市場(chǎng)有傳言稱，英偉達(dá)正探索將?12?英寸碳化硅（SiC）晶圓應(yīng)用于先進(jìn)封裝技術(shù)，旨在解決?AI?芯片愈發(fā)突出的散熱難題并提升性能。受此消息影響，A?股市場(chǎng)中相關(guān)的?SiC?企業(yè)股價(jià)出現(xiàn)大面積上漲。

英偉達(dá)的?AI?芯片（如?H100、H200）采用臺(tái)積電的?CoWoS?先進(jìn)封裝技術(shù)，通過硅中介層集成多個(gè)芯片和高帶寬內(nèi)存（HBM）。然而，隨著算力提升，芯片功耗和發(fā)熱急劇增加。例如，H100?的峰值功耗已超過?700W，而?HBM?堆疊層數(shù)的增加進(jìn)一步加劇了散熱壓力。傳統(tǒng)硅中介層的熱導(dǎo)率已難以滿足需求，而?SiC?的熱導(dǎo)率是硅的?2-3?倍，成為替代材料的理想選擇。

英偉達(dá)計(jì)劃在下一代?Rubin?處理器的?CoWoS?封裝中，逐步用?SiC?中介層替代硅基材料。SiC?不僅能提升散熱效率，還可通過非直線高深寬比通孔設(shè)計(jì)優(yōu)化布線密度，縮短互連長(zhǎng)度，從而提升芯片性能和小型化水平。

目前該技術(shù)仍處于研發(fā)階段。第一代?Rubin GPU?預(yù)計(jì)仍采用硅中介層，但臺(tái)積電已聯(lián)合設(shè)備廠商開發(fā)配套的激光切割設(shè)備。行業(yè)預(yù)計(jì)，最晚到?2027?年，隨著設(shè)備到位和技術(shù)成熟，SiC?將正式導(dǎo)入量產(chǎn)。

此外，12?英寸?SiC?襯底的量產(chǎn)能力正在快速提升。中國(guó)廠商如天科合達(dá)、晶盛機(jī)電已實(shí)現(xiàn)?12?英寸?N?型?4H-SiC?襯底的量產(chǎn)，日本?DISCO?的激光切割設(shè)備和應(yīng)用材料公司的工藝支持為技術(shù)落地提供了保障。盡管目前?12?英寸?SiC?襯底價(jià)格高達(dá)?2?萬(wàn)美元?/?片，但隨著規(guī)?；a(chǎn)，成本有望降至?8000?元人民幣以內(nèi)。

摩根士丹利預(yù)測(cè)，2025?年全球?CoWoS?封裝需求將激增，而?SiC?中介層的應(yīng)用將成為關(guān)鍵差異化因素。

盡管?AMD?在先進(jìn)封裝領(lǐng)域（如?MI300X?的?3.5D?封裝）已實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，但其目前未明確提及?SiC?中介層的應(yīng)用。英偉達(dá)的技術(shù)轉(zhuǎn)向可能進(jìn)一步鞏固其在高端?AI?芯片市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。