天眼查顯示，江蘇鑫華半導(dǎo)體科技股份有限公司“一種硅碳負(fù)極材料、制備方法及基于它的負(fù)極極片和電化學(xué)裝置”專利公布，申請公布日為2024年8月30日，申請公布號為CN118572061A。

本發(fā)明涉及電化學(xué)領(lǐng)域，具體涉及一種硅碳負(fù)極材料、制備方法及基于它的負(fù)極極片和電化學(xué)裝置。其技術(shù)要點如下：多孔碳前驅(qū)體以及氣相沉積多孔碳孔隙內(nèi)的納米硅顆粒；硅碳負(fù)極材料的XRD衍射圖中，在2θ角為15°~40°范圍內(nèi)存在第一衍射峰，第一衍射峰的總面積為C；在2θ角為40°~60°范圍內(nèi)存在第二衍射峰，所述第二衍射峰的總面積為D，且0.65≤D/C≤0.95。本發(fā)明提供的硅碳負(fù)極材料及其制備方法，以及包含該材料的負(fù)極極片和電化學(xué)裝置，通過制備工藝調(diào)整，限定扣式電池微分容差曲線的峰強比制備氣相法硅碳負(fù)極材料，顯著改善了電化學(xué)裝置的能量密度以及循環(huán)性能。