1.AI支出上升，微軟大規(guī)模裁員！對(duì)程序員打擊最大

2.華天科技力學(xué)仿真，樹(shù)立封裝行業(yè)“設(shè)計(jì)即可靠”新標(biāo)桿

3.vivo啟動(dòng)校園招聘“藍(lán)極星計(jì)劃” 招募芯片、AI大模型、XR等領(lǐng)域頂尖人才

4.3D-IC競(jìng)爭(zhēng)白熱化！誰(shuí)將稱(chēng)霸下一代芯片？

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1.AI支出上升，微軟大規(guī)模裁員！對(duì)程序員打擊最大

微軟公司近期宣布的裁員對(duì)公司產(chǎn)品開(kāi)發(fā)人員的打擊最為嚴(yán)重，這表明在人工智能（AI）時(shí)代，即使是軟件開(kāi)發(fā)人員也面臨風(fēng)險(xiǎn)。

據(jù)查閱的華盛頓州文件顯示，在微軟總部所在地華盛頓州，軟件工程是迄今為止收到裁員通知的最大的單一工種，占裁員總數(shù)（約2000個(gè)）的40%以上，人數(shù)為817人。

微軟近期宣布，將在全公司范圍內(nèi)裁員約6000人。華盛頓州的數(shù)據(jù)約占總數(shù)的三分之一。

隨著微軟及其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手在A(yíng)I領(lǐng)域投入巨資，他們正在仔細(xì)審查成本并重新調(diào)整預(yù)算優(yōu)先級(jí)。最近幾周，微軟高管承諾在巨額數(shù)據(jù)中心建設(shè)投資中控制支出。

與此同時(shí)，能夠編寫(xiě)或分析代碼的AI工具正在自動(dòng)化軟件開(kāi)發(fā)的各個(gè)環(huán)節(jié)，而這些環(huán)節(jié)此前通常由工程師在鍵盤(pán)上敲打完成。微軟CEO薩蒂亞·納德拉 (Satya Nadella) 今年4月表示，目前部分項(xiàng)目多達(dá)30%的代碼是由AI編寫(xiě)的。

多家科技公司正在重塑其員工隊(duì)伍，專(zhuān)注于A(yíng)I。今年早些時(shí)候，Salesforce計(jì)劃裁員1000多人，以招聘專(zhuān)注于A(yíng)I的銷(xiāo)售人員，尤其是在銷(xiāo)售領(lǐng)域。Salesforce CEO Marc Benioff還表示，由于A(yíng)I的使用，公司將在2025年減少工程師的招聘。Workday今年2月宣布裁員時(shí)，CEO Carl Eschenbach表示，將繼續(xù)在A(yíng)I等戰(zhàn)略領(lǐng)域招聘。

除了軟件工程師之外，許多受影響最嚴(yán)重的微軟員工都負(fù)責(zé)軟件項(xiàng)目。產(chǎn)品管理和技術(shù)項(xiàng)目管理崗位加起來(lái)占華盛頓州裁員人數(shù)的近600人，約占裁員總數(shù)的30%。

據(jù)知情人士透露，此次裁員還針對(duì)一些負(fù)責(zé)AI項(xiàng)目的管理人員和員工。數(shù)據(jù)顯示，銷(xiāo)售或市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)等面向客戶(hù)的職位受影響較小。

微軟表示，此次裁員旨在減少管理層級(jí)。但目前尚不清楚實(shí)際裁員幅度。在華盛頓被裁的員工中，約有17%是管理人員。根據(jù)提交給美國(guó)平等就業(yè)機(jī)會(huì)委員會(huì)的一份勞動(dòng)力報(bào)告，到2023年底，微軟在整個(gè)運(yùn)營(yíng)部門(mén)雇用的管理人員比例大致相同。

2.華天科技力學(xué)仿真，樹(shù)立封裝行業(yè)“設(shè)計(jì)即可靠”新標(biāo)桿

在A(yíng)I、智能駕駛、5G通信等新興技術(shù)的強(qiáng)勢(shì)驅(qū)動(dòng)下，半導(dǎo)體封裝行業(yè)正站在技術(shù)變革的風(fēng)口浪尖。芯片尺寸的持續(xù)增加、互連密度的顯著攀升，使得封裝結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜，產(chǎn)品可靠性面臨著前所未有的嚴(yán)苛考驗(yàn)?，F(xiàn)代設(shè)計(jì)方法表明：產(chǎn)品設(shè)計(jì)決定75%的產(chǎn)品成本。潛在問(wèn)題越早得到解決，設(shè)計(jì)、制造成本與周期的降低效果越明顯。在芯片設(shè)計(jì)公司面臨日益增長(zhǎng)的縮短開(kāi)發(fā)周期、加快產(chǎn)品上市挑戰(zhàn)，以及各類(lèi)先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新趨勢(shì)下，仿真分析在封裝設(shè)計(jì)階段就應(yīng)該進(jìn)行，甚至前移到概念設(shè)計(jì)階段的觀(guān)念越來(lái)越深入人心。

通常，一個(gè)封裝系統(tǒng)要同時(shí)進(jìn)行電、熱、應(yīng)力、模流等多方位的仿真分析，其中，熱機(jī)械應(yīng)力所誘發(fā)的翹曲、分層、bump crack、ELK crack及trace crack等力學(xué)失效問(wèn)題，已然成為左右產(chǎn)品良率的關(guān)鍵因素，工程師們迫切尋求高效且經(jīng)濟(jì)的創(chuàng)新解決方案，力學(xué)仿真技術(shù)正成為破解可靠性難題的“金鑰匙”。依托業(yè)界領(lǐng)先的CAE平臺(tái)，工程師得以在數(shù)字化環(huán)境中，實(shí)現(xiàn)從材料篩選、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)到工藝參數(shù)驗(yàn)證的全流程優(yōu)化，有效提升產(chǎn)品的可靠性指標(biāo)。這種基于虛擬驗(yàn)證的開(kāi)發(fā)策略顯著提升了研發(fā)效率，在確保產(chǎn)品力學(xué)性能達(dá)標(biāo)的同時(shí)，大幅降低了開(kāi)發(fā)成本和周期，為封裝產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)保障。

