據(jù)報(bào)道，三星電子7月向英偉達(dá)發(fā)送的第六代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM4）樣品已通過(guò)可靠性測(cè)試，并將于8月底進(jìn)入最后的預(yù)生產(chǎn)階段。如果最終測(cè)試進(jìn)展順利，HBM4最早可能在今年底開(kāi)始量產(chǎn)。

三星電子的HBM4樣品已于7月交付給英偉達(dá)。據(jù)報(bào)道，該樣品已通過(guò)初步原型測(cè)試和質(zhì)量測(cè)試，并將于8月底進(jìn)入“預(yù)生產(chǎn)”階段。一位業(yè)內(nèi)人士表示：“據(jù)我了解，它在包括良率在內(nèi)的質(zhì)量方面獲得了積極評(píng)價(jià)，并且已經(jīng)進(jìn)入預(yù)生產(chǎn)階段?！彼a(bǔ)充道：“如果通過(guò)預(yù)生產(chǎn)階段，它將在11月或12月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?！?/p>

預(yù)生產(chǎn)是半導(dǎo)體量產(chǎn)前的最終驗(yàn)證程序。三星電子7月提供的HBM4原型是“工程樣品”，用于確認(rèn)其功能。預(yù)生產(chǎn)階段將測(cè)試其與客戶圖形處理器（GPU）的兼容性，并驗(yàn)證其在特定溫度條件下是否符合高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。一旦通過(guò)此階段，即可開(kāi)始量產(chǎn)。

HBM4將應(yīng)用于英偉達(dá)的下一代AI加速器“Rubin”。

此外，據(jù)悉，三星電子的12層HBM3E產(chǎn)品也將于8月底通過(guò)英偉達(dá)的質(zhì)量測(cè)試并開(kāi)始交付。

如果三星電子成功向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E和HBM4，預(yù)計(jì)明年AI內(nèi)存市場(chǎng)的格局將發(fā)生重大變化。今年上半年，三星電子在HBM市場(chǎng)的份額從去年同期的41%下降至17%。同期，SK海力士的份額從55%增至62%，美光則從4%增至21%。金融投資業(yè)界預(yù)測(cè)，三星電子明年HBM銷售額的增長(zhǎng)率有望翻一番以上。

為了配合HBM銷售額的擴(kuò)大，三星電子也有可能在美國(guó)進(jìn)行大規(guī)模的追加投資。一種方案是將韓國(guó)平澤工廠的DRAM出口到美國(guó)，并在當(dāng)?shù)剡M(jìn)行HBM封裝，以規(guī)避美國(guó)關(guān)稅。因此，有預(yù)測(cè)稱，三星電子可能在8月25日韓美峰會(huì)前后宣布對(duì)其位于得州泰勒廠進(jìn)行大規(guī)模追加投資的計(jì)劃。

與此同時(shí)，針對(duì)HBM4的供應(yīng)問(wèn)題，三星電子表示：“關(guān)于與客戶相關(guān)的事宜，我們目前還沒(méi)有可以確認(rèn)的信息。”（校對(duì)/趙月）