三星電子DS部門負責(zé)人全永鉉最近訪問了英偉達總部，討論為GB300 Blackwell Ultra供應(yīng)12層高帶寬內(nèi)存（HBM3E）。

據(jù)報道，全永鉉上周訪問了硅谷，與英偉達雙方就12層HBM3E芯片的質(zhì)量認證和明年的供應(yīng)可能性進行了具體討論。

一位知情人士透露：“三星強調(diào)，其基于第四代10納米級DRAM（1a）的12層HBM3E存儲器的質(zhì)量并不遜色于競爭對手，并討論了Blackwell Ultra的供貨可能性，Blackwell Ultra將于明年量產(chǎn)。” 該消息人士補充道：“三星電子內(nèi)部期待著積極的成果，因為其質(zhì)量在數(shù)值上并不遜色，而且他們已經(jīng)與包括AMD在內(nèi)的其他公司達成了供貨協(xié)議?！?/p>

近日，三星電子正式宣布為AMD的人工智能加速器MI350X系列提供12層HBM3E。隨著MI350X系列表現(xiàn)出超出預(yù)期的性能，市場對AMD性能的期待值不斷提升，而對三星電子12層HBM3E的疑慮也逐漸消散。因此，三星電子越來越相信英偉達的質(zhì)量認證只是時間問題，并且其性能不會出現(xiàn)任何缺陷。此舉被解讀為強調(diào)了明年量產(chǎn)的可能性。

英偉達計劃于今年年底開始出貨已投產(chǎn)的Blackwell Ultra。Blackwell Ultra預(yù)計將于明年成為 英偉達的主力人工智能加速器，其12層HBM3E的初始供貨合同已與SK海力士和美光敲定。（校對/趙月）