1.跨界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，聚和材料擬3.5億元收購(gòu)SKE空白掩模業(yè)務(wù)
2.星鑰半導(dǎo)體8英寸Micro-LED芯片中試線在武漢通線
3.3億元半導(dǎo)體晶圓載具項(xiàng)目落戶海門(mén)
4.晶存旗下妙存科技發(fā)布重磅新品 QLC NAND UFS 2.2 存儲(chǔ)器
5.成都華微與客戶X正式簽署采購(gòu)協(xié)議，合同金額達(dá)1.05億元
6.臺(tái)基股份擬1億元投設(shè)新公司，加速車規(guī)級(jí)、光伏級(jí)功率器件布局
1.跨界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，聚和材料擬3.5億元收購(gòu)SKE空白掩模業(yè)務(wù)
常州聚和新材料股份有限公司（688503.SH，簡(jiǎn)稱“聚和材料”）9月9日公告，公司與韓投伙伴（上海）創(chuàng)業(yè)投資管理有限責(zé)任公司共同設(shè)立特殊目的公司（SPC），以現(xiàn)金680億韓元（約合人民幣3.5億元）收購(gòu)SK Enpulse株式會(huì)社（SKE）旗下空白掩模（Blank Mask）業(yè)務(wù)全部資產(chǎn)，包括土地、廠房、設(shè)備、專利、技術(shù)及人員等。交易完成后，聚和材料將間接持有目標(biāo)公司不低于95%股權(quán)，實(shí)現(xiàn)對(duì)該業(yè)務(wù)的絕對(duì)控股。
空白掩模是半導(dǎo)體光刻工藝中的核心基礎(chǔ)材料，廣泛應(yīng)用于DUV-ArF、DUV-KrF等技術(shù)節(jié)點(diǎn)，是芯片制造過(guò)程中不可或缺的“底片”。目前，全球Blank Mask市場(chǎng)由日韓美企業(yè)主導(dǎo)，國(guó)內(nèi)產(chǎn)能尚處起步階段。聚和材料表示，通過(guò)本次收購(gòu)，公司將直接獲得已量產(chǎn)并通過(guò)多家晶圓廠驗(yàn)證的產(chǎn)品線與客戶資源，快速切入半導(dǎo)體關(guān)鍵材料領(lǐng)域，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈空白。
根據(jù)協(xié)議，SKE將先以“物的分立”方式設(shè)立新公司Lumina Mask株式會(huì)社（暫定名），再把其Blank Mask事業(yè)部整體注入。聚和材料將在交割前設(shè)立境內(nèi)SPC承接股權(quán)，并于2026年1月30日前完成支付與過(guò)戶。交易對(duì)價(jià)分兩步支付：簽約后3個(gè)工作日內(nèi)支付定金126億韓元（約6,300萬(wàn)元），余款在交割日一次性付清。定金采用監(jiān)管賬戶模式，確保資金安全。
財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，擬注入目標(biāo)公司2024年末總資產(chǎn)約2.56億元，凈資產(chǎn)2.51億元；受產(chǎn)能爬坡及研發(fā)攤銷影響，當(dāng)年?duì)I收4,300萬(wàn)元，EBITDA為-4,600萬(wàn)元。聚和材料認(rèn)為，隨著韓國(guó)產(chǎn)線訂單放量及后續(xù)中國(guó)產(chǎn)能落地，標(biāo)的業(yè)務(wù)有望快速扭虧，并與公司現(xiàn)有電子漿料業(yè)務(wù)形成“漿—粉—膠—Mask”泛半導(dǎo)體材料平臺(tái)，顯著提升綜合毛利率和抗周期能力。
聚和材料董事長(zhǎng)劉濤表示：“公司光伏導(dǎo)電漿料已連續(xù)三年全球市占率第一，但單一行業(yè)依賴度過(guò)高。收購(gòu)Blank Mask業(yè)務(wù)是落實(shí)‘平臺(tái)化材料強(qiáng)企’戰(zhàn)略的重要落子，既能響應(yīng)國(guó)家‘自主可控’號(hào)召，又能借助稀缺技術(shù)與客戶資源，打造第二增長(zhǎng)曲線?！?/p>
