6月24日，2023年度國家科學(xué)技術(shù)獎勵大會在北京人民大會堂盛大舉行。大族激光旗下全資子公司大族半導(dǎo)體攜手廣東工業(yè)大學(xué)等合作伙伴共同研發(fā)的“面向高性能芯片的高密度互連封裝制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備”榮獲國家科技進步獎二等獎。

大族半導(dǎo)體與廣東工業(yè)大學(xué)陳新教授團隊等長期深入產(chǎn)學(xué)研合作，突破了半導(dǎo)體激光精細加工技術(shù)與裝備多項關(guān)鍵技術(shù)，形成了行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢。成果獲得國內(nèi)國際一流龍頭企業(yè)的嚴格認證與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。項目有力推動了高性能芯片高密度互連封裝制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備的自主可控，為我國電子制造產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展做出了突出貢獻。

此前，“面向高性能芯片的高密度互連封裝制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備”項目暨“電子器件高密度封裝的微細陣列制造關(guān)鍵技術(shù)與裝備”項目入選2023年度廣東省科學(xué)技術(shù)獎技術(shù)發(fā)明獎一等獎公示名單。

大族半導(dǎo)體新型SDBG工藝激光改質(zhì)切割裝備

示例機型:DSI-S-TC9212

應(yīng)用領(lǐng)域

SDBG工藝主要應(yīng)用于存儲器封裝過程中的晶圓切割工序。隨著智能手機以及平板電腦的薄型化、大容量化的發(fā)展，市場對閃存(Flash Memory)、內(nèi)存控制器(Memory Controller)薄型化的要求也不斷提升，存儲器晶圓通常為12寸，晶粒最終厚度最薄可達30μm，采用傳統(tǒng)的先研磨減薄后切割的工藝方式容易造成傳輸過程中晶圓碎裂或切割完成后出現(xiàn)崩邊、裂DIE等不良，無法實現(xiàn)可靠量產(chǎn)，采用SDBG工藝可以有效解決上述問題。

設(shè)備優(yōu)勢

● 數(shù)位光學(xué)空間光同步調(diào)制技術(shù)

● 優(yōu)秀的切割品質(zhì)，高質(zhì)量低Splash（散射/激光熱影響）

● 高效率高產(chǎn)出，Multi Beam(多光點)切割

● AI深度學(xué)習(xí)，搭載高精度機器視覺系統(tǒng)

● 高速度高精度運動控制系統(tǒng)技術(shù)

主要參數(shù)

實例效果

大族半導(dǎo)體憑借卓越的技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)學(xué)研的深度合作以及研發(fā)成果的廣泛應(yīng)用，榮膺2023年度國家科學(xué)技術(shù)進步獎二等獎，這一殊榮不僅彰顯了我司技術(shù)領(lǐng)域的高度成就，更是對我司產(chǎn)學(xué)研一體化模式的充分認可。展望未來，大族半導(dǎo)體將堅守科技創(chuàng)新，持續(xù)推動電子制造領(lǐng)域的技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)升級，為整個產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展注入源源不斷的強勁動力。