1.vivo X200s 拆解：精致工藝下的性能猛獸
2.從High-NA到Hyper-NA，ASML光刻技術(shù)如何突破物理極限？
3.高通Vinesh Sukumar博士：AI發(fā)展重心正向邊緣終端轉(zhuǎn)移
4.甬矽電子H1營收為19億元-21億元，同比預(yù)增16.6%到28.88%
5.國芯科技抗量子密碼卡新產(chǎn)品內(nèi)測成功，已向多家客戶送樣
6.存儲界新風(fēng)暴！順絡(luò)新型鉭電容助力eSSD斷電數(shù)據(jù)保護(hù)
1.vivo X200s 拆解：精致工藝下的性能猛獸
2025年年4月，vivo正式推出了新一代直屏旗艦X200s。這款被用戶譽為“最強蘋替”的手機(jī)，一上市就引爆了市場熱情——預(yù)售首日銷量直接沖到上一代同期的277%，多種時尚配色機(jī)型更是一機(jī)難求。當(dāng)人們津津樂道它果味十足的設(shè)計、天璣9400+的強悍性能，或是打破iOS/安卓壁壘的“破壁流轉(zhuǎn)”功能時，我們也想知道在這些耀眼的標(biāo)簽之下，X200s的“內(nèi)功”修煉到了何種境界？今天，我們就親手拆開這臺現(xiàn)象級旗艦，一探它火爆銷量背后的硬核構(gòu)成。
vivo X200s采用直屏設(shè)計，機(jī)身纖薄，僅7.99mm，屏幕尺寸為6.67英寸，握感舒適。背面則采用了簡潔的“餅干頭”鏡頭DECO設(shè)計，搭配滾花對焦紋理；后蓋采用玻璃材質(zhì)，經(jīng)過AG磨砂工藝處理，手感順滑。手機(jī)外觀外觀簡潔大方，整機(jī)一體感強。
下面開始拆解，關(guān)機(jī)后，取出SIM卡托。
對后蓋進(jìn)行加熱，使用薄撬片，撬開手機(jī)后蓋。
DECO內(nèi)側(cè)是黑色塑料內(nèi)襯，通過螺絲和粘膠固定。三顆鏡頭外沿設(shè)緩沖泡棉圈，主攝開孔內(nèi)增加泡棉膠，提高密閉性。副板對應(yīng)位置有3塊長條形緩沖泡棉。
主攝周圍有NFC線圈，右上角雙LED閃光燈，中間黑色方塊是環(huán)境光傳感器。長焦鏡頭下方有激光對焦和Flicker防閃爍傳感器（激光對焦外有橡膠套）。三顆攝像頭都有金屬防滾架，蓋板有限位框固定。左側(cè)黃色FPC對應(yīng)電源鍵，左下黑色FPC對應(yīng)無線充電線圈，右下白色同軸線連接副板。電池倉有大塊散熱膜，覆蓋無線充電線圈、主板和底部揚聲器。
接下來看看X200s搭載前后四攝：
主攝：5000萬像素，索尼IMX921，OIS光學(xué)防抖，蔡司T鍍膜，f/1.57光圈
長焦：5000萬像素，索尼IMX882，蔡司T鍍膜，f/2.57光圈
前置：3200萬像素
超廣角：5000萬像素，三星JN1，等效15mm焦距，f/2.0光圈
右上角的圓孔，對應(yīng)降噪麥克風(fēng)。大部分屏蔽罩上都貼有銅箔，核心區(qū)外沿一圈薄泡棉。
撕開所有銅箔，拆開屏蔽罩，清理散熱材料，我們就能清晰的看到這款手機(jī)使用的絕大部分芯片：
在芯片中，除了聯(lián)發(fā)科、三星等常見芯片供應(yīng)商。我們也看到了慧智微、南芯、易沖等國產(chǎn)芯片供應(yīng)商的身影。
其中國產(chǎn)芯片中最大的一顆是慧智微提供的是S55051 Phase8L NSA L-PAMiD射頻前端模組芯片，這是一顆覆蓋Sub-3GHz全頻段的高集成射頻前端模組芯片，也是拆機(jī)中第一次見到國產(chǎn)廠商可以提供類似的芯片。
另一家科創(chuàng)板上市公司南芯科技為X200s提供了兩顆充電芯片SC8550，在過往手機(jī)拆機(jī)中，也已經(jīng)看到過多次南芯科技充電芯片的身影。
無線充電IC則由來自成都的易沖半導(dǎo)體提供。根據(jù)官網(wǎng)顯示，CPS4041是一款高效、符合Qi標(biāo)準(zhǔn)的單芯片無線充電TRx。它在Rx模式下支持高達(dá)60W(最大3A)的容量，在Tx模式下支持高達(dá)20W的容量，特別適用于手機(jī)和便攜式設(shè)備應(yīng)用。
另外在芯片中，我們也找到了vivo自研影像芯片V3的身影。自研影像芯片可通過與SoC芯片的配合，為vivo X200s手機(jī)實現(xiàn)更好的成像效果。
下面是整理出的一些芯片：