未來(lái)五年，聚和材料計(jì)劃：
l 保留并激勵(lì)韓籍核心團(tuán)隊(duì)，確保技術(shù)持續(xù)領(lǐng)先；
l 派遣高級(jí)管理及銷售團(tuán)隊(duì)，拓展中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣及東南亞市場(chǎng)；
l 擇機(jī)在國(guó)內(nèi)新建或擴(kuò)建Blank Mask產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)本土化生產(chǎn)與服務(wù)，降低匯率及運(yùn)輸風(fēng)險(xiǎn)。
本次交易尚需取得中韓兩國(guó)政府境外投資備案、反壟斷審查等監(jiān)管批準(zhǔn)，能否順利完成交割存在不確定性。公司同時(shí)提示，收購(gòu)?fù)瓿珊罂赡墚a(chǎn)生商譽(yù)，若整合不及預(yù)期或市場(chǎng)環(huán)境變化，存在商譽(yù)減值及匯率波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)。公司將通過(guò)完善內(nèi)控、套期保值及本土化運(yùn)營(yíng)等措施積極應(yīng)對(duì)，并按規(guī)定及時(shí)披露進(jìn)展。
資料顯示，常州聚和新材料股份有限公司成立于2013年，主營(yíng)光伏導(dǎo)電漿料、半導(dǎo)體封裝漿料、導(dǎo)熱材料及電子膠，2022年登陸科創(chuàng)板。公司堅(jiān)持“內(nèi)生+外延”雙輪驅(qū)動(dòng)，目前已服務(wù)全球120余家光伏與半導(dǎo)體客戶，光伏正銀漿料年產(chǎn)能超2,000噸，市占率連續(xù)多年位居全球第一。
2.星鑰半導(dǎo)體8英寸Micro-LED芯片中試線在武漢通線
據(jù)中國(guó)光谷官微消息，9月8日上午，星鑰半導(dǎo)體微型發(fā)光二極管（Micro-LED）生產(chǎn)線在武漢光谷正式通線，成為國(guó)內(nèi)首條8英寸硅基氮化鎵Micro-LED芯片中試線。
據(jù)悉，Micro-LED是下一代顯示技術(shù)的重要方向，核心是將第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵的發(fā)光單元微縮至微米級(jí)乃至納米級(jí)，并高度集成陣列，具有響應(yīng)速度極快、對(duì)比度與色彩飽和度卓越、穩(wěn)定性高和壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，適合近眼顯示應(yīng)用。
資料顯示，星鑰半導(dǎo)體于2024年10月落戶光谷，僅用8個(gè)月時(shí)間完成了廠房建設(shè)、設(shè)備搬入，知識(shí)產(chǎn)權(quán)數(shù)量突破百件。星鑰半導(dǎo)體采用8寸硅基氮化鎵LED外延技術(shù)，因成熟的無(wú)損去硅技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)極佳良率，同時(shí)與8寸CMOS半導(dǎo)體芯片工藝高度兼容，產(chǎn)品可應(yīng)用于AR/MR眼鏡。（校對(duì)/李梅）
3.3億元半導(dǎo)體晶圓載具項(xiàng)目落戶海門(mén)
根據(jù)公開(kāi)信息，9月8日，海門(mén)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)與韓國(guó)JHONE公司正式簽署半導(dǎo)體晶圓載具項(xiàng)目投資協(xié)議，標(biāo)志著又一國(guó)際高端半導(dǎo)體項(xiàng)目扎根海門(mén)，為海門(mén)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)能。區(qū)委副書(shū)記、區(qū)長(zhǎng)陳威濤出席見(jiàn)證簽約活動(dòng)。