8月19日，英偉達（NVDA）宣布計劃自研HBM內(nèi)存Base Die，采用3nm工藝，預(yù)計于2027年下半年開始小規(guī)模試產(chǎn)，以彌補其在HBM領(lǐng)域的短板。

英偉達在全球AI芯片領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位，但HBM（高帶寬內(nèi)存）一直是其“掣肘”。此次自研HBM內(nèi)存Base Die的計劃，旨在優(yōu)化AI芯片的內(nèi)存帶寬與能效匹配度。未來，英偉達的HBM內(nèi)存供應(yīng)鏈將采用內(nèi)存原廠DRAM Die與英偉達Base Die的組合模式，標(biāo)志著其在高性能計算存儲架構(gòu)領(lǐng)域的垂直整合進一步深化。

HBM已成為制約AI芯片性能的“存儲墻”關(guān)鍵因素。從英偉達A100到Blackwell Ultra系列產(chǎn)品，HBM在材料清單（BOM）中的成本占比已超過50%。目前，HBM市場主要由SK海力士、三星、美光等頭部供應(yīng)商主導(dǎo)，SK海力士占據(jù)最高市占率。

隨著HBM4時代的到來，傳輸速率要求提升至10Gbps以上，Base Die需采用先進的邏輯制程，生產(chǎn)依賴臺積電等晶圓代工廠。英偉達自研Base Die不僅是為了增強議價能力，還旨在引入高級功能，提升HBM與GPU、CPU之間的數(shù)據(jù)傳輸效率，進一步強化NVLink Fusion開放架構(gòu)生態(tài)系的掌控力。

英偉達自研HBM內(nèi)存Base Die將對存儲芯片廠商帶來影響。此舉將打破SK海力士等存儲巨頭的技術(shù)壁壘，使其從全面提供者變?yōu)榻M件供應(yīng)商。同時，混合鍵合、新型中介層等配套技術(shù)需求將激增，推動上游材料與設(shè)備市場的發(fā)展。

盡管英偉達的解決方案被CSP大廠采用的可能性不高，但其模組化設(shè)計有望使聯(lián)發(fā)科、世芯等合作伙伴受益。隨著英偉達自研Base Die與SK海力士加速HBM4量產(chǎn)，HBM市場將迎來新一波競爭與變革。

英偉達此舉旨在提升其在高性能計算領(lǐng)域的綜合競爭力，預(yù)計將對整個AI芯片及存儲市場產(chǎn)生深遠影響。公司將持續(xù)推進自研HBM內(nèi)存Base Die的計劃，確保在未來的技術(shù)競爭中占據(jù)有利位置。