氮化鎵（GaN）半導體需求持續(xù)成長，英飛凌宣布其在12英寸晶圓上的可擴展GaN生產進度正按計劃進行，預計2025年第四季度將向客戶提供首批樣品，有望擴大客戶基礎，進一步鞏固在GaN的市場競爭力。

英飛凌專精于三種材料的相關技術，包含硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。 憑借更高的功率密度、更快的開關速度和更低的功率損耗，氮化鎵半導體可實現(xiàn)更精簡的設計，從而減少智能手機充電器、工業(yè)和人形機器人，以及太陽能逆變器等電子設備的能耗和熱量產生。

英飛凌氮化鎵業(yè)務線負責人Johannes Schoiswohl表示，英飛凌全面擴大的12寸GaN生產規(guī)模將協(xié)助我們更快地為客戶提供更高價值的產品，同時推動Si和GaN同類產品的成本接近性。

英飛凌生產策略主要依據(jù)IDM模式，即擁有從設計、制造和銷售最終產品的整個半導體生產流程，公司的內部生產策略是市場上的一個關鍵差異化因素，具有多重優(yōu)勢，如能提供更高質量的產品、更快的產品上市時間以及出色的設計和開發(fā)靈活性。