率達(dá)到40%是一個(gè)不錯的數(shù)字，我們可以立即開展業(yè)務(wù)”，并補(bǔ)充道，“通常，（代工流程良率）從10%左右開始，隨著進(jìn)入量產(chǎn)階段，良率會逐漸提高”。

三星電子在HBM3E（第五代 HBM）市場落后于SK海力士和美光，目前正全力投入生產(chǎn)HBM4邏輯芯片。HBM4邏輯芯片采用代工精細(xì)工藝，不僅可以提高芯片性能，還可以根據(jù)客戶所需的設(shè)計(jì)進(jìn)行生產(chǎn)，從而靈活響應(yīng)“定制 HBM”市場。

現(xiàn)在，三星電子HBM4業(yè)務(wù)的成敗取決于內(nèi)存業(yè)務(wù)部門正在開發(fā)的10?級第6代（1c）DRAM，HBM4 12層產(chǎn)品配備1c DRAM和邏輯芯片。如果三星電子能夠穩(wěn)步量產(chǎn)1c DRAM，那么將能夠在HBM4性能上取得優(yōu)勢。

半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示，“從三星電子的角度來看，剩下的任務(wù)是穩(wěn)定搭載在HBM上的DRAM以及封裝技術(shù)。”