三星于今年3月安裝了首臺高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV（極紫外光刻）設(shè)備，用于1.4納米芯片的生產(chǎn)，并有望通過減免關(guān)稅來更好地與臺積電（TSMC）競爭。三星在開發(fā)并最終量產(chǎn)2納米以下晶圓時(shí)，從ASML采購高NA EUV設(shè)備是一項(xiàng)昂貴的投資，每臺設(shè)備約需4億美元，但為了與半導(dǎo)體業(yè)最大的對手——臺積電競爭，這一風(fēng)險(xiǎn)三星不得不承擔(dān)。

為幫助三星順利轉(zhuǎn)型，韓國政府據(jù)稱將計(jì)劃取消進(jìn)口相關(guān)設(shè)備的關(guān)稅。同時(shí)，三星也已經(jīng)行動(dòng)，于3月為1.4納米產(chǎn)線安裝了高NA EUV設(shè)備。

為了加速2納米GAA芯片的生產(chǎn)，早前有報(bào)道稱三星已經(jīng)為高NA EUV設(shè)備下了更多訂單。盡管此前有傳言稱三星取消了1.4納米制程的開發(fā)，但公司似乎已經(jīng)克服了2納米GAA節(jié)點(diǎn)的良率問題，其Exynos 2600芯片有望在今年晚些時(shí)候投入量產(chǎn)。三星一旦證明其新一代制程能達(dá)到與臺積電2納米架構(gòu)相同的性能并能高效量產(chǎn)，他們將進(jìn)入下一階段，開始接受客戶訂單。

為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，韓國經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道稱，韓國政府將把相關(guān)進(jìn)口貨物的關(guān)稅降至零以提升競爭力?？紤]到高NA EUV設(shè)備單價(jià)高達(dá)4億美元，即使沒有關(guān)稅也已十分昂貴，三星若想在技術(shù)實(shí)力上與臺積電比肩，整體成本必須降低。

目前用于1.4納米生產(chǎn)的這臺EUV設(shè)備，是三星今年早些時(shí)候從ASML采購的EXE:5000，并已安裝于華城工廠。盡管三星目前重心在2納米產(chǎn)線上，但報(bào)道指出，公司計(jì)劃到2027年開始1.4納米芯片大規(guī)模量產(chǎn)，爭取在未來一年實(shí)現(xiàn)對臺積電的領(lǐng)先。