屹唐半導(dǎo)體“用于半導(dǎo)體工件的低壓氧化處理方法和裝置”專利獲授權(quán)

作者：愛(ài)集微 2024-09-02

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天眼查顯示，北京屹唐半導(dǎo)體科技股份有限公司近日取得一項(xiàng)名為“用于半導(dǎo)體工件的低壓氧化處理方法和裝置”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN116844939B，授權(quán)公告日為2024年8月13日，申請(qǐng)日為2023年7月6日。

本發(fā)明提供了一種用于半導(dǎo)體工件的低壓氧化處理方法和低壓氧化處理裝置。所述低壓氧化處理方法包括步驟：對(duì)反應(yīng)腔室抽吸，使得所述反應(yīng)腔室的壓力低于760托；向所述反應(yīng)腔室輸入包括氫氣和氧氣的工藝氣體；使所述反應(yīng)腔室內(nèi)的溫度升高至使所述工藝氣體生成氧自由基；使所述半導(dǎo)體工件暴露于所述氧自由基中，以在所述半導(dǎo)體工件的表面形成氧化物膜。本發(fā)明的方法利用在低壓下由包括氫氣和氧氣的工藝氣體形成的氧自由基與半導(dǎo)體工件表面反應(yīng)，以形成氧化物膜，使得氧化物膜層的均勻度更高，缺陷更少，氧化深度更易控制。