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是海門(mén)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)錨定的“新興賽道主力軍”產(chǎn)業(yè)。近年來(lái)，開(kāi)發(fā)區(qū)圍繞半導(dǎo)體設(shè)備、關(guān)鍵材料、超精密加工核心零部件、先進(jìn)封裝測(cè)試等關(guān)鍵方向，持續(xù)加大招商引資與項(xiàng)目建設(shè)，全力打造半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地。今年以來(lái)，開(kāi)發(fā)區(qū)已成功招引包括見(jiàn)真精密機(jī)械在內(nèi)的9個(gè)優(yōu)質(zhì)項(xiàng)目，產(chǎn)業(yè)鏈“拼圖”不斷完善，產(chǎn)業(yè)集聚效應(yīng)初顯。
此次簽約的韓國(guó)JHONE公司，是全球少數(shù)能在OLED及半導(dǎo)體領(lǐng)域研發(fā)制造高精度零部件與核心耗材的企業(yè)，主要生產(chǎn)DSP12英寸晶圓載具、FMMsticker掩膜棒（陶瓷涂層）、POLIME聚合物以及半導(dǎo)體高端精密部件，并憑借領(lǐng)先的研發(fā)能力成為國(guó)際知名企業(yè)供應(yīng)商。
落地海門(mén)的半導(dǎo)體晶圓載具項(xiàng)目，總投資達(dá)3億元，其中設(shè)備投資1.8億元，擬打造半導(dǎo)體及顯示耗材平臺(tái)，主要建設(shè)涵蓋大硅片DSP Carrier和OLED CVD FMM Sticker等，以核心產(chǎn)品半導(dǎo)體及顯示耗材為基礎(chǔ)，后期拓展晶圓盒和靜電卡盤(pán)等多品類半導(dǎo)體耗材。海門(mén)區(qū)委常委、海門(mén)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)黨工委副書(shū)記宋涯參加活動(dòng)。
4.晶存旗下妙存科技發(fā)布重磅新品 QLC NAND UFS 2.2 存儲(chǔ)器
在智能終端不斷追求高性能與大容量的今天，QLC NAND UFS 存儲(chǔ)器正成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。相比傳統(tǒng) TLC 架構(gòu)，QLC 具備更高的存儲(chǔ)密度與更高性價(jià)比，但同時(shí)也對(duì)存儲(chǔ)控制器與固件提出了更高的要求。
基于在主控芯片技術(shù)的長(zhǎng)期積累和研發(fā)投入，晶存旗下妙存科技推出了新品QLC NAND UFS 2.2 存儲(chǔ)器。值得一提的是，妙存科技已于去年底率先發(fā)布 UFS 控制器及模組產(chǎn)品。本次新品的推出，旨在為終端市場(chǎng)提供性能與高性價(jià)比兼具的存儲(chǔ)方案選擇。
依托自主研發(fā)的控制器技術(shù)與持續(xù)優(yōu)化的固件方案，妙存科技 QLC NAND UFS 2.2 存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)了容量與性能的精準(zhǔn)平衡，具備出色的性能表現(xiàn)與穩(wěn)定運(yùn)行能力，能夠更好地釋放 QLC NAND 的潛能，滿足終端設(shè)備在系統(tǒng)啟動(dòng)、應(yīng)用加載和交互響應(yīng)等多樣化場(chǎng)景中的需求。
妙存科技QLC NAND UFS 2.2 存儲(chǔ)器核心優(yōu)勢(shì)
01 自研控制器 + 特制固件優(yōu)化
搭載自研 UFS 控制器芯片 ATM102，針對(duì) QLC NAND 特性進(jìn)行深度分析，軟硬件結(jié)合優(yōu)化固件設(shè)計(jì)。
特制固件能有效提升 QLC NAND 的讀寫(xiě)效率與壽命、能耗表現(xiàn)，確保產(chǎn)品穩(wěn)定可靠。
