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積塔半導(dǎo)體“一種晶圓研磨墊”專利獲授權(quán)

來源:愛集微 #積塔半導(dǎo)體# #積塔半導(dǎo)#
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天眼查顯示,上海積塔半導(dǎo)體有限公司近日取得一項(xiàng)名為“一種晶圓研磨墊”的專利,授權(quán)公告號(hào)為CN221135468U,授權(quán)公告日為2024年6月14日,申請(qǐng)日為2023年11月17日。

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N晶圓研磨墊,應(yīng)用于晶圓研磨技術(shù)領(lǐng)域,其中包括墊體,所述墊體呈圓形,所述研磨墊開設(shè)有多個(gè)環(huán)形溝槽,所述環(huán)形溝槽同圓心設(shè)置,所述環(huán)形溝槽的圓心為墊體的圓心,圓心最外側(cè)的所述環(huán)形溝槽背離圓心一側(cè)設(shè)置有多個(gè)摩擦溝槽,所述摩擦溝槽的一端與圓心最外側(cè)的環(huán)形溝槽連通,所述摩擦溝槽遠(yuǎn)離環(huán)形溝槽的一端貼近于墊體的外側(cè)壁。當(dāng)需要對(duì)晶圓進(jìn)行研磨時(shí),研磨液被滴落到墊體的環(huán)形溝槽和摩擦溝槽中,研磨頭帶動(dòng)晶圓轉(zhuǎn)動(dòng)和移動(dòng),晶圓與墊體相接觸,位于邊緣位置的摩擦溝槽增加了晶圓與墊體的接觸面積,提高了邊緣位置對(duì)晶圓的摩擦速率,降低了因研磨墊邊緣位置與中間位置研磨速率不同對(duì)晶圓良率的影響。

責(zé)編: 趙碧瑩
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THE END

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