臺(tái)積電在美國(guó)布局持續(xù)加速，業(yè)界最新消息顯示，臺(tái)積電在美國(guó)規(guī)劃的兩座先進(jìn)封裝廠（AP1、AP2）已進(jìn)入整地工程階段，預(yù)計(jì)將于2026年下半年開(kāi)始建設(shè)，目標(biāo)在2028年正式啟用。

據(jù)悉，臺(tái)積電在美國(guó)的制程規(guī)劃中，AP1將導(dǎo)入最先進(jìn)的SoIC及CoW技術(shù)，而AP2則鎖定CoPoS技術(shù)，以滿足當(dāng)?shù)厣a(chǎn)AI和高性能計(jì)算（HPC）芯片的封裝需求。

其中，SoIC是目前臺(tái)積電已量產(chǎn)的封裝技術(shù)中、最為領(lǐng)先的，并會(huì)與后段CoWoS、甚至到未來(lái)的CoPoS進(jìn)行整合。目前客戶除了有AMD已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)外，蘋(píng)果、英偉達(dá)、博通等也都會(huì)在高端產(chǎn)品中采用。

此前，臺(tái)積電曾表示，美國(guó)的第三座晶圓廠（P3）將采用N2和A16制程技術(shù)，第四座晶圓廠（P4）也將采用相同技術(shù)，而第五座和第六座晶圓廠（P5、P6）則將采用更先進(jìn)的技術(shù)。這些晶圓廠的建設(shè)和量產(chǎn)計(jì)劃將根據(jù)客戶需求而定。

業(yè)界人士指出，封裝廠的建設(shè)速度通?？煊诰A廠。美國(guó)封裝廠已開(kāi)始整地，預(yù)計(jì)明年下半年正式開(kāi)建，相關(guān)設(shè)備最快在2028年上半年陸續(xù)安裝，同年底有望實(shí)現(xiàn)小量生產(chǎn)。（校對(duì)/趙月）