再來看看下方，麥克風(fēng)在中間，外面有一層金屬罩。USB接口尾端做了封膠處理，外沿包裹有紅色防塵防水橡膠。
振動單元粘在框架上，來自瑞聲科技，采用0809規(guī)格。
指紋模組在屏幕和中框之間，X200s采用的是超薄屏幕指紋方案?？蚣苌嫌幸惶庣U空，露出的芯片就是觸控IC，它來自新思科技，型號為S3905。
左側(cè)上下有兩塊金屬導(dǎo)電泡棉對應(yīng)降噪麥克風(fēng)。方形鏤空對應(yīng)前置環(huán)境光等感應(yīng)器，內(nèi)部有緩沖泡棉。揚聲器區(qū)域：有不規(guī)則泡棉，緩沖和提升音質(zhì)，防止漏音。左側(cè)中間4個觸點對應(yīng)電源鍵和音量鍵。主攝和長焦鏡頭有CNC限位角固定。長焦鏡頭及主板核心區(qū)下方有大面積鏤空，露出VC均熱板。
采用單電芯雙接口方案，電池為新一代藍(lán)海電池，容量達(dá)到6200mAh。X200s支持90W有線快充，并且支持40W無線快充。
到這里，vivo X200s的拆解就基本完成了。
這款手機(jī)延續(xù)了vivo X200的設(shè)計，整體風(fēng)格更加簡約，平整的玻璃后蓋搭配多彩的配色，顏值升級經(jīng)過對 vivo X200s 的拆解，其內(nèi)部展現(xiàn)的精工細(xì)作也令人印象深刻。布局精密、工藝考究，散熱系統(tǒng)也相當(dāng)扎實，可以說是細(xì)節(jié)處理誠意滿滿的一部手機(jī)。
在電池和芯片使用上，X200s不僅使用6200mAh容量的新一代藍(lán)海電池，還使用了vivo自研V3影像芯片、聯(lián)發(fā)科最新天璣9400+處理器芯片、最新Phase8L NSA L-PAMiD高集成射頻模組芯片等，共同支撐起手機(jī)的卓越體驗以及緊湊布局。X200s的內(nèi)部元器件的使用，也完美對得起這款手機(jī)的旗艦定位。
2.從High-NA到Hyper-NA，ASML光刻技術(shù)如何突破物理極限？
荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備龍頭ASML在極紫外（EUV）光刻領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，該技術(shù)是生產(chǎn)尖端半導(dǎo)體芯片的關(guān)鍵。隨著行業(yè)為推動人工智能、5G和下一代計算技術(shù)而不斷追求更小制程節(jié)點，問題隨之而來：ASML的EUV技術(shù)還能走多遠(yuǎn)？
市場主導(dǎo)與技術(shù)壟斷并存
根據(jù)Research and Markets、Future Market Insights及路透社的數(shù)據(jù)，ASML控制著全球75%-80%的EUV光刻設(shè)備市場，其技術(shù)無競爭對手能及。該公司為臺積電、三星電子和英特爾等所有主要芯片制造商供貨，實際壟斷了EUV系統(tǒng)領(lǐng)域——這一業(yè)務(wù)板塊為其創(chuàng)造了近四分之一的總收入。
2025年第一季度，ASML凈銷售額達(dá)77億歐元（約合89億美元），毛利率為54%，積壓訂單達(dá)39億歐元。由于對EUV系統(tǒng)的強勁需求和對深紫外工具日益增長的興趣，其全年銷售額預(yù)計將達(dá)到300至350億歐元。
技術(shù)路線圖：從標(biāo)準(zhǔn)EUV到高數(shù)值孔徑（High-NA）及更前沿
標(biāo)準(zhǔn)EUV（0.33NA）
自2016年推出以來，ASML的0.33NA EUV系統(tǒng)（使用13.5nm光源）已實現(xiàn)2nm制程節(jié)點，相比193nm浸沒式光刻可減少多重曝光步驟。其優(yōu)勢在于：分辨率提升、良率提高、工藝簡化。
High-NA EUV （0.5 NA）
ASML的High-NA EUV系統(tǒng)（0.5NA）目標(biāo)是在2029年前實現(xiàn)1nm級制程的生產(chǎn)。據(jù)Tech in Asia和TrendForce集邦咨詢報道，英特爾計劃將其用于14A節(jié)點，但臺積電因成本和復(fù)雜度問題，在A16/A14節(jié)點中選擇放棄采用該技術(shù)。
