以色列，米格達(dá)勒埃梅克，2025年7月8日——高價(jià)值模擬半導(dǎo)體解決方案代工廠商 Tower Semiconductor（納斯達(dá)克股票代碼：TSEM）今日宣布，其與pSemi聯(lián)合發(fā)表的論文《采用PCM射頻開關(guān)與集成CMOS驅(qū)動(dòng)器的0-110GHz低損耗寬帶SPDT設(shè)計(jì)》榮獲2025年IEEE國際微波研討會(huì)（IMS）行業(yè)論文競賽大獎(jiǎng)。該論文于2025年6月19日在IMS“創(chuàng)新射頻開關(guān)、變?nèi)荻O管及調(diào)制器技術(shù)”專題會(huì)議上發(fā)表，并斬獲該類別最佳論文獎(jiǎng)。

該獎(jiǎng)項(xiàng)是對Tower Semiconductor相變材料（PCM）射頻開關(guān)技術(shù)的認(rèn)可，這是射頻開關(guān)領(lǐng)域的一項(xiàng)重大創(chuàng)新突破。該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)性能指標(biāo)的出色組合：帶寬（DC-110 GHz）、插入損耗（<2 dB）、功率處理能力（30 dBm）以及線性度（較RFSOI CMOS解決方案提升15-20 dB）。通過Tower具有競爭力的后端制程（BEOL）集成技術(shù)和集成數(shù)字控制技術(shù)，這種超低損耗寬帶性能、高功率處理能力和全CMOS集成的組合方案，不僅簡化了終端用戶的實(shí)施難度，更為5G、未來6G、衛(wèi)星通信、波束成形及毫米波應(yīng)用提供了先進(jìn)的電路解決方案。

“我們非常榮幸獲此殊榮”，Tower Semiconductor 副總裁兼RF事業(yè)部總經(jīng)理Ed Preisler博士表示，“這一成就彰顯了我們推動(dòng)射頻前端集成技術(shù)發(fā)展、助力新一代無線設(shè)備研發(fā)的承諾，同時(shí)也體現(xiàn)了與pSemi等戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系的強(qiáng)大價(jià)值?！?/p>

pSemi公司銷售與市場副總裁Rodd Novak表示："能與Tower Semiconductor共同獲得IMS認(rèn)可，我們深感榮幸。該獎(jiǎng)項(xiàng)體現(xiàn)了我們團(tuán)隊(duì)在寬帶射頻開關(guān)研究與設(shè)計(jì)領(lǐng)域不斷突破技術(shù)邊界的專業(yè)追求。"