02 性能出色，表現(xiàn)遠(yuǎn)超 eMMC
QLC NAND UFS 2.2 存儲(chǔ)器綜合性能約為 eMMC 的 3 倍，價(jià)格接近 eMMC，并在部分指標(biāo)上優(yōu)于 TLC UFS 2.2。
順序讀取 >900MB/s
順序?qū)懭?>800MB/s
隨機(jī)讀寫(xiě)均可超過(guò)500MB/s，部分指標(biāo)甚至優(yōu)于 TLC NAND UFS 2.2 產(chǎn)品。
03 靈活容量選擇
目前產(chǎn)品覆蓋128GB、256GB和512GB三大容量段，未來(lái)將進(jìn)一步推出1TB和2TB超大容量產(chǎn)品，滿足從中端到高端設(shè)備的多樣化需求。
04 廣泛應(yīng)用場(chǎng)景
產(chǎn)品適用于智能手機(jī)、平板電腦等消費(fèi)電子終端，與主流的主控平臺(tái)完成兼容性適配，為 OEM 廠商提供大容量、高性價(jià)比、高性能的理想存儲(chǔ)方案。
此次推出的 QLC NAND UFS 2.2 存儲(chǔ)器，不僅是妙存科技在大容量與高性價(jià)比存儲(chǔ)探索上的重要實(shí)踐，更是公司持續(xù)創(chuàng)新的成果落地，彰顯了其深耕存儲(chǔ)領(lǐng)域、聚焦核心技術(shù)突破的研發(fā)定力，為后續(xù)產(chǎn)品迭代升級(jí)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
未來(lái)，妙存科技將繼續(xù)以市場(chǎng)需求為核心導(dǎo)向，依托自研控制器、定制化固件與整機(jī)解決方案的技術(shù)沉淀，通過(guò)持續(xù)優(yōu)化與迭代，為客戶提供更適配場(chǎng)景的高效可靠存儲(chǔ)解決方案；同時(shí)，以技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)消費(fèi)終端存儲(chǔ)能力升級(jí)，助力終端設(shè)備在性能突破與容量拓展上實(shí)現(xiàn)新跨越，共同邁向更高階的存儲(chǔ)應(yīng)用新時(shí)代。（來(lái)源： 晶存科技）
5.成都華微與客戶X正式簽署采購(gòu)協(xié)議，合同金額達(dá)1.05億元
成都華微電子科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱“成都華微”，證券代碼：688709）9月9日發(fā)布補(bǔ)充公告，公司與國(guó)內(nèi)某大型國(guó)有設(shè)備企業(yè)（客戶X）正式簽署《采購(gòu)框架協(xié)議》，將為客戶分批供應(yīng)HWD9213、HWD08B64等高速高精度A/D轉(zhuǎn)換器，合同含稅總金額1.05億元，預(yù)計(jì)占公司2024年度模擬芯片銷售收入的31.91%。
根據(jù)協(xié)議，客戶X可依據(jù)市場(chǎng)變化提前3日書(shū)面調(diào)整采購(gòu)計(jì)劃，具體數(shù)量與交付周期以另行簽署的采購(gòu)訂單為準(zhǔn)。合同未設(shè)置最低采購(gòu)量約束，但明確違約責(zé)任：若客戶未提前通知或未按生效訂單履約，須賠償公司直接損失；若公司未能按時(shí)交付，亦將承擔(dān)相應(yīng)違約責(zé)任。雙方已完成信息披露豁免程序，客戶詳細(xì)信息脫密處理。
此次訂單的核心產(chǎn)品——
l HWD9213：國(guó)內(nèi)首款基于28nm工藝、獨(dú)立封裝的12位8Gsps高速ADC，輸入帶寬5.2GHz，功耗＜3W，支持16對(duì)JESD204B高速接口，已于2023年1月正式量產(chǎn)；
l HWD08B64：8位64Gsps超高速ADC，面向高端儀器儀表與集成電路測(cè)試設(shè)備，技術(shù)參數(shù)與國(guó)際一線廠商對(duì)標(biāo)，2024年12月發(fā)布。
