1.三星平澤P4進(jìn)展：PH1變身NAND/DRAM混合工廠；

2.跳過(guò)3nm，傳谷歌Pixel 11將搭載臺(tái)積電2nm版Tensor G6芯片；

3.臺(tái)積電海外子公司擬發(fā)行100億美元股票以應(yīng)對(duì)外匯波動(dòng)；

4.LG Innotek開發(fā)全球首個(gè)移動(dòng)半導(dǎo)體基板用“銅柱”技術(shù)，尺寸縮小20%；

5.日月光：全球都會(huì)受到關(guān)稅影響 但產(chǎn)業(yè)會(huì)找到出路；

6.英諾賽科頂部冷卻En-FCLGA封裝產(chǎn)品將徹底改變太陽(yáng)能和儲(chǔ)能應(yīng)用

1.三星平澤P4進(jìn)展：PH1變身NAND/DRAM混合工廠

據(jù)媒體報(bào)道，三星電子平澤第四園區(qū)工廠（P4）第二期（PH2）和第四期（PH4）的投資步伐正在加快。預(yù)計(jì)總投資約7萬(wàn)億韓元的外部建設(shè)將于今年下半年正式啟動(dòng)。PH1最初設(shè)計(jì)為NAND閃存工廠，現(xiàn)已轉(zhuǎn)變?yōu)橥瑫r(shí)生產(chǎn)NAND和10納米級(jí)第四代（1a）DRAM的混合工廠，目前設(shè)備安裝已進(jìn)入收尾階段。

三星電子內(nèi)部仍在討論是將PH2用作DRAM生產(chǎn)基地，還是將其改造成混合晶圓廠。

去年有消息稱，平澤P4是一個(gè)由四個(gè)階段組成的最尖端半導(dǎo)體生產(chǎn)工廠，包括代工和存儲(chǔ)生產(chǎn)線。三星原本計(jì)劃首先建設(shè)存儲(chǔ)生產(chǎn)線PH1，然后是代工生產(chǎn)線PH2，接著是存儲(chǔ)生產(chǎn)線PH3，最后是代工生產(chǎn)線PH4，以完成P4的建設(shè)。

2.跳過(guò)3nm，傳谷歌Pixel 11將搭載臺(tái)積電2nm版Tensor G6芯片

據(jù)報(bào)道，谷歌Pixel 10系列將成為谷歌首款更換芯片代工合作伙伴的旗艦智能手機(jī)系列。據(jù)稱，為該系列提供支持的Tensor G5芯片將采用臺(tái)積電第二代3nm工藝（也稱為"N3E"）進(jìn)行量產(chǎn)。

三星可能不再是谷歌未來(lái)芯片制造的首選，鑒于谷歌高層最近訪問(wèn)了中國(guó)臺(tái)灣，并與全球最大的晶圓代工企業(yè)臺(tái)積電簽訂為期五年的合作協(xié)議。這一協(xié)議預(yù)計(jì)會(huì)包括Pixel 11的Tensor G6芯片，值得注意的是，谷歌計(jì)劃在2026年與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手保持技術(shù)同步，因?yàn)閾?jù)傳其系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）將采用臺(tái)積電的2nm制程技術(shù)。

臺(tái)積電自4月1日起開放2nm訂單，但尚未透露哪些客戶將選用這項(xiàng)技術(shù)。業(yè)界推測(cè)，蘋果可能會(huì)成為首個(gè)獲得2nm晶圓的公司，因?yàn)樗枰捎么罅肯冗M(jìn)光刻技術(shù)的芯片，以維持在競(jìng)爭(zhēng)中的領(lǐng)先地位。

谷歌決定跳過(guò)臺(tái)積電第三代3nm工藝，直接采用2nm節(jié)點(diǎn)來(lái)生產(chǎn)Pixel 11的Tensor G6芯片。然而，這一決策對(duì)谷歌而言可能代價(jià)不菲，鑒于其智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)遜于蘋果和三星等市場(chǎng)巨頭，而且采用臺(tái)積電的2nm工藝生產(chǎn)Tensor G6芯片，意味著高昂的生產(chǎn)成本。不過(guò)，谷歌有機(jī)會(huì)與三星重建業(yè)務(wù)伙伴關(guān)系，從而利用三星的2nm GAA工藝技術(shù)縮減成本。

盡管如此，考慮到臺(tái)積電作為代工合作伙伴對(duì)眾多客戶的可靠性，谷歌可能會(huì)承擔(dān)額外的晶圓成本。谷歌未來(lái)可能重新評(píng)估成本結(jié)構(gòu)，或許最終選擇更經(jīng)濟(jì)的臺(tái)積電3nm N3P節(jié)點(diǎn)來(lái)生產(chǎn)Tensor G6，從而節(jié)省數(shù)百萬(wàn)美元開支。

3.臺(tái)積電海外子公司擬發(fā)行100億美元股票以應(yīng)對(duì)外匯波動(dòng)

據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電海外子公司計(jì)劃發(fā)行價(jià)值 100 億美元的新股，以加強(qiáng)其外匯套期保值業(yè)務(wù)。

Robeco駐新加坡的亞洲主權(quán)債務(wù)策略師表示：“總體而言，外匯市場(chǎng)的波動(dòng)加劇意味著銀行可能會(huì)調(diào)整其保證金要求。發(fā)行新股并立即注入大量現(xiàn)金，或許能幫助企業(yè)應(yīng)對(duì)現(xiàn)有及新套期保值業(yè)務(wù)的保證金要求?！?/p>