從定性到定量：封裝力學(xué)仿真重塑可靠性設(shè)計(jì)范式

作為國(guó)內(nèi)少數(shù)擁有全流程仿真能力及獨(dú)立仿真團(tuán)隊(duì)的封測(cè)企業(yè)之一，華天科技依托14年的技術(shù)積淀，構(gòu)建了覆蓋力學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)及模流分析的多物理場(chǎng)仿真體系?；谪S富的工程實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，其“仿真即服務(wù)”模式已在FCBGA、SiP等高端封裝領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)商業(yè)化突破，幫助客戶(hù)提升產(chǎn)品良率，創(chuàng)造了可觀(guān)的經(jīng)濟(jì)效益。如今，華天科技的仿真團(tuán)隊(duì)正以數(shù)據(jù)為紐帶，面向全球市場(chǎng)提供涵蓋設(shè)計(jì)驗(yàn)證、工藝優(yōu)化到量產(chǎn)支持的全流程仿真服務(wù)，推動(dòng)封裝技術(shù)從經(jīng)驗(yàn)驅(qū)動(dòng)邁向智能驅(qū)動(dòng)的全新階段。

當(dāng)前封裝力學(xué)仿真大多停留在定性分析層面，主要通過(guò)參數(shù)趨勢(shì)性研究評(píng)估產(chǎn)品力學(xué)特性。華天科技仿真團(tuán)隊(duì)在翹曲分析方面，系統(tǒng)研究了塑封料CTE、Core材CTE、Core厚度及Soldermask厚度等關(guān)鍵參數(shù)的影響規(guī)律，建立了完整的定性分析框架（如下圖所示）。

不過(guò)，這種傳統(tǒng)定性方法存在顯著局限。一方面，基于理論推演的趨勢(shì)分析無(wú)法提供精確仿真數(shù)值指導(dǎo)設(shè)計(jì)；另一方面，在新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)階段難以提供具體設(shè)計(jì)參數(shù)，在失效分析時(shí)也無(wú)法確定關(guān)鍵參數(shù)的臨界閾值（如最大允許應(yīng)力值）。

而定量仿真分析可明確輸出最優(yōu)材料組合方案、關(guān)鍵尺寸公差范圍與失效預(yù)警閾值等三大核心指標(biāo)，為封裝設(shè)計(jì)提供更為精準(zhǔn)的數(shù)據(jù)。因此，行業(yè)亟需從定性向定量分析轉(zhuǎn)型，通過(guò)構(gòu)建材料參數(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)、開(kāi)發(fā)多物理場(chǎng)耦合算法，可大幅提升翹曲與應(yīng)力分析的精度水平。

翹曲與應(yīng)力定量分析：封裝可靠性提升的密碼

華天科技仿真團(tuán)隊(duì)已率先推動(dòng)行業(yè)向定量分析轉(zhuǎn)型，通過(guò)“三步走”策略實(shí)現(xiàn)高精度翹曲定量分析。第一步是數(shù)據(jù)筑基，整合材料參數(shù)、結(jié)構(gòu)尺寸等核心數(shù)據(jù)與實(shí)測(cè)結(jié)果，構(gòu)建行業(yè)領(lǐng)先的仿真數(shù)據(jù)庫(kù)；第二步是迭代優(yōu)化，通過(guò)產(chǎn)線(xiàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行多輪迭代優(yōu)化；第三步是利用數(shù)據(jù)庫(kù)反向校準(zhǔn)仿真模型，實(shí)現(xiàn)誤差精準(zhǔn)控制到行業(yè)領(lǐng)先水平。

基于該翹曲數(shù)據(jù)庫(kù)內(nèi)的信息，華天科技可為同類(lèi)型新封裝產(chǎn)品提供快速精準(zhǔn)的定量仿真服務(wù)。通過(guò)匹配歷史案例數(shù)據(jù)，可快速查找封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、基板疊層設(shè)計(jì)、芯片厚度及產(chǎn)品BOM選型等關(guān)鍵參數(shù)的完整解決方案，有效預(yù)防設(shè)計(jì)缺陷引發(fā)的翹曲問(wèn)題，顯著提升產(chǎn)品可靠性，為封裝設(shè)計(jì)提供強(qiáng)有力的技術(shù)保障。

在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，除了翹曲問(wèn)題，應(yīng)力作為材料微觀(guān)力學(xué)特性的重要指標(biāo)，其精確測(cè)量一直是行業(yè)難題。由于封裝產(chǎn)品在生產(chǎn)過(guò)程中各環(huán)節(jié)的復(fù)雜性，傳統(tǒng)方法難以實(shí)現(xiàn)對(duì)產(chǎn)品內(nèi)部應(yīng)力的準(zhǔn)確監(jiān)測(cè)和評(píng)估，這給產(chǎn)品可靠性保障帶來(lái)了巨大挑戰(zhàn)。

針對(duì)這一痛點(diǎn)，華天科技仿真團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地建立了應(yīng)力數(shù)據(jù)庫(kù)解決方案。通過(guò)收集各類(lèi)封裝產(chǎn)品的仿真應(yīng)力數(shù)據(jù)，并與實(shí)際產(chǎn)品的宏觀(guān)力學(xué)表現(xiàn)進(jìn)行匹配驗(yàn)證，團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)反復(fù)優(yōu)化，成功確定了關(guān)鍵應(yīng)力失效臨界值。這一創(chuàng)新方法有效規(guī)避了直接測(cè)量應(yīng)力的難題，從仿真角度為封裝可靠性提供了全新的解決方案。

