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盛美上海差異化戰(zhàn)略顯成效:SPM清洗技術(shù)全景解決方案實現(xiàn)關(guān)鍵性能突破,再度引領(lǐng)創(chuàng)新

來源:愛集微 #盛美上海#
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在全球半導(dǎo)體行業(yè)的白熱化競爭態(tài)勢之下,企業(yè)唯有依托核心技術(shù)突破與持續(xù)創(chuàng)新迭代,方能構(gòu)筑差異化競爭優(yōu)勢、搶占市場競爭制高點。作為國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),盛美上海始終秉持著“技術(shù)差異化、產(chǎn)品平臺化、客戶全球化”的發(fā)展戰(zhàn)略持續(xù)構(gòu)建技術(shù)護城河,鑄就產(chǎn)品壁壘,滿足客戶差異化需求?!癆I技術(shù)對芯片的要求越來越高,現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝備技術(shù)還遠遠不能滿足這個需求。這給半導(dǎo)體設(shè)備及材料行業(yè)提出了新的挑戰(zhàn),同時也帶來了巨大的發(fā)展機會?!笔⒚郎虾?偨?jīng)理王堅表示,“客戶的實際訴求始終圍繞‘在滿足先進工藝要求的前提下,最大化成本效益’,如何在性能和成本之間找到一個平衡,半導(dǎo)體設(shè)備商需提供分層技術(shù)方案而非通用產(chǎn)品。因此盛美上海提供了SPM(硫酸過氧化混合物)清洗技術(shù)全景解決方案——兩大平臺(單晶圓中/高溫SPM設(shè)備,Ultra C Tahoe中溫設(shè)備),精準覆蓋先進節(jié)點全場景需求。具體來看,公司的單片中高溫SPM設(shè)備攻克先進技術(shù)極限、混合架構(gòu)(Tahoe)解決了高端市場‘性能與成本不可兼得’的困局?!?/p>

近期公司SPM清洗技術(shù)全景解決方案中的兩款清洗設(shè)備——單晶圓中/高溫SPM設(shè)備和Ultra C Tahoe中溫設(shè)備再次取得重要技術(shù)突破,不僅滿足了客戶的實際需求,更在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域樹立了新的榜樣。

洞察客戶核心訴求 推出SPM清洗技術(shù)全景解決方案

芯片生產(chǎn)對工藝潔凈度、可靠性要求嚴苛,為避免制造過程中產(chǎn)生或接觸微小污染物而影響芯片良率及產(chǎn)品性能,多種制造工序后均需設(shè)置清洗工序。因此,清洗是晶圓加工制造中的重要一環(huán),在單晶硅片制造、光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵制程工藝中均為必要環(huán)節(jié)。隨著工藝節(jié)點不斷演進,晶圓清洗工序頻次和重要性將顯著增加,相應(yīng)設(shè)備的市場占比也將持續(xù)擴大。洞察這一行業(yè)趨勢,盛美上海自創(chuàng)立之初便鎖定清洗設(shè)備這一技術(shù)高地作為重點突破方向,并針對不同行業(yè)客戶的痛點問題推出了全平臺化解決方案。

盛美上海濕法產(chǎn)品部副總裁(VP)張曉燕表示:“從實際應(yīng)用看,客戶痛點本質(zhì)是工藝能力與經(jīng)濟性的精準匹配,具體分兩類場景,先進節(jié)點客戶需滿足顆粒去除能力,晶圓干燥后小尺寸器件結(jié)構(gòu)無坍塌等嚴苛工藝要求,且有SPM超高溫(170℃ SPM)工藝溫度需求;或先進制程中工藝溫度在140℃以下工藝段需求,平衡性能與成本是其最為核心的訴求?!?/p>

因此,盛美上海推出了SPM清洗技術(shù)全景解決方案,精準覆蓋先進節(jié)點全場景需求,滿足不同溫度工藝的核心訴求。

性能指標全面升級 SPM清洗設(shè)備領(lǐng)航技術(shù)創(chuàng)新

不斷精進產(chǎn)品性能是盛美上海的持續(xù)追求,近期公司宣布SPM清洗技術(shù)全景解決方案中的兩款清洗設(shè)備——單晶圓中/高溫SPM設(shè)備和Ultra C Tahoe中溫設(shè)備再次取得性能突破。

單晶圓中/高溫SPM設(shè)備

其中,單晶圓中/高溫SPM設(shè)備的升級主要包括:通過優(yōu)化工藝參數(shù)及設(shè)備結(jié)構(gòu),顯著提升了納米級顆??刂颇芰Γa(chǎn)線大量測試的統(tǒng)計結(jié)果顯示,設(shè)備在26nm顆粒測試中展現(xiàn)了平均顆粒數(shù)為5個的清洗效果,滿足先進制程的嚴苛要求,體現(xiàn)了設(shè)備優(yōu)異的均勻性和穩(wěn)定性,此次升級進一步鞏固了單晶圓高溫SPM設(shè)備在顆??刂颇芰Φ确矫娴念I(lǐng)先優(yōu)勢,適用于邏輯、DRAM和3D-NAND等先進集成電路制造中的濕法清洗和刻蝕工藝。

據(jù)了解,該設(shè)備集成的盛美上海全球?qū)@暾埍Wo技術(shù)包括:獨家SPM噴嘴設(shè)計,可防止SPM液體飛濺到腔體以外,同時控制高溫酸氣不彌漫到腔體以外,以顯著提升顆??刂颇芰ΑkS著先進節(jié)點不斷提出的顆粒去除嚴苛需求,該技術(shù)被期待在17nm,15nm甚至13nm顆粒的去除上有更好表現(xiàn)。據(jù)最新數(shù)據(jù)顯示,該盛美獨家SPM噴嘴設(shè)計與傳統(tǒng)SPM清洗技術(shù)相比,可以免除對腔體外的清洗及干燥維護保養(yǎng)步驟,大幅提高設(shè)備稼動率(uptime)。該腔體還可與盛美上海的專利空間交變相位移(SAPS)和時序能激氣穴震蕩(TEBO)超聲波技術(shù)搭配使用,以提升晶圓清洗效果。