成都華微表示，本次框架協(xié)議的簽訂標(biāo)志著公司高速高精ADC產(chǎn)品繼通信、雷達(dá)之后，在國(guó)產(chǎn)測(cè)試儀器與設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量突破，進(jìn)一步鞏固了公司在高端模擬芯片市場(chǎng)的技術(shù)領(lǐng)先地位。若后續(xù)訂單順利執(zhí)行，將對(duì)公司2025—2027年度營(yíng)業(yè)收入及凈利潤(rùn)產(chǎn)生積極影響，并有助于降低對(duì)進(jìn)口器件的依賴，提升供應(yīng)鏈安全水平。
公司同時(shí)提醒，合同履行仍可能受到宏觀環(huán)境、政策調(diào)整及技術(shù)迭代等不確定因素影響，具體收入確認(rèn)將以實(shí)際交付訂單為準(zhǔn)。公司將持續(xù)做好產(chǎn)能調(diào)配與質(zhì)量管控，確保按期交付。
6.臺(tái)基股份擬1億元投設(shè)新公司，加速車規(guī)級(jí)、光伏級(jí)功率器件布局
湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司（證券代碼：300046，簡(jiǎn)稱“臺(tái)基股份”）9月9日公告，公司審議通過(guò)了《關(guān)于對(duì)外投資設(shè)立全資子公司的議案》，擬以自有資金或自籌資金出資10,000萬(wàn)元，在武漢東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)設(shè)立“臺(tái)基半導(dǎo)體技術(shù)（武漢）有限公司”，進(jìn)一步完善功率半導(dǎo)體、集成電路及光電子器件的研發(fā)、制造與銷售體系。
公告顯示，新子公司注冊(cè)資本1億元，選址武漢未來(lái)科技城，經(jīng)營(yíng)范圍涵蓋技術(shù)服務(wù)、集成電路設(shè)計(jì)、電力電子及半導(dǎo)體分立器件制造銷售、光電子器件等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)。臺(tái)基股份表示，此次投資不涉及關(guān)聯(lián)交易，也不構(gòu)成重大資產(chǎn)重組，無(wú)需提交股東大會(huì)審議。
公司指出，面對(duì)新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)控制等下游需求快速擴(kuò)容，功率半導(dǎo)體器件迎來(lái)量?jī)r(jià)齊升窗口期。設(shè)立武漢子公司是臺(tái)基股份落實(shí)“技術(shù)+產(chǎn)能”雙輪驅(qū)動(dòng)戰(zhàn)略的關(guān)鍵一步，將依托光谷的人才與供應(yīng)鏈優(yōu)勢(shì)，聚焦高端芯片設(shè)計(jì)、器件封裝測(cè)試及前沿材料研究，持續(xù)提升技術(shù)壁壘和規(guī)?；圃炷芰?，為母公司貢獻(xiàn)新的利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn)。
臺(tái)基股份強(qiáng)調(diào)，出資資金全部來(lái)源于自有資金或合法自籌渠道，不會(huì)對(duì)現(xiàn)有財(cái)務(wù)狀況和日常經(jīng)營(yíng)造成重大影響，也不存在損害股東利益的情形。未來(lái)子公司將獨(dú)立運(yùn)營(yíng)、獨(dú)立核算，上市公司將通過(guò)派駐董事及內(nèi)審機(jī)制強(qiáng)化風(fēng)險(xiǎn)管控，確保投資安全與收益。
業(yè)內(nèi)人士分析，臺(tái)基股份核心產(chǎn)品晶閘管、IGBT、MOSFET等已在工業(yè)電源、輸配電、軌道交通領(lǐng)域具備領(lǐng)先地位。武漢子公司的落地，有望借助地域人才與政策紅利，加速公司在車規(guī)級(jí)、光伏級(jí)功率器件的布局，提升其在高端功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的綜合競(jìng)爭(zhēng)力。