以某17mm x 17mm FCCSP封裝產(chǎn)品為例，在工程批階段出現(xiàn)Bump失效問(wèn)題后，華天科技通過(guò)對(duì)比原始結(jié)構(gòu)和優(yōu)化結(jié)構(gòu)的仿真分析，不僅準(zhǔn)確找出了失效原因，更確立了該封裝形式的應(yīng)力失效臨界值。這一標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)已成為同類(lèi)產(chǎn)品設(shè)計(jì)的可靠依據(jù)：當(dāng)仿真應(yīng)力值接近臨界值時(shí)，團(tuán)隊(duì)會(huì)通過(guò)結(jié)構(gòu)優(yōu)化和材料調(diào)整等方案進(jìn)行改進(jìn)，從而在設(shè)計(jì)階段就有效預(yù)防失效風(fēng)險(xiǎn)，確保產(chǎn)品可靠性。這一成功實(shí)踐充分驗(yàn)證了仿真分析在應(yīng)力管控方面的實(shí)用價(jià)值。

針對(duì)基板疊層銅Trace、芯片RDL層等復(fù)雜結(jié)構(gòu)，華天科技團(tuán)隊(duì)進(jìn)一步開(kāi)發(fā)了高精度建模技術(shù)構(gòu)建專(zhuān)屬應(yīng)力分析模型，逐步建立精細(xì)化結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(kù)，為3D封裝、異構(gòu)集成等前沿領(lǐng)域復(fù)雜封裝場(chǎng)景提供更精準(zhǔn)的仿真支持。

智能仿真體系：為封裝樹(shù)立“設(shè)計(jì)即可靠”新標(biāo)桿

在人工智能與數(shù)字化轉(zhuǎn)型浪潮下，華天科技正將仿真體系升級(jí)為數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的智能平臺(tái)，將仿真數(shù)據(jù)庫(kù)打造為封裝研發(fā)及可靠性提升的核心引擎。這一轉(zhuǎn)型不僅將仿真效率大幅提升，更使華天科技成為全球封裝可靠性技術(shù)的領(lǐng)跑者。其“仿真即競(jìng)爭(zhēng)力”的模式，正重新定義半導(dǎo)體封裝的創(chuàng)新邊界。

華天科技仿真團(tuán)隊(duì)正全力推進(jìn)力學(xué)仿真定量分析體系的優(yōu)化升級(jí)，深度整合仿真數(shù)據(jù)與產(chǎn)品實(shí)測(cè)表現(xiàn)的關(guān)聯(lián)性，持續(xù)完善翹曲和應(yīng)力數(shù)據(jù)庫(kù)建設(shè)。與此同時(shí)，團(tuán)隊(duì)正協(xié)同公司產(chǎn)品數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)（PDM），實(shí)現(xiàn)仿真參數(shù)與產(chǎn)品設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的智能化匹配，并構(gòu)建基于設(shè)計(jì)輸入的仿真自動(dòng)觸發(fā)流程，從源頭確保封裝產(chǎn)品的可靠性。生態(tài)擴(kuò)展層面，華天科技將整合材料性能、工藝參數(shù)及歷史案例等多維度數(shù)據(jù)資源，結(jié)合AI算法構(gòu)建預(yù)測(cè)性仿真能力，精準(zhǔn)預(yù)判失效風(fēng)險(xiǎn)，推動(dòng)仿真效率提升，為封裝可靠性提供從微觀(guān)分析到宏觀(guān)決策的全域智能支撐。

如今，力學(xué)仿真正從輔助工具演變?yōu)榘雽?dǎo)體封裝的核心戰(zhàn)略資產(chǎn)。它不僅是破解可靠性難題的“秘密武器”，更是推動(dòng)封裝產(chǎn)業(yè)向智能化升級(jí)的關(guān)鍵引擎。華天科技將仿真數(shù)據(jù)庫(kù)打造為封裝研發(fā)的核心引擎，通過(guò)持續(xù)積累多維度數(shù)據(jù)資源，團(tuán)隊(duì)不僅顯著提升了仿真分析的效率和準(zhǔn)確性，更實(shí)現(xiàn)了從設(shè)計(jì)優(yōu)化到可靠性驗(yàn)證的全流程賦能。

這一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的創(chuàng)新模式，正推動(dòng)華天科技在先進(jìn)封裝領(lǐng)域持續(xù)突破，為客戶(hù)提供兼具前瞻性與高可靠性的解決方案，為行業(yè)樹(shù)立“設(shè)計(jì)即可靠”的新標(biāo)桿。未來(lái)，隨著數(shù)字孿生、AI算法的進(jìn)一步滲透，華天科技將繼續(xù)通過(guò)多維度仿真技術(shù)深度賦能半導(dǎo)體生態(tài)，助力全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

3.vivo啟動(dòng)校園招聘“藍(lán)極星計(jì)劃” 招募芯片、AI大模型、XR等領(lǐng)域頂尖人才

據(jù)新浪科技報(bào)道，近日，vivo啟動(dòng)了一項(xiàng)名為“藍(lán)極星計(jì)劃”的頂尖技術(shù)人才校園招聘項(xiàng)目，涉及崗位包括芯片、AI大模型、XR、器件開(kāi)發(fā)、影像等十余項(xiàng)核心技術(shù)領(lǐng)域。

該計(jì)劃總體招募規(guī)模在百人左右，其中以影像方向名額最多。

官網(wǎng)信息顯示，藍(lán)極星計(jì)劃是vivo面向全球高校頂尖技術(shù)人才發(fā)起的招聘專(zhuān)項(xiàng)，是公司最核心的人才戰(zhàn)略方案。

在待遇方面，vivo也給出了匹配頂尖學(xué)術(shù)背景、頂級(jí)工作和學(xué)習(xí)資源配套等條件，提供專(zhuān)屬崗位導(dǎo)師和技術(shù)專(zhuān)家，并承諾薪酬上不封頂。但藍(lán)極星計(jì)劃門(mén)檻很高，僅向博士生開(kāi)放。

vivo官方招聘頁(yè)面顯示，今年春招方向有芯片算法工程師（圖形圖像方向）-博士、深度學(xué)習(xí)算法工程師（XR方向-空間計(jì)算）-博士、圖像/視頻算法研發(fā)工程師（影像方向）-博士、人像攝影AIGC算法工程師（調(diào)色大模型）-博士等。