6月10日，臺(tái)積電公布的財(cái)報(bào)顯示，該公司5月營(yíng)收3205.16億元新臺(tái)幣，月減8.3%，年增39.6%，創(chuàng)歷年同期新高。

4.LG Innotek開發(fā)全球首個(gè)移動(dòng)半導(dǎo)體基板用“銅柱”技術(shù)，尺寸縮小20%

6月25日，LG Innotek宣布已成功開發(fā)全球首個(gè)面向移動(dòng)半導(dǎo)體基板的銅柱(Cu-post)技術(shù)，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用。

隨著智能手機(jī)輕薄化競(jìng)爭(zhēng)加劇，市場(chǎng)對(duì)既提升移動(dòng)半導(dǎo)體基板性能又壓縮尺寸的技術(shù)需求激增。LG Innotek預(yù)判這一趨勢(shì)，自2021年就前瞻性開發(fā)了這款次世代移動(dòng)半導(dǎo)體基板技術(shù)。

與傳統(tǒng)通過(guò)焊球直接連接半導(dǎo)體基板與主板的方式不同，該技術(shù)采用銅柱結(jié)構(gòu)縮小焊球間距與體積。此舉不僅能實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體基板小型化，還可在同等面積上排布更多電路，電路密度提升有效助力智能機(jī)實(shí)現(xiàn)“瘦身”與高性能并行。應(yīng)用此項(xiàng)技術(shù)后，半導(dǎo)體基板在性能不變前提下尺寸最多可縮減20%。

該技術(shù)不僅適配輕薄化設(shè)計(jì)，更優(yōu)化了人工智能（AI）計(jì)算等需高效處理復(fù)雜海量電信號(hào)的高端功能。其散熱性能同樣提升，銅柱采用的銅材料導(dǎo)熱系數(shù)達(dá)鉛的7倍以上，可更快導(dǎo)出半導(dǎo)體封裝內(nèi)部熱量。

銅柱技術(shù)有望鞏固LG Innotek在射頻系統(tǒng)級(jí)封裝（RF-SiP）基板領(lǐng)域的全球霸主地位。LG Innotek CEO Moon Hyuk-soo表示：“這項(xiàng)技術(shù)并非簡(jiǎn)單的部件供應(yīng)，而是基于深度思考為客戶成功提供的支持” ，并強(qiáng)調(diào)“將通過(guò)創(chuàng)新產(chǎn)品改變基板行業(yè)范式，持續(xù)創(chuàng)造差異化客戶價(jià)值” 。

5.日月光：全球都會(huì)受到關(guān)稅影響 但產(chǎn)業(yè)會(huì)找到出路

6月25日，日月光集團(tuán)CEO在回應(yīng)關(guān)稅議題時(shí)表示，全球都會(huì)受到關(guān)稅影響，依產(chǎn)品類別、產(chǎn)業(yè)位置不同而有所差異，但中國(guó)臺(tái)灣處于制高點(diǎn)，相信不管外部環(huán)境怎么變化，產(chǎn)業(yè)都會(huì)找出最適合自己的出路。

吳田玉表示，受美國(guó)發(fā)動(dòng)關(guān)稅戰(zhàn)影響，盡管國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）尚未修正原預(yù)期2030年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將突破1萬(wàn)億美元的預(yù)估值，但業(yè)界已保守預(yù)估要延至2032至2033年才會(huì)達(dá)到達(dá)1萬(wàn)億美元，不過(guò)這也不脫未來(lái)十年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)值突破1萬(wàn)億美元的長(zhǎng)線目標(biāo)。

吳田玉強(qiáng)調(diào)，面對(duì)特朗普政府多次點(diǎn)名中國(guó)臺(tái)灣，要拿中國(guó)臺(tái)灣芯片開刀，課征重稅，以特朗普政府的個(gè)性，中國(guó)臺(tái)灣恐怕無(wú)法獲得零關(guān)稅豁免，但應(yīng)該也不會(huì)如特朗普所言會(huì)達(dá)到100%那么高的稅率。在無(wú)法避免下，他相信每家公司都因產(chǎn)業(yè)位置不同而有所差異，但相信不管外部環(huán)境怎么變化，產(chǎn)業(yè)都會(huì)找出最適合自己的出路。

6.英諾賽科頂部冷卻En-FCLGA封裝產(chǎn)品將徹底改變太陽(yáng)能和儲(chǔ)能應(yīng)用

100V 新品發(fā)布

兩款新品 INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD 使用與之前發(fā)布的產(chǎn)品INN100EA035A相同的封裝（雙冷En-FCLGA 3.3X3.3），這是業(yè)界首款硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SFET) 的點(diǎn)對(duì)點(diǎn) (P2P) 替代品，可立即提升效率并提高功率密度，在36V 至 80V 的輸入條件下，系統(tǒng)功率損耗可降低 50% 以上。

英諾賽科領(lǐng)先的 Dual-Cool En-FCLGA 封裝與傳統(tǒng)的單冷卻封裝相比，導(dǎo)熱率高出 65%，從而顯著提高系統(tǒng)熱性能、降低工作溫度、提高效率并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度（降低 BOM 成本）。