1.美光臺(tái)中廠氣體泄漏 12人送醫(yī)調(diào)查中

2.機(jī)構(gòu)：先進(jìn)封裝驅(qū)動(dòng)測(cè)試設(shè)備需求持續(xù)增加

3.莫迪訪日參觀TEL 印日加強(qiáng)半導(dǎo)體合作

1.美光臺(tái)中廠氣體泄漏 12人送醫(yī)調(diào)查中

8月28日下午3時(shí)25分，存儲(chǔ)制造商美光位于中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)中后里的三廠發(fā)生一起不明氣體外泄事件。事故發(fā)生后，廠區(qū)立即啟動(dòng)應(yīng)急廣播，迅速進(jìn)行員工緊急疏散，但仍有12名現(xiàn)場(chǎng)人員因吸入氣體出現(xiàn)身體不適，被送往醫(yī)院接受治療。

據(jù)臺(tái)中市消防局提供的信息，消防人員及廠區(qū)ERT（應(yīng)急響應(yīng)團(tuán)隊(duì)）迅速到場(chǎng)，采取止漏措施，并架設(shè)炮塔射水以降低氣體濃度，同時(shí)設(shè)置封鎖線，防止影響范圍擴(kuò)大。中部科學(xué)園區(qū)管理局初步調(diào)查結(jié)果顯示，此次氣體外泄可能是由于管線壓力過(guò)大導(dǎo)致破裂，進(jìn)而引發(fā)疑似酸性氣體泄漏。從工廠外地面可見(jiàn)明顯的白色氣體飄出，情況相當(dāng)顯著。

中部科學(xué)園區(qū)管理局已要求美光臺(tái)中三廠停工檢查，并將依據(jù)調(diào)查結(jié)果進(jìn)行處置，確保厘清原因并完成改善后方可復(fù)工。目前，該事件尚未影響廠區(qū)的生產(chǎn)制程。環(huán)保局表示，將進(jìn)一步查核美光的應(yīng)變措施是否符合規(guī)定，若違反“空氣污染突發(fā)事故緊急應(yīng)變措施計(jì)劃及警告通知作業(yè)辦法”，將依法進(jìn)行處罰，最高可處2000萬(wàn)元新臺(tái)幣罰款。

據(jù)悉，事故原因?yàn)樵搹S1樓廢酸液（雙氧水及鹽酸）回收管路破裂，導(dǎo)致人員吸入氣體后身體不適，但未波及毒化物使用貯存區(qū)域，因此不屬毒化物泄漏災(zāi)害事故。美光公司強(qiáng)調(diào)，將持續(xù)致力于為員工與合作承包商提供安全且受保護(hù)的工作環(huán)境，但對(duì)于產(chǎn)線和產(chǎn)能是否受到影響，公司并未作出明確說(shuō)明。

美光自1995年開(kāi)始在中國(guó)臺(tái)灣投資，至2024年已累積投資新臺(tái)幣1.1兆元，成為臺(tái)灣地區(qū)最大的外商企業(yè)之一，員工人數(shù)約1.2萬(wàn)人。美光臺(tái)灣被定位為DRAM卓越制造中心，專注于內(nèi)存產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)。此次事故的發(fā)生，無(wú)疑對(duì)該公司的安全生產(chǎn)管理提出了更高的要求。

2.機(jī)構(gòu)：先進(jìn)封裝驅(qū)動(dòng)測(cè)試設(shè)備需求持續(xù)增加

高盛報(bào)告指出，臺(tái)系先進(jìn)封裝設(shè)備廠商如弘塑與萬(wàn)潤(rùn)受到投資人關(guān)注，認(rèn)為委外封裝測(cè)試廠產(chǎn)能貢獻(xiàn)可能被低估，預(yù)計(jì)到2027年底，CoWoS總產(chǎn)能將達(dá)到約20萬(wàn)片晶圓。

在測(cè)試產(chǎn)業(yè)方面，旺矽與穎威同樣受到青睞。高盛分析，隨著芯片設(shè)計(jì)日趨復(fù)雜，先進(jìn)測(cè)試需求持續(xù)增加，對(duì)兩家公司而言是不可擋的結(jié)構(gòu)性成長(zhǎng)趨勢(shì)。預(yù)測(cè)到2027年，旺矽與穎威在探針卡、插座市場(chǎng)的全球市占率將分別提升至11%與14%。