為招募高校頂尖研究人才，多家企業(yè)陸續(xù)推出相關(guān)計(jì)劃，如字節(jié)跳動(dòng)“Top Seed 人才計(jì)劃”、騰訊“青云計(jì)劃”、大疆的“無(wú)疆者”大咖招聘計(jì)劃等。

4.3D-IC競(jìng)爭(zhēng)白熱化！誰(shuí)將稱(chēng)霸下一代芯片？

英特爾代工、臺(tái)積電和三星代工正在爭(zhēng)相提供完整3D-IC（三維集成電路）的所有基礎(chǔ)組件，在未來(lái)幾年內(nèi)的某個(gè)時(shí)候，這些組件共同作用將以最低的功耗實(shí)現(xiàn)性能上幾個(gè)數(shù)量級(jí)的提升。

雖然業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)多集中在工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)步上，但成功實(shí)現(xiàn)3D-IC應(yīng)用遠(yuǎn)比僅僅縮小數(shù)字邏輯更為復(fù)雜和全面。它需要新材料，以及處理更薄基板并將它們組合在一起的不同方法。這涉及不同的背面供電方案、各種類(lèi)型的橋接技術(shù)、多芯片通信的接口標(biāo)準(zhǔn)，以及新的互連技術(shù)和方法。同時(shí)，這還需要對(duì)EDA（電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化）工具和方法、數(shù)字孿生技術(shù)、多物理場(chǎng)仿真進(jìn)行大幅改進(jìn)，同時(shí)還需對(duì)工程團(tuán)隊(duì)和流程進(jìn)行重組，并在從設(shè)計(jì)到制造的多個(gè)階段引入人工智能（AI）技術(shù)。

十多年來(lái)，3D-IC一直都在各代工廠(chǎng)的內(nèi)部發(fā)展規(guī)劃之中，但直到兩年前ChatGPT推出，以及隨后AI數(shù)據(jù)中心的建設(shè)，真正意義上的全芯片堆疊技術(shù)才開(kāi)始蓬勃發(fā)展。從那以后，重點(diǎn)就一直放在大幅提升功耗效率和性能表現(xiàn)上，而實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的最佳途徑是將片上系統(tǒng)（SoC）進(jìn)行拆分，將大量計(jì)算單元并行化，并縮短信號(hào)在不同處理單元和存儲(chǔ)器之間來(lái)回傳輸時(shí)所經(jīng)過(guò)的距離，降低所遇到的電阻和電容。

垂直堆疊的優(yōu)勢(shì)

這些目標(biāo)已廣為人知，但要實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)所需的一些技術(shù)仍在研發(fā)當(dāng)中。這也就解釋了為什么所有的代工廠(chǎng)都宣布計(jì)劃在未來(lái)幾年內(nèi)各自投入約1000億美元，以實(shí)現(xiàn)3D-IC大規(guī)模量產(chǎn)。有許多問(wèn)題亟待解決，而且其中大多數(shù)問(wèn)題都需要預(yù)先解決，并在實(shí)際芯片制造中得到驗(yàn)證，這樣才能確保該技術(shù)得以應(yīng)用。從技術(shù)或經(jīng)濟(jì)角度來(lái)看，僅僅依靠平面縮放所帶來(lái)的功耗、性能以及面積/成本（PPA/C）方面的優(yōu)勢(shì)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。

臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展與全球銷(xiāo)售高級(jí)副總裁張曉強(qiáng)（Kevin Zhang）表示：“晶體管技術(shù)和先進(jìn)封裝集成必須齊頭并進(jìn)，才能為客戶(hù)提供完整的產(chǎn)品級(jí)解決方案。3D架構(gòu)技術(shù)組合對(duì)我們而言已經(jīng)變得至關(guān)重要?！?/p>

有充分的記錄表明，在平面SoC中，信號(hào)的傳輸速度要比在某種類(lèi)型的系統(tǒng)級(jí)封裝內(nèi)不同芯片之間的傳輸速度快。但是，盡管數(shù)字晶體管仍在不斷縮小尺寸，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和線(xiàn)路卻并非如此。而且在最先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)下，將所有組件都集成到單個(gè)光罩大小的芯片上，常常會(huì)導(dǎo)致良率低下，并且首次流片成功的概率也會(huì)大幅降低。

作為回應(yīng)，系統(tǒng)公司和前沿處理器供應(yīng)商已開(kāi)始分解SoC，并將它們轉(zhuǎn)變?yōu)橛上冗M(jìn)封裝的Chiplet組成的組件。對(duì)于功能單一、面積較小的Chiplet而言，其良率要高于大型SoC，而且每個(gè)Chiplet的設(shè)計(jì)成本也更低。從理論上講，為了提升性能，可組裝到定制化封裝中的Chiplet數(shù)量是沒(méi)有限制的。

然而，當(dāng)數(shù)據(jù)需要在內(nèi)存和處理元件之間來(lái)回傳輸時(shí)，這些多芯片組件的性能會(huì)急劇下降。這就是常說(shuō)的“內(nèi)存墻”問(wèn)題，它與距離以及信號(hào)在線(xiàn)路上的傳輸速度有關(guān)。高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）對(duì)于三級(jí)緩存（L3 cache）來(lái)說(shuō)效果相當(dāng)不錯(cuò)。由于其通道更寬（HBM4有2048條通道），所以它比標(biāo)準(zhǔn)DRAM快得多，這有助于降低電阻和電容。但SRAM的速度仍然更快，因此它是一級(jí)緩存（L1 cache）和二級(jí)緩存（L2 cache）的首選內(nèi)存。SRAM通常由六個(gè)晶體管構(gòu)成，與使用一個(gè)晶體管和一個(gè)電容的DRAM相比，這極大地提高了訪(fǎng)問(wèn)速度。DRAM中的電容是為了解決電荷泄漏問(wèn)題，因?yàn)楫?dāng)DRAM發(fā)熱時(shí)，有時(shí)會(huì)自發(fā)出現(xiàn)電荷泄漏的情況。