High-NA EUV需要在光學(xué)、激光和晶圓系統(tǒng)等方面實現(xiàn)重大突破。其更小的視場和淺景深要求配備新型光刻膠、超平坦晶圓以及重新設(shè)計的掩膜臺。
Hyper-NA EUV（超高數(shù)值孔徑EUV）（0.75 NA）及前景
ASML正研發(fā)0.75NA的Hyper-NA EUV系統(tǒng)，目標(biāo)是在2030年代初實現(xiàn)0.5nm以下制程。但技術(shù)障礙巨大，例如需要制造具有原子級精度的米級反射鏡，以及需要管理復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)。
ASML技術(shù)高級副總裁Jos Benschop指出，盡管高數(shù)值孔徑和超高數(shù)值孔徑技術(shù)可能延續(xù)摩爾定律，但量子隧穿效應(yīng)和原子間距等物理極限，可能在本世紀(jì)中葉前制約技術(shù)進(jìn)步。
戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系：創(chuàng)新的支柱
ASML的創(chuàng)新引擎依賴于與關(guān)鍵企業(yè)的深度合作：
卡爾蔡司SMT（Carl Zeiss SMT）
自2016年ASML收購其24.9%的股份以來，雙方始終保持緊密合作。蔡司生產(chǎn)的多層反射光學(xué)系統(tǒng)對高數(shù)值孔徑（High-NA）和超高數(shù)值孔徑（Hyper-NA）系統(tǒng)至關(guān)重要。蔡司可制造具有原子級精度的米級反射鏡和高反射率涂層（反射率約71%）。
阿姆斯特丹先進(jìn)計量與光刻研究所（ARCNL）
作為部分由ASML資助的機(jī)構(gòu)，ARCNL專注于極紫外（EUV）光源、涂層技術(shù)及納米級計量技術(shù)研究。這種合作模式效仿了飛利浦的NatLab模式，將基礎(chǔ)科學(xué)與商業(yè)創(chuàng)新相結(jié)合。
這些合作伙伴關(guān)系構(gòu)建了高壁壘的創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)，為ASML持續(xù)保持技術(shù)領(lǐng)先奠定了基礎(chǔ)。
EUV光源：功率瓶頸與替代方案
ASML的EUV設(shè)備依賴于激光產(chǎn)生的等離子體（LPP）光源，使用30kW的CO2激光器在真空中以每秒50,000滴的速度撞擊錫液滴，產(chǎn)生13.5nm的EUV光。功率已從2015年的100W提升至如今的500W，但由于鏡面能量損失和等離子體不穩(wěn)定，規(guī)模化仍然困難重重。
美國、中國和日本的研究團(tuán)隊正在探索自由電子激光器（FEL）EUV光源，其優(yōu)勢在于波長可調(diào)且功率更高。然而，由于依賴大型加速器，它們對大多數(shù)晶圓廠來說缺乏實用性。ASML因尺寸和可靠性問題放棄了FEL的開發(fā)，但像Xlight這樣的初創(chuàng)公司計劃在2028年前集采用FEL光源。
對面臨ASML設(shè)備出口限制的中國而言，EUV-FEL技術(shù)可能成為獲取先進(jìn)光刻能力的戰(zhàn)略性替代方案。
人工智能與互聯(lián)技術(shù)推動市場增長
受人工智能、云服務(wù)、5G及汽車技術(shù)等領(lǐng)域芯片需求激增的推動，全球EUV光刻市場規(guī)模預(yù)計將從2025年的115億美元增長至2030年的近200億美元。
ASML的頂級客戶臺積電、三星和英特爾均為全球芯片資本支出規(guī)模最大的企業(yè)，持續(xù)支撐著對EUV系統(tǒng)的需求。5G網(wǎng)絡(luò)的普及以聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的激增（全球預(yù)計達(dá)400億臺），進(jìn)一步提升了對先進(jìn)芯片制造的需求。
ASML的目標(biāo)是到2025年將EUV設(shè)備產(chǎn)量翻倍，實現(xiàn)每年70臺的出貨量，并計劃擴(kuò)招20%的員工以滿足不斷增長的市場需求。
挑戰(zhàn)與物理極限
根據(jù)新浪、ICsmart、GuruFocus和Eightify等平臺的信息，盡管ASML占據(jù)領(lǐng)先地位，但其仍面臨重大挑戰(zhàn)。
