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AW96205DNR高性能手機(jī)防水游戲肩鍵:艾為觸控,重塑移動(dòng)游戲體驗(yàn)

來(lái)源:艾為之家 #艾為#
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在移動(dòng)游戲產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,手游外設(shè)已從 “可選配件” 升級(jí)為 “核心裝備”。其中,手機(jī)電容式防水肩鍵憑借無(wú)物理觸點(diǎn)、低延遲響應(yīng)、IP68 級(jí)防水等特性,成為專業(yè)手游玩家的首選。

技術(shù)演進(jìn)背景:從機(jī)械到電容的必然轉(zhuǎn)型

傳統(tǒng)的手機(jī)游戲物理肩鍵,存在以下三大主要痛點(diǎn)

  • 機(jī)械磨損(按鍵壽命約50萬(wàn)次)

  • 防水缺陷(物理縫隙導(dǎo)致IP68認(rèn)證困難)

  • 空間占用(單按鍵占用>35mm3)

在手機(jī)游戲肩鍵的方案應(yīng)用上,電容式防水肩鍵與傳統(tǒng)物理肩鍵之間,主要區(qū)別如下:

技術(shù)維度

電容式防水肩鍵

傳統(tǒng)物理肩鍵

觸發(fā)原理

電容耦合,基于人體靜電場(chǎng)與感應(yīng)電極形成耦合電容,無(wú)物理接觸,通過(guò)檢測(cè)電容變化量判斷按鍵狀態(tài)

機(jī)械觸點(diǎn),通過(guò)物理按壓使觸點(diǎn)閉合導(dǎo)通電路

IP68級(jí)防水

依托“無(wú)活動(dòng)部件”的結(jié)構(gòu)優(yōu)勢(shì),避免了按鍵開孔。通過(guò)多層密封、疏水性材料即可實(shí)現(xiàn)

需借助“彈性密封圈+精密公差控制+納米涂層輔助”等技術(shù),通過(guò)動(dòng)態(tài)密封結(jié)構(gòu)平衡按壓需求與防水可靠性,實(shí)現(xiàn)難度大

響應(yīng)速度

100Hz,得益于電容檢測(cè)電路的高速處理和信號(hào)傳輸

40Hz–50Hz(彈簧復(fù)位延遲),機(jī)械結(jié)構(gòu)的彈簧復(fù)位過(guò)程存在一定延遲,影響響應(yīng)速度

磨損壽命

無(wú)物理接觸,不存在磨損問題

觸點(diǎn)磨損,約 50 萬(wàn)次,頻繁按壓導(dǎo)致觸點(diǎn)氧化、磨損,降低按鍵壽命

安裝方式

直接貼合在絕緣面板(如玻璃、塑料)下方,無(wú)需預(yù)留按壓空間?

需通過(guò)螺絲、卡扣或焊接固定在設(shè)備外殼或電路板上。需預(yù)留按鍵下壓的物理空間,以保障觸發(fā)行程?

電容式方案的核心優(yōu)勢(shì)在于非接觸式觸發(fā),徹底解決了物理按鍵的磨損、進(jìn)灰、防水難題。通過(guò)算法優(yōu)化,其最小觸發(fā)距離已接近物理按鍵的鍵程體驗(yàn)。100Hz的響應(yīng)速度在《和平精英》《原神》等競(jìng)技游戲中可帶來(lái)明顯的操作優(yōu)勢(shì) 。

容式肩鍵的技術(shù)挑戰(zhàn):游戲肩鍵主要技術(shù)要求

電容式檢測(cè),主要依賴的是檢測(cè)電容的變化,來(lái)判斷是否為按鍵觸摸。檢測(cè)電容的變化量,與實(shí)際按壓的接觸面積,以及檢測(cè)電極上的介電常數(shù),有很大的相關(guān)性。

考慮到游戲場(chǎng)景下用戶的操作復(fù)雜性,每次按壓的實(shí)際接觸面積是不一致的,且可能存在邊緣觸摸的可能性(邊緣接觸面小,信號(hào)變化?。?,單一的閾值檢測(cè)的方案,無(wú)法覆蓋所有的接觸場(chǎng)景。另一方面,長(zhǎng)期使用,人手汗液會(huì)殘留在檢測(cè)電極表面,使電容變化量,較干燥場(chǎng)景下,變化更大,增加了誤觸發(fā)的風(fēng)險(xiǎn)。同時(shí),長(zhǎng)期使用,檢測(cè)電極表面溫度會(huì)上升,也會(huì)對(duì)檢測(cè)結(jié)果產(chǎn)生較大的干擾。

基于上述描述,電容式游戲按鍵,面臨的具體技術(shù)難點(diǎn),可總結(jié)如下:

1. 極速響應(yīng)與全區(qū)域觸發(fā) 

  • 干手快速點(diǎn)擊:響應(yīng)時(shí)間需實(shí)現(xiàn)100Hz以上,確保連擊操作無(wú)感知滯后。
  • 邊緣按壓:最低需要實(shí)現(xiàn)1/3鍵面的按壓識(shí)別(電極邊緣信號(hào)衰減導(dǎo)致靈敏度下降30%~50%)。

