臺(tái)積電在經(jīng)歷2022年末的庫(kù)存調(diào)整后，進(jìn)一步鞏固了其行業(yè)主導(dǎo)地位，先進(jìn)制程產(chǎn)能利用率保持高位。Counterpoint數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電的3nm制程成為史上最快達(dá)成全面利用的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，僅在量產(chǎn)后第五個(gè)季度就實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能滿載，創(chuàng)下新紀(jì)錄。這一成就主要得益于蘋(píng)果A17 Pro/A18 Pro芯片、x86 PC處理器及其他AP SoC的強(qiáng)勁需求。

此外，AI相關(guān)產(chǎn)品需求的激增也助力5/4nm制程在庫(kù)存調(diào)整期后迅速恢復(fù)增長(zhǎng)。NVIDIA Rubin GPU、Google TPU v7、AWS Trainium 3等專(zhuān)有AI芯片的相繼推出，推動(dòng)了AI與高性能計(jì)算（HPC）應(yīng)用的需求持續(xù)攀升，從而帶動(dòng)了5/4nm制程產(chǎn)能的顯著提升。

智能手機(jī)市場(chǎng)已有的7/6nm和5/4nm制程初期增長(zhǎng)相對(duì)緩慢。盡管7/6nm曾憑借智能手機(jī)需求大漲實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能滿載，但隨后增長(zhǎng)放緩；而5/4nm在2023年年中再次增長(zhǎng)，受NVIDIA H100、B100、B200及GB200等AI加速芯片需求激增的推動(dòng)，產(chǎn)能持續(xù)恢復(fù)。

就未來(lái)制程發(fā)展而言，Counterpoint認(rèn)為，臺(tái)積電2nm制程有望在量產(chǎn)后第四個(gè)季度實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能滿載，打破歷史紀(jì)錄。這主要得益于智能手機(jī)和AI應(yīng)用的雙重需求，與臺(tái)積電2025年Q1財(cái)報(bào)電話會(huì)議中的戰(zhàn)略判斷相一致。臺(tái)積電預(yù)計(jì)，受智能手機(jī)與HPC應(yīng)用的推動(dòng)，2nm技術(shù)的流片數(shù)量將在頭兩年超越3nm和5/4nm同期水平。

為滿足美國(guó)消費(fèi)者需求并減輕地緣政治風(fēng)險(xiǎn)，臺(tái)積電向亞利桑那州工廠投資1650億美元，該廠將涵蓋4nm、3nm、2nm及更先進(jìn)制程。盡管核心研發(fā)在中國(guó)臺(tái)灣，但美國(guó)產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張最終可能占據(jù)臺(tái)積電2nm及以下制程產(chǎn)能的30%。這種雙重布局戰(zhàn)略不僅增強(qiáng)了臺(tái)積電的地緣政治韌性，還保證了產(chǎn)能與客戶需求同步增長(zhǎng)，特別是在AI和HPC領(lǐng)域，并確保公司在2030年后持續(xù)保持先進(jìn)制程的高利用率。