技術(shù)障礙對高數(shù)值孔徑和超高數(shù)值孔徑系統(tǒng)構(gòu)成困擾，這些技術(shù)要求在光學(xué)元件、掩膜和光刻膠領(lǐng)域達(dá)到極高精度。
成本高企使問題雪上加霜，每臺High-NA設(shè)備成本超過4億美元，而更小的視場又讓設(shè)計和制造流程更為復(fù)雜。
由于量子效應(yīng)和原子尺度間距可能會阻礙晶體管尺寸縮小到1nm以下，因此物理極限顯得十分重要。
地緣政治緊張局勢進(jìn)一步加劇了局勢的復(fù)雜性，因為出口禁令（尤其是對中國的出口禁令）擾亂了供應(yīng)鏈并加速了競爭對手的技術(shù)發(fā)展。
更廣泛的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)影響
ASML的EUV系統(tǒng)不僅簡化了光刻步驟，提高了良率并降低了成本，還通過集中需求于超先進(jìn)設(shè)備，重塑了設(shè)備市場格局。其主導(dǎo)地位創(chuàng)造了極高的進(jìn)入壁壘，鞏固了其在全球芯片供應(yīng)鏈中的核心地位。
ASML擁有龐大的全球供應(yīng)網(wǎng)絡(luò)和每年40億歐元的研發(fā)投入，彰顯了其無與倫比的規(guī)模和影響力。
ASML的EUV征程還要走多久？
ASML的EUV技術(shù)重塑了芯片制造業(yè)，并且很可能在未來至少10到20年內(nèi)保持關(guān)鍵地位。在光學(xué)、光源和材料方面的持續(xù)進(jìn)步可能會在本世紀(jì)30年代初實現(xiàn)1nm甚至更小的節(jié)點。
但物理和成本限制最終將減緩規(guī)?；l(fā)展，從而促使人們轉(zhuǎn)向先進(jìn)的封裝和新材料。
憑借無可匹敵的市場份額、與蔡司和ARCNL等關(guān)鍵伙伴的合作，以及持續(xù)不斷的創(chuàng)新，ASML仍將是行業(yè)的主導(dǎo)力量，直至硅基材料與光學(xué)技術(shù)觸及物理極限。
參考鏈接：https://www.digitimes.com/news/a20250616VL203/asml-euv-high-na-dutch-equipment.html
3.高通Vinesh Sukumar博士：AI發(fā)展重心正向邊緣終端轉(zhuǎn)移
6月18日，GSMA 2025 MWC上海正式拉開帷幕。在大會首日舉辦的“代理式人工智能峰會”上，高通技術(shù)公司AI/生成式AI產(chǎn)品管理副總裁Vinesh Sukumar博士發(fā)表主題演講，分享了對于AI發(fā)展新趨勢的看法。
Vinesh Sukumar博士指出，AI發(fā)展正在進(jìn)入全新階段，AI發(fā)展重心正在向邊緣終端轉(zhuǎn)移。當(dāng)前，AI正在向智能體AI領(lǐng)域轉(zhuǎn)型，高通相信AI將成為新的UI，并覆蓋廣泛終端。與此同時，為實現(xiàn)這一愿景，高通公司已經(jīng)構(gòu)建了覆蓋廣泛邊緣終端的硬件和軟件技術(shù)，為智能體AI體驗在終端側(cè)的發(fā)展打造了堅實基礎(chǔ)。
縱觀AI的發(fā)展歷程，早期AI技術(shù)主要集中在分割、檢測、分類、圖像增強等感知AI領(lǐng)域，為賦能智能手機(jī)體驗奠定了基礎(chǔ)。但隨著時間的推移，上述體驗也在快速進(jìn)行演變，類似技術(shù)擴(kuò)展到了汽車、PC等市場，以及XR和工業(yè)網(wǎng)絡(luò)等新興領(lǐng)域。
在這些領(lǐng)域中，行業(yè)探討的重點從感知數(shù)據(jù)到多模態(tài)數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)變，多模態(tài)數(shù)據(jù)可以是文本、圖像或視頻形式，且全部都基于提示（prompt）生成。將這些技術(shù)匹配到不同的應(yīng)用賽道上，從而幫助在生產(chǎn)力、游戲甚至內(nèi)容生成領(lǐng)域打造全新的用戶體驗。而高通正在將這些知識積累應(yīng)用到所有相關(guān)領(lǐng)域。
Vinesh Sukumar博士強調(diào)，高通非常重視生成式AI和智能體AI，是最早展示大模型可以完全在邊緣運行的芯片平臺廠商之一。