混合方案會(huì)有所幫助，堆疊更多層的HBM也是如此。三星、SK海力士和美光科技是僅有的三家生產(chǎn)HBM的公司。三星已以此為跳板，開(kāi)始針對(duì)特定的工作負(fù)載研發(fā)定制HBM。但最理想的解決方案是同時(shí)使用更多的HBM和SRAM，而且代工廠(chǎng)的最新發(fā)展規(guī)劃顯示，不同類(lèi)型的內(nèi)存以復(fù)雜的組合形式存在，且互連間距非常小，以便于數(shù)據(jù)傳輸。

英特爾最新的架構(gòu)顯示，Intel 14A（1.4nm）制程的邏輯層直接堆疊在SRAM層的上方。

圖1：英特爾的3D-IC概念圖，14A制程的Chiplet封裝在SRAM上方，利用嵌入式多芯片互連橋（EMIB）技術(shù)將其與輸入/輸出（I/O）連接起來(lái)，并且周?chē)h(huán)繞著用于三級(jí)緩存（L3 cache）的HBM。資料來(lái)源：英特爾

英特爾代工高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Kevin O’Buckley表示：“每個(gè)人都在談?wù)摗畠?nèi)存墻’問(wèn)題。隨著我們不斷增加內(nèi)核數(shù)量，并將計(jì)算性能推向更高水平，首要任務(wù)就是滿(mǎn)足數(shù)據(jù)處理的需求。3D就是一個(gè)例子，我們可以利用芯片面積的很大一部分來(lái)放置SRAM，而無(wú)需犧牲那些仍然需要用于計(jì)算的芯片面積。”

不過(guò)，這種方法需要一種截然不同的芯片組裝方式。邏輯層對(duì)邏輯層的堆疊方式也是如此，這種方式已經(jīng)規(guī)劃多年，但由于散熱問(wèn)題在很大程度上被擱置。其目標(biāo)是通過(guò)增加另一層處理元件和內(nèi)存，使晶體管密度翻倍，并讓它們像一個(gè)單一系統(tǒng)那樣運(yùn)行。

臺(tái)積電的張曉強(qiáng)表示：“我們從面對(duì)背的集成方式入手，將兩個(gè)芯片組合在一起。我們也在開(kāi)發(fā)面對(duì)面的集成方式，讓客戶(hù)能夠最大限度地提高兩個(gè)芯片之間的互連密度。當(dāng)我們將芯片堆疊在一起時(shí)，如果你關(guān)注一下超級(jí)鍵合間距，它會(huì)從9微米持續(xù)縮小到6微米，甚至一直縮小到5微米及以下。這種集成方式將包括面對(duì)背和面對(duì)面兩種，以滿(mǎn)足不同的應(yīng)用需求。”

圖2：臺(tái)積電的3D-IC發(fā)展規(guī)劃圖，展示了不同的集成策略。資料來(lái)源：臺(tái)積電

在2024年春天的一次演講中，三星代工業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁Taejoong Song展示了一份發(fā)展規(guī)劃圖，其特點(diǎn)是將邏輯層對(duì)邏輯層堆疊在一個(gè)襯底上，把一個(gè)2nm（SF2）制程的芯片堆疊在一個(gè)4nm（SF4X）制程的芯片上，這兩個(gè)芯片又都堆疊在另一個(gè)襯底上。這基本上就是在一個(gè)2.5D封裝上的3D-IC，有時(shí)也被稱(chēng)為3.5D。Taejoong Song表示，從2027年開(kāi)始，該代工廠(chǎng)將開(kāi)始把一個(gè)SF1.4（1.4nm）制程的芯片堆疊在SF2P（2nm）制程的芯片上。

圖3：三星的3D-IC發(fā)展規(guī)劃圖。資料來(lái)源：三星

垂直堆疊的局限

無(wú)論采用何種布局，散熱仍然是最大的挑戰(zhàn)，這也是3D-IC發(fā)展如此緩慢最常被提及的原因。從那以后情況已經(jīng)發(fā)生很大變化，而且處于技術(shù)前沿的芯片制造商對(duì)性能和功耗的要求，需要各方齊心協(xié)力來(lái)解決這一散熱問(wèn)題。

雖然這項(xiàng)技術(shù)的具體交付日期仍不明確，但目前三大代工廠(chǎng)都在其發(fā)展規(guī)劃中突出展示了3D-IC。至少部分解決方案可能是將最新制程節(jié)點(diǎn)研發(fā)的邏輯電路與N-1或N-2制程的邏輯電路相結(jié)合。但目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)更緊密的集成，使其作為一個(gè)系統(tǒng)運(yùn)行，并通過(guò)高速接口與從平面SoC中剝離出來(lái)的其他關(guān)鍵組件相連。

在過(guò)去幾年里，已經(jīng)出現(xiàn)多種散熱問(wèn)題的解決方案，但并非所有方案都已準(zhǔn)備好投入大規(guī)模生產(chǎn)。其中包括：

熱通孔：硅通孔可用于將熱量直接從處理元件引導(dǎo)至封裝外部的散熱器。這里的挑戰(zhàn)在于確定這些微型“煙囪”的數(shù)量以及設(shè)置位置，因?yàn)椴煌墓ぷ髫?fù)載會(huì)產(chǎn)生獨(dú)特的熱梯度。