Ultra C Tahoe中溫設(shè)備

盛美上海于2019年宣布推出Ultra C Tahoe中溫清洗設(shè)備,該技術(shù)率先實現(xiàn)將槽式清洗模塊和單片晶圓清洗腔體結(jié)合到同一SPM設(shè)備中,具備更強的清洗性能、更高的產(chǎn)能和更好的工藝靈活性。同時還可大幅減少硫酸使用量,幫助客戶降低生產(chǎn)成本,并且更好地符合節(jié)能環(huán)保的政策。據(jù)盛美上海估算,Ultra C Tahoe中溫清洗設(shè)備可節(jié)省高達75%的硫酸消耗量。

近期,Ultra C Tahoe中溫設(shè)備再次取得重要性能突破,主要包括:該平臺在26nm顆粒測試中展現(xiàn)了平均顆粒數(shù)小于5個的清洗效果,滿足了先進節(jié)點制造的嚴苛要求,適用于高密度邏輯芯片和存儲芯片等應(yīng)用;升級后的25片晶圓的槽式模塊和9個單晶圓腔體使其每小時產(chǎn)能高達180片晶圓,大幅提高清洗效率;不同反應(yīng)腔室間的薄膜厚度差異小于0.1A,確保清洗均勻性,避免因膜厚不均導(dǎo)致芯片性能波動;另外,該清洗設(shè)備擴展了工藝應(yīng)用范圍,可支持3D DRAM芯片、28nm高介電常數(shù)金屬柵極工藝芯片以及邏輯芯片的清洗,能夠滿足存儲芯片和高性能計算(HPC)芯片的需求。目前,升級后的Ultra C Tahoe中溫清洗設(shè)備已成功導(dǎo)入多家領(lǐng)先晶圓廠量產(chǎn)線,同時獲得眾多邏輯器件和存儲器廠商的驗證評估,充分展現(xiàn)了市場對該技術(shù)方案的高度認可與期待。隨著更先進節(jié)點對顆粒去除要求的提升,該款設(shè)備還可升級過濾器粒度,以滿足對17nm、15nm及13nm顆粒的清洗工藝要求。

精準把握前沿市場需求 不斷增加研發(fā)投入

除了Ultra C Tahoe中溫和單晶圓中/高溫SPM兩款清洗設(shè)備,盛美上海緊跟行業(yè)趨勢和市場變化在清洗設(shè)備領(lǐng)域已布局形成SAPS兆聲波清洗設(shè)備、TEBO兆聲波清洗設(shè)備、TAHOE清洗設(shè)備、背面清洗設(shè)備、刷洗設(shè)備、槽式濕法清洗設(shè)備等完整產(chǎn)品線,并通過SAPS、TEBO、Tahoe三大技術(shù)構(gòu)筑起清洗設(shè)備技術(shù)壁壘,覆蓋的清洗步驟已達大約90%~95%。據(jù)Gartner統(tǒng)計,盛美上海在半導(dǎo)體清洗設(shè)備領(lǐng)域,全球市場占有率達8%(位居全球第四)。根據(jù)部分中國廠商統(tǒng)計,盛美上海單片清洗設(shè)備中國市場占有率超30%,在國內(nèi)外全部清洗設(shè)備供應(yīng)商中,中國市場占比位列第二。

作為國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),盛美上海從研發(fā)半導(dǎo)體清洗設(shè)備起步,憑借豐富的技術(shù)和工藝積累,形成了平臺化的半導(dǎo)體工藝設(shè)備布局,包括清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍設(shè)備、立式爐管系列設(shè)備、前道涂膠顯影Track設(shè)備、等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備、面板級先進封裝設(shè)備、后道先進封裝工藝設(shè)備以及硅材料襯底制造工藝設(shè)備等,可覆蓋前道半導(dǎo)體制造、后道先進封裝、硅片制造三大類工藝設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域,致力于為全球集成電路行業(yè)提供先進的設(shè)備及工藝解決方案。

盛美上海不斷迭代升級技術(shù),打造創(chuàng)新產(chǎn)品的背后離不開其持續(xù)的研發(fā)投入以及優(yōu)秀人才隊伍的建設(shè)。公司財報顯示,盛美上海2025年上半年的研發(fā)合計達到5.44億元,同比增長39.47%;研發(fā)投入總額占營業(yè)收入比例達16.67%。

從市場來看,在先進邏輯、存儲器芯片及技術(shù)遷移的持續(xù)推動下,半導(dǎo)體設(shè)備市場將迎來更廣闊的前景,SEMI報告顯示,2025年全球原始設(shè)備制造商(OEM)的半導(dǎo)體制造設(shè)備總銷售額預(yù)計將創(chuàng)下1255億美元的新紀錄,同比增長7.4%,2026年設(shè)備銷售額有望進一步攀升至1381億美元,實現(xiàn)連續(xù)三年增長。從區(qū)域來看,中國將繼續(xù)領(lǐng)跑所有地區(qū),穩(wěn)居全球第一。

盛美上海也將憑借自身優(yōu)勢,精準把握前沿市場需求,全面提升技術(shù)與產(chǎn)品競爭力,在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域差異化技術(shù)創(chuàng)新上再進一步。

(校對/孫樂)

責(zé)編: 李梅
來源:愛集微 #盛美上海#
THE END

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趙月

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