在不久前落幕的化合物半導(dǎo)體及大硅片創(chuàng)新技術(shù)發(fā)展大會上，無錫華瑛微電子技術(shù)有限公司（以下簡稱“華瑛微”）創(chuàng)始人溫子瑛女士以其前沿的《動態(tài)薄層晶圓污染檢測技術(shù)》演講，贏得了現(xiàn)場觀眾的熱烈掌聲和高度評價(jià)。

作為行業(yè)內(nèi)備受矚目的盛會，本次大會匯集了眾多領(lǐng)域的專家學(xué)者和企業(yè)精英約400多人參會。圍繞了碳化硅襯底與外延生長及相關(guān)設(shè)備技術(shù)、碳化硅晶體生長、氮化鎵襯底與外延生長及相關(guān)設(shè)備技術(shù)、氮化鎵功率與射頻應(yīng)用、大硅片產(chǎn)業(yè)等多個(gè)專題展開深入研討，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的繁榮與進(jìn)步貢獻(xiàn)智慧與力量。華瑛微的參與，不僅代表了公司對化合物半導(dǎo)體及大硅片的關(guān)注與重視，也展現(xiàn)了我們對創(chuàng)新技術(shù)的不懈追求。

溫總的演講聚焦于華瑛微世界首創(chuàng)的突破性技術(shù)——?jiǎng)討B(tài)薄層DTL晶圓污染檢測技術(shù)。該技術(shù)與傳統(tǒng)VPD技術(shù)相比，具有提取能力強(qiáng)、提取效率高、方法檢出限低、檢測元素全面、不受晶圓表面物理和化學(xué)性質(zhì)的限制等多方面的優(yōu)點(diǎn)，不受晶圓表面疏水性和親水性的限制，腐蝕、提取都在同一腔室中操作，大大降低交叉污染風(fēng)險(xiǎn)，從而顯著提升半導(dǎo)體產(chǎn)品的質(zhì)量和生產(chǎn)效率。

演講中，溫總以深入淺出的方式，向在場聽眾展示了技術(shù)的原理、優(yōu)勢和應(yīng)用前景，溫總提到的關(guān)于“檢出限不等于檢出能力，應(yīng)該是，檢出限加提取能力才是你的設(shè)備檢出能力；提取能力與提取液配方至關(guān)重要?！币鹆伺c會者的極大興趣。

這種積極的互動不僅加深了行業(yè)內(nèi)外對華瑛微晶圓污染提取技術(shù)的認(rèn)識，也為我們未來的合作奠定了良好的基礎(chǔ)。華瑛微自從推出DTL晶圓污染提取檢測設(shè)備以來，已在半導(dǎo)體硅片材料制造、化合物半導(dǎo)體材料制造及半導(dǎo)體芯片制造等領(lǐng)域取得多項(xiàng)訂單。華瑛微將繼續(xù)致力于半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)和創(chuàng)新，不斷推動行業(yè)向前發(fā)展。

此次大會的成功參與，不僅提升了華瑛微在行業(yè)內(nèi)的知名度，更堅(jiān)定了我們繼續(xù)深耕半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，不斷追求卓越的決心。我們期待未來與更多的合作伙伴攜手，共同開創(chuàng)半導(dǎo)體技術(shù)的嶄新時(shí)代。