據報道，LG電子啟動高帶寬存儲器（HBM）混合鍵合機研發(fā)，正式進軍半導體設備市場。此舉與LG集團會長Koo Kwang-mo著眼于HBM高增長潛力、大力發(fā)展人工智能（AI）業(yè)務的戰(zhàn)略高度契合，也與LG電子近期拓展B2B業(yè)務的戰(zhàn)略相契合。LG電子計劃與三星電子、韓華半導體和韓美半導體等已涉足HBM制造設備市場的企業(yè)展開激烈的技術競爭，從而引領先進制造業(yè)的發(fā)展。

業(yè)內人士7月13日透露，LG電子生產技術研究院（PRI）已啟動對下一代HBM制造至關重要的混合鍵合機設備的研發(fā)。據悉，LG電子還設定了到2028年實現混合鍵合機量產的目標。LG電子相關人士表示：“我們目前正在研發(fā)混合鍵合機，這是事實。”

LG電子生產工程研究院已擁有一些研究半導體封裝技術的機構，預計將拓展該領域，招募半導體封裝領域的高水平人才，并積極開展與學術界的研究合作，著手開發(fā)混合鍵合機。

混合鍵合機是一種用于貼合多個半導體芯片的設備，其技術與現有半導體生產線上使用的熱壓 （TC）鍵合機截然不同。目前的方法涉及使用“凸塊”作為芯片間中間端子的垂直鍵合，而混合鍵合機無需凸塊即可堆疊芯片。該技術具有芯片厚度更薄、發(fā)熱量更低等優(yōu)勢，對于堆疊多層DRAM的HBM來說是一項至關重要的創(chuàng)新。

雖然該技術已應用于NAND閃存和系統(tǒng)半導體領域，但尚未在HB 領域實現商業(yè)化。LG電子決定進軍該業(yè)務，部分原因是他們認為，如果開發(fā)成功，銷售額將迅速增長，并迅速確立其在半導體設備市場的領先地位。

LG電子近期專注于加強B2B業(yè)務，并取得了顯著成效?；旌湘I合機的成功開發(fā)有望幫助LG電子贏得SK海力士、美國美光科技和三星電子等客戶。LG電子代表性的B2B業(yè)務，包括汽車零部件和空調系統(tǒng)（HVAC），預計今年銷售額將超過20萬億韓元，與其主力消費家電業(yè)務不相上下。（校對/李梅）