對于AI未來的發(fā)展方向，Vinesh Sukumar博士表示，高通非常重視與眾多的模型開發(fā)者合作，致力于推動大型基礎(chǔ)模型向更加垂直行業(yè)或任務(wù)專用型模型轉(zhuǎn)變，并助力實現(xiàn)邊緣終端運行。這些行業(yè)專用模型可能會非常龐大，參數(shù)量可能達(dá)到70-100億，高通已經(jīng)開始推動這些模型在不同形態(tài)的終端上運行。
“在模型領(lǐng)域，過去人們通常認(rèn)為更大的模型意味著更好的質(zhì)量，但縱觀大模型的發(fā)展過程，從通義千問、Meta、Google或微軟推出的模型中可以看出，小模型的質(zhì)量正在快速提升并追趕大模型的能力。以模型智能指數(shù)對比為例，眾多的小語言模型（SLM）已經(jīng)達(dá)到了Llama 3 700億參數(shù)大模型的水平?！盫inesh Sukumar博士說。
為何邊緣模型正在變得愈發(fā)重要和關(guān)鍵？Vinesh Sukumar博士指出，這是因為它們能夠在生產(chǎn)力或內(nèi)容創(chuàng)作領(lǐng)域為用戶提供豐富的體驗。過去，模型會面臨如何真正實現(xiàn)終端側(cè)部署的挑戰(zhàn)。針對這一挑戰(zhàn)，高通提供了高通AI軟件棧，能夠支持模型完全在邊緣平臺部署。高通始終致力于為包括開發(fā)者在內(nèi)的生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴提供機(jī)會，讓應(yīng)用能夠?qū)崿F(xiàn)云端訓(xùn)練，并在高通平臺賦能的終端上運行。
在過去的12到18個月里，高通在邊緣AI領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了諸多關(guān)鍵用例的商業(yè)化應(yīng)用，每年賦能大約200到300個AI應(yīng)用。在過去的12個月里，高通更加重視生成式AI領(lǐng)域。在消費領(lǐng)域，邊緣AI已經(jīng)能夠支持內(nèi)容創(chuàng)作、照片編輯、圖像修復(fù)、圖像擴(kuò)展等諸多應(yīng)用；在企業(yè)領(lǐng)域，包括代碼生成等更多應(yīng)用。
“在過去，生成式AI已經(jīng)帶來了諸多助力，但其僅支持單一模態(tài)?，F(xiàn)在，我們正在向所謂的智能體AI領(lǐng)域轉(zhuǎn)型。我們相信，AI將成為新的UI（用戶界面），并覆蓋廣泛終端。”Vinesh Sukumar博士表示。
那么，如何實現(xiàn)這一目標(biāo)？Vinesh Sukumar博士指出，首先取決于期望打造什么樣的用戶體驗。為此，高通致力于融合多種數(shù)據(jù)模態(tài)。這些數(shù)據(jù)模態(tài)可能基于圖像、音頻、文本、語音甚至視頻?；谶@些模態(tài)支持，可以理解用戶意圖，并匹配連接多個應(yīng)用以調(diào)用AI處理能力，從而滿足用戶需求。這催生了AI智能體概念。智能體AI側(cè)重于解讀需求并采取行動，從而走向自動化。雖然實現(xiàn)智能體體驗頗具挑戰(zhàn)性，但高通正在不斷強化基礎(chǔ)技術(shù)構(gòu)建，為這些智能體AI用例筑牢根基。
“我們可以推動包括娛樂、電商、禮賓服務(wù)、地圖導(dǎo)航甚至音樂等多種領(lǐng)域的智能體AI用例發(fā)展。為了實現(xiàn)這些目標(biāo)，需要廣泛的邊緣側(cè)布局，能夠理解用戶需求且將其轉(zhuǎn)化為恰當(dāng)操作的強大軟件棧。”Vinesh Sukumar博士說。
據(jù)Vinesh Sukumar博士介紹，在將用戶意圖轉(zhuǎn)化為恰當(dāng)?shù)牟僮鲿r，總會出現(xiàn)某一設(shè)備可能無法回答或響應(yīng)用戶查詢（query）的情況。這時如果用戶需要進(jìn)行設(shè)備間通信，可以通過高通AI軟件棧來實現(xiàn)。高通的產(chǎn)品覆蓋廣泛的邊緣終端，涵蓋從手機(jī)到PC、XR等多種產(chǎn)品形態(tài)，因此這對高通而言來說更容易。此外，憑借在這些終端上收集到的海量用戶數(shù)據(jù)，也能更成功地解讀用戶意圖并采取行動。