蒸汽冷卻：這種方法的原理類(lèi)似于蒸發(fā)式（又名沼澤）冷卻器。當(dāng)氣體經(jīng)過(guò)濕墊時(shí)，會(huì)吸收液體，然后蒸發(fā)，將部分熱量散發(fā)到外部散熱器。最初使用這種方法的實(shí)驗(yàn)失敗了，因?yàn)槟繕?biāo)設(shè)備是經(jīng)常被移動(dòng)和搖晃的手機(jī)。但在數(shù)據(jù)中心，服務(wù)器機(jī)架在使用時(shí)是固定不動(dòng)的，使得這種方法更可行，而且成本相對(duì)較低。

微流控：這個(gè)概念可以追溯到20世紀(jì)80年代，當(dāng)時(shí)大型主機(jī)需要用水進(jìn)行冷卻（如今對(duì)于某些系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，水冷再次成為可選項(xiàng)，不過(guò)不一定是用水）。這使得系統(tǒng)升級(jí)變得困難，而且和所有的管道系統(tǒng)一樣，有時(shí)還會(huì)出現(xiàn)漏水的情況。當(dāng)安裝了風(fēng)冷式小型計(jì)算機(jī)以及裝滿(mǎn)個(gè)人電腦服務(wù)器刀片的機(jī)架后，許多客戶(hù)認(rèn)為這是一個(gè)巨大的優(yōu)勢(shì)。但隨著晶體管密度的提高以及工作負(fù)載的加重，通過(guò)微小通道輸送液體的技術(shù)再次成為了積極研究的方向。

熱界面材料：這些材料有墊片、膏狀以及固體等形式，最近還出現(xiàn)了碳納米管。它們?cè)趯?dǎo)熱方面很有效，但價(jià)格昂貴，而且長(zhǎng)期使用效果如何還缺乏足夠的測(cè)試。行業(yè)內(nèi)仍在努力確定使用哪些材料是最佳選擇，以及以何種組合使用，屆時(shí)規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)或許會(huì)發(fā)揮作用。

沉浸式冷卻：雖然這聽(tīng)起來(lái)有悖常理，但電子元件可以浸入惰性液體中而不會(huì)導(dǎo)致短路。這里面臨的挑戰(zhàn)在于液體的可重復(fù)使用性、可持續(xù)性以及成本問(wèn)題。

為數(shù)據(jù)而設(shè)計(jì)

在多芯片組件中增加晶體管的數(shù)量也會(huì)加劇布線(xiàn)擁塞問(wèn)題。先進(jìn)的布局和布線(xiàn)工具已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)大部分布線(xiàn)工作的自動(dòng)化，但它們無(wú)法解決為所有晶體管供電的問(wèn)題，而這對(duì)于維持性能至關(guān)重要。這就是為什么三大主要代工廠(chǎng)要么已經(jīng)開(kāi)發(fā)出、要么正在開(kāi)發(fā)背面供電（BPD）技術(shù)的原因：

英特爾的PowerVia BPD將在今年的Intel 18A（1.8nm）制程節(jié)點(diǎn)中，與RibbonFET納米片晶體管一同推出；

臺(tái)積電將從2026年下半年開(kāi)始，在A(yíng)16（1.6nm）制程節(jié)點(diǎn)引入Super Power Rail BPD；

三星則計(jì)劃在2027年，在2nm制程節(jié)點(diǎn)上推出SF2Z BPD技術(shù)。

將電源傳輸網(wǎng)絡(luò)移到芯片外部，縮短了電力傳輸所需的距離，也使得信號(hào)在芯片的各個(gè)金屬層間的傳輸更加簡(jiǎn)單。因此，如今布線(xiàn)無(wú)需再采用復(fù)雜的方式，尤其是在那些布滿(mǎn)硅通孔并通過(guò)混合鍵合技術(shù)連接的芯片之間，布線(xiàn)可以變得更加直接。

Cadence高級(jí)產(chǎn)品總監(jiān)Mick Posner表示：“能夠在芯片之間安裝成千上萬(wàn)個(gè)硅通孔，這很棒。但每個(gè)硅通孔每比特都需要0.003皮焦耳的能量，這個(gè)數(shù)值雖然很小。然而，當(dāng)你把它們都集中在1平方毫米的區(qū)域內(nèi)時(shí)，能量消耗就會(huì)積少成多。你需要進(jìn)行熱點(diǎn)分析，管理功耗以及計(jì)算密集型芯片的其他任務(wù)將是一個(gè)挑戰(zhàn)。功率密度本來(lái)就會(huì)很高，而且我們已經(jīng)看到，熱膨脹會(huì)使芯片堆疊破裂。存在著許多挑戰(zhàn)。但這也有提升性能的潛力。因?yàn)樾酒臋M向尺寸擴(kuò)展是有限度的，所以現(xiàn)在就得往縱向發(fā)展。那么，為什么不打造一座‘芯片摩天大樓’呢？”

這就是大致的思路。然而，要充分發(fā)揮芯片堆疊的優(yōu)勢(shì)，這些芯片層需要更薄，以縮短信號(hào)傳輸?shù)木嚯x。此外，并非所有的芯片層都需要堆疊。例如，HBM可以設(shè)計(jì)為環(huán)繞3D-IC邏輯堆棧，并與I/O和其他內(nèi)存進(jìn)行高速連接。

為了真正加快速度，其中一些連接可能會(huì)采用光接口和共封裝光學(xué)器件。所有主要的代工廠(chǎng)都將共封裝光學(xué)器件納入其發(fā)展規(guī)劃，因?yàn)楣饽軌蛞詷O快的速度傳輸數(shù)據(jù)，同時(shí)功耗和熱量積聚更低。

