天眼查顯示，紫光同芯微電子有限公司近日取得一項(xiàng)名為“多次外延制作超結(jié)屏蔽柵結(jié)構(gòu)IGBT及制造方法”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN112670335B，授權(quán)公告日為2024年9月6日，申請(qǐng)日為2020年12月30日。

本發(fā)明涉及一種多次外延制作超結(jié)屏蔽柵結(jié)構(gòu)IGBT及制造方法，它包括它包括第二導(dǎo)電類型集電極、第一導(dǎo)電類型緩沖層、第一導(dǎo)電類型襯底、第一導(dǎo)電類型外延層、第一導(dǎo)電類型柱、第二導(dǎo)電類型柱、第二導(dǎo)電類型體區(qū)、第一導(dǎo)電類型發(fā)射極、絕緣介質(zhì)層、發(fā)射極金屬、屏蔽柵氧化層、屏蔽柵多晶硅、屏蔽柵蓋板、柵極氧化層與柵極導(dǎo)電多晶硅。本發(fā)明可調(diào)節(jié)器件的電場(chǎng)分布，實(shí)現(xiàn)在低的閾值下有更有效的飽和電流，提高開關(guān)速度，降低開關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)更加穩(wěn)定的安全工作區(qū)域。