2025年8月3日-4日，由中國科學(xué)院微電子研究所、先進(jìn)微系統(tǒng)集成協(xié)會(huì)、西安電子科技大學(xué)、中國電子學(xué)會(huì)、中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)、青禾晶元半導(dǎo)體科技（集團(tuán)）有限責(zé)任公司共同主辦的2025中國國際低溫鍵合3D集成技術(shù)研討會(huì)（LTB-3D 2025 Satellite in China）在天津盛大召開。作為國際半導(dǎo)體低溫鍵合領(lǐng)域的重要會(huì)議，本屆大會(huì)首次落地中國即引發(fā)行業(yè)矚目，吸引了來自英國、新加坡、日本、奧地利、荷蘭、德國等20余國的200余名頂尖專家及企業(yè)代表齊聚一堂，圍繞低溫鍵合3D集成技術(shù)展開深度交流，共同推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。

技術(shù)聚焦

低溫鍵合引領(lǐng)半導(dǎo)體新趨勢(shì)

本次大會(huì)圍繞表面活化鍵合、混合鍵合與3D集成、新型低溫鍵合工藝及材料等六大主題展開研討，匯聚了全球頂尖研究成果：

國際權(quán)威分享：日本東京大學(xué)/明星大學(xué)須賀唯知教授、武漢大學(xué)劉勝教授等11位專家發(fā)表主旨報(bào)告，涵蓋鍵合技術(shù)的歷史、現(xiàn)狀與未來展望。

產(chǎn)學(xué)研深度結(jié)合：來自牛津大學(xué)、東京大學(xué)、中國科學(xué)院微電子研究所等機(jī)構(gòu)的30余個(gè)邀請(qǐng)報(bào)告及口頭報(bào)告，展示了低溫鍵合技術(shù)在材料、工藝、器件等領(lǐng)域的最新突破。

出席大會(huì)主要嘉賓

青禾晶元

與行業(yè)共成長

青禾晶元始終致力于推動(dòng)低溫鍵合技術(shù)的研發(fā)與應(yīng)用，在此次與國內(nèi)外專家的會(huì)議中，我們深入探討了技術(shù)難點(diǎn)與市場機(jī)遇，并展示了公司在低溫鍵合設(shè)備及材料工藝領(lǐng)域的深厚積累：依托自主創(chuàng)新，青禾晶元已在低溫鍵合領(lǐng)域形成獨(dú)特技術(shù)優(yōu)勢(shì)；同時(shí)通過與國際頂尖機(jī)構(gòu)及企業(yè)的協(xié)作交流，持續(xù)完善技術(shù)布局，助力產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。未來，青禾晶元將繼續(xù)深耕低溫鍵合技術(shù)，為行業(yè)提供更高效的解決方案。

展望未來

低溫鍵合技術(shù)的無限可能

在AI算力爆發(fā)、先進(jìn)封裝、化合半導(dǎo)體第三波材料浪潮需求的三重驅(qū)動(dòng)下，低溫鍵合技術(shù)將成為延續(xù)摩爾定律的核心技術(shù)路徑，催生新一代異質(zhì)集成解決方案，為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高端制造升級(jí)提供重要契機(jī)。

青禾晶元期待與更多合作伙伴攜手，共同推動(dòng)低溫鍵合技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用，為行業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)力。