Vinesh Sukumar博士還指出，智能體AI在進(jìn)行商用部署時也面臨許多挑戰(zhàn)，比如智能體AI的準(zhǔn)確性、可預(yù)測性、一致性表現(xiàn)，否能夠精準(zhǔn)匹配用戶需求等。為此，擁有必要的軟件棧支持至關(guān)重要。而高通AI軟件棧非常強大，經(jīng)過長期技術(shù)積累，可以支持針對特定任務(wù)的多種小語言模型。
其次，要實現(xiàn)更好的服務(wù)質(zhì)量意味著當(dāng)用戶提出特定提示（prompt）時，AI能夠以最快速度響應(yīng)，這需要在硬件方面大力投入。為實現(xiàn)這一目標(biāo)，高通打造了CPU、GPU等通用計算單元，以及Hexagon NPU這樣的專用加速器。
最后是如何實現(xiàn)規(guī)?；瘮U(kuò)展，為開發(fā)者社區(qū)提供靈活性。這一關(guān)鍵在于提供必要的工具和軟件支持，使開發(fā)者可以更輕松適應(yīng)不同的環(huán)境和情況。
“而我們已經(jīng)為這些需求打造了技術(shù)基礎(chǔ)設(shè)施。各位將在未來6個月內(nèi)，看到更多來自高通的發(fā)布，將助力推出更豐富的面向消費者的應(yīng)用?！盫inesh Sukumar博士說。
此外，在向AI推理時代邁進(jìn)之時，會面臨邊緣平臺因性能受限而無法解決用戶查詢（query）的問題。在這種情況下，如何確保用戶體驗不受影響？
Vinesh Sukumar博士表示，高通已經(jīng)將邊緣推理進(jìn)行了跨多個終端的分布式部署。如果某些查詢無法通過終端側(cè)算力解決，就轉(zhuǎn)而使用基于高通平臺的本地邊緣服務(wù)器來繼續(xù)查看、理解和回答查詢；如果本地邊緣平臺無法解決，AI會獲取用戶的上下文信息，然后將任務(wù)轉(zhuǎn)移到中央云子系統(tǒng)，根據(jù)用戶的個人知識圖譜來處理查詢，然后給出更合理的回復(fù)。
4.甬矽電子H1營收為19億元-21億元，同比預(yù)增16.6%到28.88%
6月18日，甬矽電子發(fā)布2025年上半年度主要經(jīng)營數(shù)據(jù)為初步核算數(shù)據(jù)，預(yù)計2025年半年度實現(xiàn)營業(yè)收入190,000萬元到210,000萬元，較上年同期增長16.6%到28.88%。
關(guān)于H1業(yè)績與增大原因，甬矽電子說明如下：
1、2025上半年，隨著全球終端消費市場出現(xiàn)回暖，集成電路行業(yè)景氣度明顯回升，在AI“創(chuàng)新驅(qū)動”的周期下，新應(yīng)用場景滲透率提升，下游需求穩(wěn)健增長。
2、公司核心客戶群競爭力持續(xù)增強，市場份額逐步提升，公司伴隨客戶一同成長；此外，公司客戶結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化，海外大客戶拓展、部分原有客戶的份額提升使得公司營收規(guī)模持續(xù)增長。
3、公司晶圓級封裝、汽車電子等產(chǎn)品線持續(xù)豐富，“Bumping+CP+FC+FT”的一站式交付能力不斷提升；先進(jìn)封裝產(chǎn)品線稼動率持續(xù)上升，成熟產(chǎn)品線稼動率飽滿，整體稼動率穩(wěn)中向好。上述因素共同導(dǎo)致2025年上半年公司營業(yè)收入實現(xiàn)同比增長。
5.國芯科技抗量子密碼卡新產(chǎn)品內(nèi)測成功，已向多家客戶送樣
6月18日，國芯科技發(fā)布公告稱，公司研發(fā)的抗量子密碼卡新產(chǎn)品CCUPHPQ01于近日在公司內(nèi)部測試中獲得成功。
國芯科技研制的抗量子密碼卡CCUPHPQ01是一款基于抗量子密碼算法與經(jīng)典國密算法相結(jié)合，以公司自主設(shè)計研發(fā)的CCP1080T安全芯片為主控芯片，外加一顆國產(chǎn)FPGA芯片而設(shè)計完成的高性能密碼安全產(chǎn)品。
