英諾賽科(Innoscience)，全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者今日宣布其第三代(Gen3) 700V 增強型氮化鎵功率器件系列正式全面上市！該系列憑借更小尺寸、更快開關(guān)速度、更高效率的顯著優(yōu)勢，在關(guān)鍵性能指標(biāo)上實現(xiàn)突破性進展，為電源系統(tǒng)設(shè)計樹立新標(biāo)桿。
核心性能躍升 (相較Gen2.5)
芯片面積縮減30%：通過先進的工藝優(yōu)化與結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，顯著提升硅片利用率，助力實現(xiàn)更高功率密度設(shè)計
開關(guān)性能提升20-30%，電容降低20-30%：有效降低開關(guān)損耗與驅(qū)動損耗，顯著提升系統(tǒng)整體效率
熱性能優(yōu)化：在同等應(yīng)用條件下，芯片殼溫可降低3-6°C，大幅增強系統(tǒng)長期運行可靠性
豐富封裝，滿足多元需求
全新Gen3 700V系列提供豐富的標(biāo)準(zhǔn)封裝選項，滿足多元化應(yīng)用場景需求：
DFN5x6 (極致緊湊)
DFN8x8 (平衡性能與尺寸)
TO252 (通用性強，散熱佳)
SOT223 (經(jīng)典封裝)
其中，采用TO252封裝的旗艦型號INN700TK100E，其典型導(dǎo)通電阻(Ron)低至74mΩ，突破了傳統(tǒng)TO252封裝器件的性能極限，可高效支持高達500W的應(yīng)用功率等級。
應(yīng)用拓展與升級
得益于更低的導(dǎo)通電阻(Ron)和開關(guān)損耗，Gen3 700V系列為以下應(yīng)用領(lǐng)域帶來更高效率、更小尺寸的解決方案：
PD快充/適配器 (尤其高功率)
LED照明驅(qū)動電源
智能家電電源
數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源
工業(yè)開關(guān)電源(SMPS)
為設(shè)計創(chuàng)造核心價值
英諾賽科第三代700V GaN技術(shù)通過實質(zhì)性的核心參數(shù)優(yōu)化，為電源設(shè)計工程師帶來多重價值：
提升系統(tǒng)能效：顯著降低開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗
優(yōu)化熱管理：降低器件工作溫度，提升系統(tǒng)可靠性
節(jié)省空間與成本：縮小芯片及系統(tǒng)整體尺寸，減少外圍元件需求
簡化設(shè)計升級：提供與現(xiàn)有方案兼容的標(biāo)準(zhǔn)封裝和平滑升級路徑
英諾賽科Gen3 700V氮化鎵功率器件系列，以其可量化的性能優(yōu)勢——更小的尺寸、更快的速度、更高的效率以及優(yōu)化的熱管理，為電源設(shè)計工程師提供了創(chuàng)新的高性能解決方案，是實現(xiàn)更高功率密度、更高系統(tǒng)效率設(shè)計目標(biāo)的理想選擇。