市場(chǎng)對(duì)AI領(lǐng)域的投資熱度持續(xù)升溫，從AI服務(wù)器、ASIC與AI GPU到機(jī)器人等，帶動(dòng)臺(tái)廠晶圓代工、封裝與測(cè)試產(chǎn)業(yè)的長(zhǎng)期結(jié)構(gòu)性成長(zhǎng)。

盡管英偉達(dá)最新展望未大幅超越市場(chǎng)預(yù)期，短期股價(jià)承壓，但公司已規(guī)劃新一代中國(guó)降規(guī)芯片B30A，并向美國(guó)政府提交出口許可申請(qǐng)，最快將于9月送樣客戶測(cè)試，效能預(yù)估約為H20的2.5倍，有望帶動(dòng)市值回升。

3.莫迪訪日參觀TEL 印日加強(qiáng)半導(dǎo)體合作

8月30日，印度總理莫迪訪問(wèn)日本的第二天，與日本首相石破茂在東京共同搭乘新干線前往仙臺(tái)市，參觀了TEL（Tokyo Electron）的半導(dǎo)體工廠“TEL Miyagi”。此次訪問(wèn)凸顯了印度不斷發(fā)展的半導(dǎo)體制造生態(tài)系統(tǒng)與日本先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備和技術(shù)的互補(bǔ)性。

印度外交部在一份聲明中表示，莫迪聽(tīng)取了關(guān)于“TEL Miyagi”在全球半導(dǎo)體價(jià)值鏈中的作用、其先進(jìn)制造能力，以及與印度正在進(jìn)行的和計(jì)劃中的合作的簡(jiǎn)報(bào)。莫迪在社交平臺(tái)X上強(qiáng)調(diào)，半導(dǎo)體行業(yè)是印日合作的關(guān)鍵領(lǐng)域，印度在該領(lǐng)域已取得諸多進(jìn)展。

據(jù)日媒報(bào)道，分析人士認(rèn)為，鑒于半導(dǎo)體在汽車、電信設(shè)備和電子產(chǎn)品制造中的重要性日益提升，并在自動(dòng)化產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮關(guān)鍵作用，印度與日本深化芯片合作意義重大。印度與日本關(guān)系專家、阿聯(lián)酋BITS Pilani迪拜校區(qū)國(guó)際關(guān)系助理教授沙姆沙德·艾哈邁德·汗表示，這一合作將使印度減少對(duì)進(jìn)口的依賴，同時(shí)日本可利用印度優(yōu)秀的工程師降低制造成本，印度則有望成為全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的一部分。

在隨后舉行的印日雙邊峰會(huì)上，石破茂與莫迪承諾未來(lái)十年將加強(qiáng)在印太地區(qū)的國(guó)防、能源、供應(yīng)鏈和投資合作，并擴(kuò)大在人工智能、太空、高鐵等領(lǐng)域的合作。兩國(guó)領(lǐng)導(dǎo)人發(fā)布了未來(lái)十年合作方向的“共同愿景”，日本計(jì)劃在未來(lái)十年對(duì)印度的私人投資從2010年代的每年約27億美元增至每年約68億美元。

此外，兩國(guó)還同意在未來(lái)五年內(nèi)將工人和學(xué)生的交流人數(shù)增加到50萬(wàn)人，以應(yīng)對(duì)日本老齡化和人口下降帶來(lái)的勞動(dòng)力短缺問(wèn)題。莫迪在新聞發(fā)布會(huì)上表示，“我們相信，日本的技術(shù)和印度的人才是一個(gè)成功的組合”。

莫迪此次訪日旨在加強(qiáng)印度的外交關(guān)系，為其“印度制造”倡議爭(zhēng)取支持。通過(guò)深化與日本在半導(dǎo)體等關(guān)鍵領(lǐng)域的合作，印度有望在全球供應(yīng)鏈中占據(jù)更重要的位置，同時(shí)推動(dòng)國(guó)內(nèi)制造業(yè)的升級(jí)與發(fā)展。