圖4：臺(tái)積電計(jì)劃將共封裝光學(xué)器件與其3D-IC模型相結(jié)合。資料來(lái)源：臺(tái)積電

圖5：英特爾的光學(xué)器件發(fā)展規(guī)劃圖。資料來(lái)源：英特爾

英特爾代工業(yè)務(wù)首席技術(shù)和運(yùn)營(yíng)官兼總經(jīng)理Naga Chandrasekaran在最近的一次演講中表示：“光互連相比傳統(tǒng)的電氣I/O技術(shù)具有顯著優(yōu)勢(shì)。在提高布線(xiàn)密度方面，它在帶寬、延遲和能效方面都有優(yōu)勢(shì)。當(dāng)我們能夠?qū)⒐饣ミB提升到芯片間互連的水平，并結(jié)合英特爾先進(jìn)的封裝能力時(shí)，該解決方案將在我們擴(kuò)展和擴(kuò)展基于A(yíng)I的解決方案方面帶來(lái)顯著優(yōu)勢(shì)。它將提供更密集、更先進(jìn)的互連能力。此外，在計(jì)算領(lǐng)域，通過(guò)采用共封裝光學(xué)解決方案，我們可以實(shí)現(xiàn)更低的延遲和更高的吞吐量?！?/p>

與3D-IC中的大多數(shù)問(wèn)題一樣，這比聽(tīng)起來(lái)更難。一方面，光不會(huì)轉(zhuǎn)彎，所以波導(dǎo)不能有任何直角。它們還需要表面光滑，因?yàn)槿魏未植诙榷紩?huì)產(chǎn)生與電互連中線(xiàn)邊緣粗糙度相同的效果。除此之外，光會(huì)受到熱的影響，在不可預(yù)測(cè)的工作負(fù)載下，可能會(huì)導(dǎo)致光的偏移超出預(yù)期。

英特爾的Kevin O’Buckley表示：“如今計(jì)算系統(tǒng)的實(shí)際情況是，它并不局限于一塊電路板上。在大多數(shù)情況下，甚至也不局限于一個(gè)機(jī)架內(nèi)。如果你看看當(dāng)今世界上一些最大的系統(tǒng)公司正在做的事情，比如超大規(guī)模計(jì)算公司或英偉達(dá)正在開(kāi)發(fā)的AI系統(tǒng)，就會(huì)發(fā)現(xiàn)，在提升性能指標(biāo)方面，連接性和計(jì)算能力同樣重要，它們能夠擴(kuò)展性能指標(biāo)。銅長(zhǎng)期以來(lái)一直是我們行業(yè)的支柱，而光纖則用于連接不同的城鎮(zhèn)?，F(xiàn)在，光纖技術(shù)允許太比特級(jí)的帶寬在機(jī)架之間一致地傳輸，這一點(diǎn)至關(guān)重要。過(guò)去，這種連接通常發(fā)生在交換機(jī)層面。但由于這些系統(tǒng)對(duì)連貫性和延遲的要求，我們現(xiàn)在討論的是將光纖直接連接到計(jì)算集群，而無(wú)需經(jīng)過(guò)交換機(jī)。毫無(wú)疑問(wèn)，這就是行業(yè)的發(fā)展方向?！?/p>

至少部分解決這個(gè)問(wèn)題的方法是合理地放置光學(xué)組件。Kevin O’Buckley說(shuō)：“這在很大程度上取決于激光源的位置。目前光學(xué)領(lǐng)域的一些創(chuàng)新在于，像多路復(fù)用（MUXing）這類(lèi)元件往往對(duì)溫度不是特別敏感。你可以把它們放置在離計(jì)算設(shè)備很近的地方。然后對(duì)于激光源和一些傳感設(shè)備，你可以把它們放置得稍遠(yuǎn)一些。以這種方式處理一些光學(xué)組件，可以讓你將激光源分離出來(lái)，這也是一些公司正在選擇的做法?！?/p>

臺(tái)積電的張曉強(qiáng)表示，光子技術(shù)也可用于降低芯片的熱量。“在不久的將來(lái)，我們會(huì)看到客戶(hù)使用集成硅光子技術(shù)將信號(hào)引出，以實(shí)現(xiàn)芯片間的連接。我們都知道，在信號(hào)傳輸方面，光子遠(yuǎn)比電子高效。電子在計(jì)算方面表現(xiàn)出色，但就信號(hào)傳輸而言，光子更具優(yōu)勢(shì)。”

張曉強(qiáng)還說(shuō)，另一個(gè)關(guān)鍵選擇是集成穩(wěn)壓器，它將進(jìn)一步提高能源效率。“這一點(diǎn)非常重要，因?yàn)榭蛻?hù)或者未來(lái)的AI產(chǎn)品需要將多個(gè)邏輯電路和多個(gè)HBM集成在一起。這些電路都會(huì)消耗電力?？纯慈缃裣冗M(jìn)的AI加速器，其功耗輕松就能達(dá)到1000瓦。未來(lái)，功耗可能會(huì)達(dá)到幾千瓦。要將電源引入這樣的封裝中是非常困難的，所以通過(guò)使用集成穩(wěn)壓器，由于凸點(diǎn)的數(shù)量有限，你可以降低對(duì)電流的需求。你不能無(wú)限制地輸入那么大的電流?！边@反過(guò)來(lái)又降低了封裝內(nèi)的整體熱量。

制程微縮

這可能看起來(lái)有不合常理，但要最大限度地發(fā)揮3D-IC的性能優(yōu)勢(shì)，需要持續(xù)推進(jìn)制程微縮。原因與其說(shuō)是為了提升晶體管的性能——盡管芯片制造商肯定可以充分利用這一點(diǎn)——不如說(shuō)是為了動(dòng)態(tài)功率密度。更小的晶體管能效更高，這有助于在大型數(shù)據(jù)中心中減少熱量產(chǎn)生并降低能源成本。此外，從鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）向環(huán)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAA FET）的轉(zhuǎn)變減少了靜態(tài)漏電，而靜態(tài)漏電也會(huì)產(chǎn)生熱量，且這些熱量可能會(huì)積聚在封裝內(nèi)。

