天眼查顯示，泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司“一種低反向恢復(fù)干擾平面柵VDMOS及其制備方法”專(zhuān)利公布，申請(qǐng)公布日為2025年3月14日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN119630038A。 

本發(fā)明提供了一種低反向恢復(fù)干擾平面柵VDMOS及其制備方法，在設(shè)有漏極金屬層的碳化硅襯底上方形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，對(duì)碳化硅襯底進(jìn)行離子注入，形成多個(gè)緩沖區(qū)；去除阻擋層，在碳化硅襯底上外延生長(zhǎng)，形成漂移層；在漂移層上方形成阻擋層，刻蝕，離子注入，形成變摻雜區(qū)、P型阱區(qū)、P型源區(qū)及N型源區(qū)；重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，淀積形成柵介質(zhì)層；重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，淀積金屬，形成柵極金屬層；重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，淀積金屬，形成源極金屬層，去除阻擋層，完成制備，在器件內(nèi)部構(gòu)建了緩沖區(qū)，可以有效降低器件的反向恢復(fù)過(guò)沖的上升沿，降低器件的對(duì)外干擾。