該產(chǎn)品遵循國家密碼管理局關(guān)于密碼模塊、PCIe密碼卡等相關(guān)技術(shù)規(guī)范，支持SM1、SM2、SM3、SM4等國密算法，同時支持主流的抗量子密碼算法，如Kyber512/Kyber768/Kyber1024加密算法、Dilithium2/Dilithium3/Dilithium5數(shù)字簽名算法等，其中：抗量子密碼算法Kyber512密鑰生成速度達(dá)到2700次/s，加密速度達(dá)到2300次/s，解密速度可達(dá)到1800次/s；Dilithium2算法密鑰生成速度達(dá)到860次/s，簽名速度達(dá)到190次/s，驗簽速度達(dá)到600次/s。
該產(chǎn)品支持抗量子密碼算法更新，能夠很好地跟進(jìn)抗量子密碼算法的迭代及標(biāo)準(zhǔn)化推進(jìn)過程。該新產(chǎn)品的隨機(jī)源采用CQWNG10量子隨機(jī)數(shù)芯片，該隨機(jī)數(shù)芯片的隨機(jī)性源自于量子物理原理，并可采用物理熵理論嚴(yán)格證明其隨機(jī)性，具有更高的安全性和更快的隨機(jī)數(shù)生成速度。
該抗量子密碼卡新產(chǎn)品可以同時支持抗量子密碼算法和傳統(tǒng)密碼算法應(yīng)用，采用抗量子密碼卡的安全產(chǎn)品或設(shè)備可以通過抗量子密碼算法和傳統(tǒng)密碼算法共存方式，逐步進(jìn)行抗量子密碼算法應(yīng)用遷移，在保障原有業(yè)務(wù)不受影響的情況下開展抗量子密碼算法在新業(yè)務(wù)中應(yīng)用，既滿足現(xiàn)有業(yè)務(wù)系統(tǒng)密碼應(yīng)用，又能有效抵御量子計算攻擊，進(jìn)而增強了安全產(chǎn)品或設(shè)備抗量子計算攻擊的能力。
該抗量子密碼卡新產(chǎn)品能夠為各類安全平臺提供多線程、多進(jìn)程處理的高速密碼運算服務(wù)，滿足其對數(shù)字簽名/驗證、非對稱/對稱加解密、數(shù)據(jù)完整性校驗、真隨機(jī)數(shù)生成、密鑰生成和管理等功能的要求，保證敏感數(shù)據(jù)的安全性、真實性、完整性和抗抵賴性。該抗量子密碼卡產(chǎn)品可以適配龍芯、飛騰、海光等主流平臺，支持UOS、麒麟、Linux等主流操作系統(tǒng)，可廣泛應(yīng)用于簽名/驗證服務(wù)器、安全網(wǎng)關(guān)/防火墻等安全設(shè)備以及安全數(shù)據(jù)傳輸、可信計算等領(lǐng)域，可廣泛應(yīng)用于金融、通信、電力、物聯(lián)網(wǎng)等有高安全要求的信息安全設(shè)備中。
另據(jù)介紹，目前國芯科技已向多家客戶送樣，多家客戶已在基于抗量子密碼卡新產(chǎn)品CCUPHPQ01進(jìn)行信息安全產(chǎn)品的應(yīng)用開發(fā)。
6.存儲界新風(fēng)暴！順絡(luò)新型鉭電容助力eSSD斷電數(shù)據(jù)保護(hù)
圖片來自順絡(luò)內(nèi)部
eSSD介紹
eSSD是企業(yè)級固態(tài)硬盤（Enterprise Solid State Drive）的縮寫，是面向企業(yè)級應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心環(huán)境設(shè)計的存儲設(shè)備，旨在滿足企業(yè)對數(shù)據(jù)存儲在性能、可靠性、可擴(kuò)展性和管理性等方面的嚴(yán)格要求。相較于消費級SSD，eSSD具有更高的讀寫速度，更低的延遲，更大的存儲容量以及更高的可靠性，并且具有斷電保護(hù)功能。
為實現(xiàn)其斷電保護(hù)功能，eSSD通常會配備大容量的電容。在正常供電時，電容會充電儲能。當(dāng)檢測到斷電瞬間，電容釋放儲存的電能，為控制器和閃存芯片提供短暫的電力，使控制器有足夠時間將緩存中尚未寫入閃存的數(shù)據(jù)安全寫入，避免數(shù)據(jù)丟失。
產(chǎn)業(yè)背景
當(dāng)前用于eSSD斷電保護(hù)的電容有液態(tài)鋁電解電容、固體聚合物鉭電容以及超級電容。但隨著eSSD朝著更高密度存儲、更快讀寫速度、更小體積的方向演進(jìn)，系統(tǒng)對儲能電容提出了更高的要求：
①更大的電容量，以滿足毫秒級甚至更長時間的供電要求。以20W功率的eSSD為例，要滿足10ms以上的供電時間，則需要總電容量500μF，且再留50%~100%的余量，即750μF~1000μF。若要達(dá)到1000μF，使用47μF的電容需要22pcs，但使用100μF的電容則僅需10pcs,數(shù)量減少55%。
