華邦電搶進(jìn)先進(jìn)封裝市場，總經(jīng)理陳沛銘昨（28）日指出，公司主要以Hybrid bond封裝整合系統(tǒng)單芯片（SoC），結(jié)合自家生產(chǎn)的客制化AI DRAM產(chǎn)線，預(yù)期2024年將進(jìn)入小量生產(chǎn)，2025年有把握進(jìn)入量產(chǎn)階段，

陳沛銘指出，華邦電規(guī)劃進(jìn)入先進(jìn)封裝市場，并會(huì)尋找哪一部分難度最高，不過封測廠進(jìn)軍的Micro Bond不會(huì)是華邦電鎖定的市場，公司會(huì)朝向Hybrid Bond市場前進(jìn)。

陳沛銘說，華邦電會(huì)提供自家研發(fā)的AI DRAM，結(jié)合客戶自行采購的系統(tǒng)單芯片，再供應(yīng)客戶Hybrid Bond先進(jìn)封裝服務(wù)，他分析，目前各大存儲(chǔ)器廠提供的高頻寬存儲(chǔ)器都是大容量，動(dòng)輒32GB以上，但許多客戶僅需要8G或16G相對較小容量的，加上客戶又有先進(jìn)封裝需求，因此華邦電才會(huì)選擇跨足此領(lǐng)域。

陳沛銘強(qiáng)調(diào)，Hybrid Bond先進(jìn)封裝難度高，在于直接用銅貼合邏輯運(yùn)算芯片及存儲(chǔ)器芯片，須掌握密度及熱度，當(dāng)前華邦電鎖定間距9微米，若客戶有需求也會(huì)提供20微米以上的服務(wù)。