臺積電已確認將在兩年內(nèi)退出氮化鎵（GaN）代工業(yè)務，關(guān)閉位于中國臺灣新竹科學園區(qū)的6英寸Fab 2晶圓廠。此外，該公司預計將整合其三座8英寸晶圓廠——Fab 3、Fab 5和Fab 8，并將最多30%的員工重新部署至南部科學園區(qū)（STSP）和高雄的工廠，以彌補勞動力短缺、降低成本并優(yōu)化資產(chǎn)利用率。

半導體設(shè)備制造商表示，臺積電已為其老廠制定新的規(guī)劃。6英寸工廠預計將被改造成CoPoS面板級封裝工廠，而8英寸晶圓廠將轉(zhuǎn)變到新方向：啟動EUV掩膜保護膜的內(nèi)部生產(chǎn)，以減少對ASML及其供應鏈的依賴。

該戰(zhàn)略凸顯了臺積電致力于利用其研發(fā)和制造實力，在降低成本的同時提高先進節(jié)點的EUV良率。這不僅鞏固了其領(lǐng)先于競爭對手的前沿地位，還可能在更廣泛的EUV生態(tài)系統(tǒng)中創(chuàng)造對設(shè)備和材料的新需求。

臺積電新竹科學園區(qū)的8英寸Fab 3晶圓廠將經(jīng)歷最重要的變革，成為內(nèi)部EUV保護膜研發(fā)的中心。

過去十年，臺積電在先進工藝節(jié)點上投入創(chuàng)紀錄資金，遙遙領(lǐng)先于競爭對手。但隨著摩爾定律觸及物理極限，強行高投入的優(yōu)勢正在逐漸消退。

EUV光刻技術(shù)開啟新的工藝節(jié)點，但成本高昂：ASML EUV光刻機的價格約為1.5億美元，而最新的ASML High NA（高數(shù)值孔徑）EUV系統(tǒng)的價格超過3.5億美元。隨著成本不斷攀升，臺積電已減少High NA的訂單，并正在探索其他方法來提高EUV良率并控制成本。

保護膜技術(shù)已成為關(guān)鍵。經(jīng)過多年的發(fā)展，臺積電預計將在Fab 3晶圓廠投產(chǎn)，從而減少對ASML相關(guān)供應商的依賴，同時提高良率和成本效益。

與深紫外（DUV）光刻技術(shù)不同，EUV需要采用新的掩模版和保護膜方法。保護膜可阻擋顆粒污染，但傳統(tǒng)的有機保護膜缺乏EUV所需的透明度和穩(wěn)定性。因此，大多數(shù)晶圓廠在運行時無需保護膜，需要不斷進行檢查。每個缺陷都會導致昂貴的掩模版維修或更換，從而減慢生產(chǎn)速度。

ASML和其他公司正在進行保護膜研發(fā)，但高昂的技術(shù)壁壘阻礙了其大規(guī)模應用。臺積電認為保護膜對于7nm以下工藝至關(guān)重要，并已加快其內(nèi)部研發(fā)進程。

分析師表示，臺積電自有的保護膜將優(yōu)化工作流程、提高良率、擴大產(chǎn)能并降低成本，從而提升盈利能力并擴大領(lǐng)先地位。盡管保護膜專利問題仍未解決，但設(shè)備和材料供應商可能會受益于臺積電轉(zhuǎn)型帶來的新基礎(chǔ)設(shè)施需求。

隨著向2nm以下工藝生產(chǎn)邁進并擴展CoWoS封裝技術(shù)，臺積電自2025年初以來一直在精簡舊晶圓廠。臺積電已向世界先進（VIS）和恩智浦半導體在新加坡的合資企業(yè)VSMC出售價值7100萬~7300萬美元的設(shè)備，目前正準備進一步整合其位于新竹的6英寸和8英寸晶圓廠。

據(jù)TechInsights稱，瑞薩電子已與Polar半導體合作開發(fā)下一代d型GaN，而中國大陸企業(yè)正在加速GaN項目。包括德州儀器和英飛凌在內(nèi)的全球IDM廠商也在擴大內(nèi)部GaN產(chǎn)能。

消息人士稱，臺積電退出GaN領(lǐng)域凸顯了中國大陸競爭對手在第三代半導體市場激烈的價格競爭。這家6英寸晶圓廠將轉(zhuǎn)向先進封裝，重點是CoPoS先進封裝。（校對/趙月）