5月22日，SK海力士宣布成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動端解決方案產(chǎn)品UFS 4.1。

SK海力士表示：“為了在移動設(shè)備上實(shí)現(xiàn)端側(cè)（On-device）AI的穩(wěn)定運(yùn)行，所搭載的NAND閃存解決方案產(chǎn)品必須兼具高性能與低功耗特性。依托這款對AI工作負(fù)載*優(yōu)化的UFS4.1產(chǎn)品，公司將進(jìn)一步鞏固其在旗艦智能手機(jī)市場中的存儲器技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位?！?/p>

* 工作負(fù)載（Workload）：指在特定時(shí)間內(nèi)需要處理的任務(wù)類型和數(shù)量，通常涉及大量的數(shù)據(jù)處理或數(shù)據(jù)庫相關(guān)的任務(wù)。

隨著端側(cè)AI的需求持續(xù)增長，終端設(shè)備的計(jì)算性能與電池效率之間的平衡日趨關(guān)鍵，超薄設(shè)計(jì)和低功耗特性已成為移動設(shè)備的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

順應(yīng)這一趨勢，公司此次開發(fā)的新品較上一代基于238層NAND閃存的產(chǎn)品能效提升了7%。同時(shí)，成功產(chǎn)品厚度從1mm減薄至0.85mm，使其能夠適配超薄智能手機(jī)。

此外，該產(chǎn)品支持第四代UFS產(chǎn)品的順序讀取*峰值，數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)4300MB/s。決定移動設(shè)備多任務(wù)處理能力的隨機(jī)讀取和寫入**速度，相較上一代產(chǎn)品分別提升了15%與40%，達(dá)到現(xiàn)存UFS4.1產(chǎn)品中全球領(lǐng)先水平。

* 順序讀寫（Sequential Read/Write）：對單個(gè)文件的數(shù)據(jù)進(jìn)行順序讀寫的速度

** 隨機(jī)讀寫（Random Read/Write）：對多個(gè)分散文件的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫的速度

通過該方式，能夠?qū)崟r(shí)提供對端側(cè)AI所需的數(shù)據(jù)，顯著提升應(yīng)用程序的運(yùn)行效率與響應(yīng)速度，從而有效增強(qiáng)用戶的實(shí)際性能體驗(yàn)。

該產(chǎn)品提供512GB（千兆字節(jié)）和1TB（太字節(jié)）兩種容量規(guī)格。公司計(jì)劃于今年內(nèi)向客戶交付樣品以進(jìn)行驗(yàn)證流程，并將于明年第一季度正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。

SK海力士開發(fā)總管（CDO, Chief Development Officer）安炫社長表示：“以此次產(chǎn)品的開發(fā)為契機(jī)，公司計(jì)劃于今年內(nèi)完成基于全球最高321層4D NAND閃存的消費(fèi)級和數(shù)據(jù)中心級固態(tài)硬盤（SSD）產(chǎn)品的開發(fā)工作。通過這一舉措，公司將在NAND閃存領(lǐng)域構(gòu)建具備AI技術(shù)競爭力的產(chǎn)品組合，從而進(jìn)一步鞏固公司作為‘全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）’的地位。”