②更高的體積利用率，適合eSSD高存儲密度需求，滿足高密度貼裝，在相同功率下進(jìn)一步薄型化。例如E3.S（2U short）eSSD在同樣的功率40W下高度從16.8mm進(jìn)一步降低至7.5mm，對應(yīng)電容的高度則會限制到1.5mm以下；
③在較寬的溫度范圍內(nèi)保持性能穩(wěn)定，大部分eSSD工作溫度范圍需達(dá)到-40℃~85℃，電容則需要在更寬的溫度范圍內(nèi)保持性能穩(wěn)定（-55℃~125℃）；
Sunlord針對上述痛點需求，推出高性能聚合物鉭電容TP系列，實現(xiàn)eSSD更加可靠的斷電保護(hù)。
產(chǎn)品優(yōu)勢
與目前eSSD使用的液態(tài)鋁電解電容相比，Sunlord新型固體聚合物鉭電容器TP系列具有如下優(yōu)點：
更大電容量
①高介電常數(shù)
鉭電容的介質(zhì)是五氧化二鉭（Ta?O?），其介電常數(shù)（ε）遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)電容材料（如鋁電解電容的氧化鋁介電常數(shù)約8～10，而Ta?O?可達(dá)27～30）。
②超薄介質(zhì)層
鉭電容的介質(zhì)層通過陽極氧化工藝形成，厚度可控制在微米級（如1～5μm），遠(yuǎn)薄于鋁電解電容的介質(zhì)層（通常10～20μm）。
根據(jù)電容公式
其中C為電容，ε為介電常數(shù)，S為極板面積，d為介質(zhì)厚度，上述固態(tài)聚合物鉭電容對比液態(tài)鋁電解電容分別實現(xiàn)了ε的提高和d的減小，綜合提升單位體積的電容量。
更小尺寸、更低高度
①高密度結(jié)構(gòu)
固態(tài)聚合物鉭電容使用導(dǎo)電聚合物作為電解質(zhì)，相比液態(tài)電解質(zhì)，其結(jié)構(gòu)更緊湊，可填充到鉭粉的細(xì)微孔隙中，減少空隙。此外，固態(tài)電解質(zhì)無需預(yù)留膨脹空間，封裝體積利用率更高，間接提升單位體積的容量，使得電容尺寸得以減小。
②小型化、低背化
將同電性的Sunlord固態(tài)聚合物鉭電容與常規(guī)液態(tài)鋁電解電容對比：
圖片來自順絡(luò)內(nèi)部
更高可靠性
①電解質(zhì)穩(wěn)定
固態(tài)導(dǎo)電聚合物電解質(zhì)，不存在液態(tài)電解液干涸、泄漏或揮發(fā)的問題，長期使用不易因電解質(zhì)劣化導(dǎo)致性能下降。
②使用溫度范圍廣
固態(tài)聚合物鉭電容可以在很寬的溫度范圍內(nèi)工作，即使是惡劣環(huán)境中也能使用。
圖片來自順絡(luò)內(nèi)部
③耐壓特性優(yōu)
聚合物電解質(zhì)導(dǎo)電均勻性好，即使在高電壓或瞬態(tài)過載情況下，也能保持穩(wěn)定的介電性能。
圖片來自順絡(luò)內(nèi)部
與傳統(tǒng)Frame結(jié)構(gòu)鉭電容相比，Sunlord新型固體聚合物鉭電容器TP系列具有如下優(yōu)點：
高體積利用率
Sunlord新型鉭電容通過結(jié)構(gòu)設(shè)計實現(xiàn)體積利用率提升25%。在相同封裝體積內(nèi)，新結(jié)構(gòu)增加了鉭芯長度，提高鉭粉裝粉量。根據(jù)公式CV=比容*粉重，當(dāng)比容一定時，粉重提升相當(dāng)于C值（電容值）和V值（額定電壓）提高，并且可以在相同電性下實現(xiàn)更小尺寸和更低高度。
圖片來自順絡(luò)內(nèi)部
全密封結(jié)構(gòu)
傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)Frame金屬端子與塑封料的熱膨脹系數(shù)(CTE)差異大，導(dǎo)致之間有縫隙，水汽容易滲入導(dǎo)致漏電流增大而失效。新結(jié)構(gòu)采用PCB代替Frame，與塑封料的熱膨脹系數(shù)接近且結(jié)合性好，防潮性更高。新型鉭電容可通過額定電壓下1000h+的雙85實驗（溫度85℃，濕度85%）考核。
圖片來自順絡(luò)內(nèi)部
型號推薦
圖片來自順絡(luò)內(nèi)部