2. 復(fù)雜環(huán)境下的穩(wěn)定識(shí)別 

    • 帶水/汗操作:在 0.1~0.3ml 液體殘留(模擬洗手后未擦干狀態(tài))下保持>95%識(shí)別率。
    • 姿勢(shì)變化抗干擾:手指?jìng)?cè)滑/滾動(dòng)按壓時(shí),會(huì)導(dǎo)致接觸面積變化,信號(hào)特征不穩(wěn)定。

    3. 精細(xì)化觸發(fā)控制 

        • 輕觸識(shí)別:手指輕搭在接觸面上可識(shí)別 
        • 緩慢按壓:速度≥0.2mm/s 可識(shí)別
        • 長(zhǎng)按穩(wěn)定:持續(xù)10s+ 無(wú)斷觸
        • 懸空防誤觸:感應(yīng)距離≤2mm(精度±0.3mm)

        艾為游戲肩鍵算法方案:大禹防水算法

        在容式游戲肩鍵的應(yīng)用場(chǎng)景上,艾為有一套自研的成熟算法方案——大禹防水算法。該算法方案,是為了應(yīng)對(duì)游戲場(chǎng)景下的各類問題,定制開發(fā)的一種專用方案。目前,已在手機(jī)游戲肩鍵上應(yīng)用,市場(chǎng)端反饋良好。方案的技術(shù)特點(diǎn)如下:

        • 刷新速率可達(dá)到500HZ以上,滿足快速響應(yīng)的需求;
        • 最多支持三檔靈敏度的調(diào)節(jié),以適應(yīng)不同群體對(duì)響應(yīng)速度的要求;
        • 通過(guò)按壓信號(hào)的特征識(shí)別,實(shí)現(xiàn)高精度判別,提高了水、汗場(chǎng)景下識(shí)別的準(zhǔn)確率;
        • 采用階梯式分段的閾值設(shè)定策略,適應(yīng)不同手勢(shì)下的按鍵觸發(fā);
        • 自適應(yīng)基線調(diào)整策略,保證長(zhǎng)時(shí)使用的穩(wěn)定性;
        • 水量預(yù)測(cè)方案,根據(jù)信號(hào)特征,預(yù)測(cè)按鍵殘留的水量,采用特定的基線策略,應(yīng)對(duì)水量過(guò)多殘留的場(chǎng)景。


        1. 算法模塊框架

        該方案,算法在底層固件實(shí)現(xiàn)。上層可通過(guò)指令下發(fā)的方式,對(duì)初始電容狀態(tài)進(jìn)行校準(zhǔn),以及對(duì)靈敏度的設(shè)置。底層固件,經(jīng)過(guò)一系列算法處理,輸出算法判定后的觸摸、非觸摸狀態(tài),供上層處理。算法模塊框圖如下:

        圖1 算法模塊框圖

        2. 典型應(yīng)用場(chǎng)景下的數(shù)據(jù)展示

        針對(duì)游戲肩鍵場(chǎng)景下的幾種典型操作手法,進(jìn)行測(cè)試,數(shù)據(jù)特征如下(VALID表示有效信號(hào)量,STATUS0表示常規(guī)觸摸方案的觸摸狀態(tài),STATUS1表示“大禹防水”觸摸方案的觸摸狀態(tài)):
        • 干手點(diǎn)擊:

        圖2 干手點(diǎn)擊

        • 干手按壓變化按壓姿勢(shì):

        圖3 干手按壓變化按壓姿勢(shì)

        • 帶水點(diǎn)擊:

        圖4 帶水點(diǎn)擊

        從典型場(chǎng)景數(shù)據(jù)測(cè)試結(jié)果可以看出:
        1)“大禹防水”算法方案,在防水性能上優(yōu)于常規(guī)觸摸方案。在有水漬殘留的場(chǎng)景下,對(duì)數(shù)據(jù)趨勢(shì)的變化,更敏感,更易捕捉到離手動(dòng)作;
        2)“大禹防水”算法方案,在干手情況下,也能做到與常規(guī)觸摸方案等同的觸摸效果。

        艾為游戲肩鍵方案實(shí)施:芯片選型

        艾為游戲肩鍵應(yīng)用,算法集成在AW96205DNR系列芯片內(nèi),該款芯片的主要特性如下:

        圖5 AW96205DNR應(yīng)用框圖

        芯片特性介紹

        • 5通道高靈敏度 Cap Sensor

          -電容分辨率:1aF

          -補(bǔ)償電容:220 pF

          -高性能自適應(yīng)溫補(bǔ)算法

          -“大禹”防水防汗算法

          -程序靈活,支持客制化

          -10000次在線升級(jí)(OTA)

        • 低功耗

          -Active:22uA

          -Doze:6.7uA

          -Sleep:5.5uA

          -Deep Sleep: 2.5uA

        • I2C :400 kHz, 地址可擴(kuò)展

        • VCC:2.7~3.6V 

        • 內(nèi)存:16kB Flash,8kB RAM

        • 溫度:-40°C~85°C 

        責(zé)編: 愛集微
        來(lái)源:艾為之家 #艾為#
        THE END
        愛集微

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        郵箱:laoyaoba@gmail.com


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