據(jù)報(bào)道，業(yè)界6月19日透露，三星電子上個(gè)月在第6代10nm（納米）級(jí)DRAM晶圓性能測(cè)試中，取得了50 ~ 70%的成品率。與去年同一產(chǎn)品不到30%的收益率相比，這標(biāo)志著實(shí)質(zhì)性的進(jìn)步。

三星研究團(tuán)隊(duì)為了提高芯片的效率和生產(chǎn)效率，實(shí)施了各種新的結(jié)構(gòu)變化。三星原計(jì)劃在去年年底開始大規(guī)模生產(chǎn)第6代10nm級(jí)DRAM，但三星冒著重新設(shè)計(jì)芯片的風(fēng)險(xiǎn)，盡管可能會(huì)推遲一年以上。該公司為了在最終測(cè)試結(jié)束后立即投入生產(chǎn)，采取了提前準(zhǔn)備生產(chǎn)線的戰(zhàn)略。業(yè)界有關(guān)人士表示：“三星電子擁有比SK海力士和美光科技更豐富的有形和無形資源。它們能否復(fù)制過去的戰(zhàn)略，即利用‘規(guī)模經(jīng)濟(jì)’來提高成本競(jìng)爭(zhēng)力，然后通過龐大的數(shù)量向競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手施加壓力，還有待觀察?！?/p>

報(bào)道指出，預(yù)計(jì)此次量產(chǎn)將大大提高三星電子計(jì)劃年內(nèi)量產(chǎn)的第6代HBM （HBM4）的競(jìng)爭(zhēng)力。作為此次投資對(duì)象的平澤第4工廠DRAM生產(chǎn)線生產(chǎn)的產(chǎn)品將用于移動(dòng)（LPDDR）和服務(wù)器應(yīng)用。HBM4的第6代10nm級(jí)DRAM生產(chǎn)設(shè)施位于平澤第3工廠。業(yè)界有關(guān)人士表示：“DRAM的核心——存儲(chǔ)單元的核心結(jié)構(gòu)與移動(dòng)/服務(wù)器DRAM和HBM非常相似，因此這將對(duì)HBM的DRAM的完成產(chǎn)生積極影響?！币源舜纬晒α慨a(chǎn)為基礎(chǔ)，三星電子有可能對(duì)平澤3號(hào)工廠的HBM4工藝進(jìn)行大規(guī)模投資。（校對(duì)/李梅）