以臺(tái)積電即將推出的A14制程節(jié)點(diǎn)為例，這是該代工廠(chǎng)在2nm制程之后的下一個(gè)完整制程節(jié)點(diǎn)。張曉強(qiáng)表示：“與上一代制程相比，A14制程的微縮帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)非常顯著。它的速度提升高達(dá)15%，功耗降低30%，邏輯密度提高到原來(lái)的1.23倍。整體芯片密度至少是原來(lái)的1.2倍，所以這是一項(xiàng)非常非常重要的技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)還采用了NanoFlex Pro技術(shù)。這實(shí)際上是設(shè)計(jì)與技術(shù)協(xié)同優(yōu)化的成果，使設(shè)計(jì)師能夠以非常靈活的方式設(shè)計(jì)產(chǎn)品，從而實(shí)現(xiàn)最佳的功耗和性能優(yōu)勢(shì)。這項(xiàng)技術(shù)將于2028年投入生產(chǎn)?！?/p>

張曉強(qiáng)指出，該制程節(jié)點(diǎn)的第一個(gè)版本將不包括背面供電，這項(xiàng)技術(shù)要到2029年推出的第二個(gè)A14版本時(shí)才會(huì)添加。

圖6：臺(tái)積電的制程發(fā)展規(guī)劃圖。資料來(lái)源：臺(tái)積電

英特爾的RibbonFET是該代工廠(chǎng)對(duì)GAA FET的命名，其中“Ribbon”部分還包含了一些可定制的選項(xiàng)。

圖7：英特爾的工藝發(fā)展規(guī)劃圖。來(lái)源：英特爾

與此同時(shí)，三星在2nm節(jié)點(diǎn)引入了其GAA技術(shù)。

圖8：三星的工藝發(fā)展規(guī)劃圖。來(lái)源：三星

當(dāng)然，在微縮尺寸方面仍然存在一些常見(jiàn)問(wèn)題。更薄的電介質(zhì)可能會(huì)更快地失效，從而導(dǎo)致串?dāng)_和其他潛在的信號(hào)干擾。對(duì)于3D-IC堆疊中更薄的芯片來(lái)說(shuō)也是如此，較薄的芯片會(huì)喪失較厚襯底所具有的絕緣性能，并且會(huì)加速時(shí)間相關(guān)介質(zhì)擊穿（TDDB）現(xiàn)象的發(fā)生。這類(lèi)問(wèn)題將對(duì)行業(yè)設(shè)計(jì)和組裝這些設(shè)備的方式產(chǎn)生重大影響，會(huì)使布線(xiàn)變得更加復(fù)雜，并且需要進(jìn)行更多的仿真、模擬、驗(yàn)證和調(diào)試工作。

新思科技（Synopsys）總裁兼CEO Sassine Ghazi在最近的一次演講中指出：“3D-IC是將晶體管數(shù)量擴(kuò)展到數(shù)千億乃至數(shù)萬(wàn)億的唯一途徑。但當(dāng)你開(kāi)始向如此復(fù)雜的程度邁進(jìn)時(shí)，要實(shí)現(xiàn)性能或功耗目標(biāo)，唯一的方法就是在互連層面提高效率，并對(duì)多芯片系統(tǒng)進(jìn)行高效架構(gòu)設(shè)計(jì)。這些芯片可能來(lái)自不同的工藝技術(shù)，甚至不同的代工廠(chǎng)。你必須對(duì)架構(gòu)進(jìn)行驗(yàn)證和確認(rèn)，才能實(shí)現(xiàn)這種先進(jìn)的封裝。”

未來(lái)的應(yīng)用領(lǐng)域

3D-IC的初始應(yīng)用將在A(yíng)I數(shù)據(jù)中心內(nèi)，但一旦工藝完善、問(wèn)題得到解決，這種方法將能夠更廣泛地應(yīng)用，同時(shí)可以采用更具針對(duì)性的組件組合方式。是否所有東西都需要完整的3D-IC，還是僅其中一些核心技術(shù)組件需要，目前仍有待確定。盡管如此，在堆疊芯片中所解決的技術(shù)問(wèn)題將具有廣泛的應(yīng)用前景。

臺(tái)積電的張曉強(qiáng)表示：“我們認(rèn)為移動(dòng)領(lǐng)域有很大的創(chuàng)新空間。我們認(rèn)為，增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）眼鏡是一個(gè)能讓我們拓展業(yè)務(wù)的未來(lái)機(jī)遇。這些眼鏡是透明的，外形小巧，而且可以讓人全天佩戴。為了能讓電池續(xù)航一整天，同時(shí)具備所有的計(jì)算能力，你確實(shí)需要先進(jìn)的芯片。你需要大量的傳感設(shè)備，還需要具備連接功能，所以芯片的使用量會(huì)很大?！?/p>

他說(shuō)，對(duì)于人形機(jī)器人來(lái)說(shuō)也是如此?！捌?chē)行業(yè)想要實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛。你可以把汽車(chē)僅僅看作是制造機(jī)器人的第一步。汽車(chē)是一種簡(jiǎn)單的機(jī)器人，它只是把你從A地載到B地。但在未來(lái)，如果你真的希望一個(gè)機(jī)器人能與人類(lèi)互動(dòng)，幫你完成日?，嵤?，并處理很多人類(lèi)不想做的事情，你就需要制造這些所謂的人形機(jī)器人。如果你深入了解這些機(jī)器人的內(nèi)部構(gòu)造，就會(huì)發(fā)現(xiàn)大量的芯片。首先，機(jī)器人需要具備智能，要有出色的AI能力，這就需要先進(jìn)的芯片來(lái)為其具身智能提供支持。同時(shí)，機(jī)器人還需要有良好的傳感能力和出色的功率輸出。此外，還需要大量的集成控制器，以便在不同的條件下發(fā)揮功能?！?/p>

圖9：人形機(jī)器人的芯片需求。來(lái)源：臺(tái)積電

結(jié)論

不同的代工廠(chǎng)在開(kāi)發(fā)3D-IC所需的所有必要組件方面處于不同的階段。沒(méi)有哪家代工廠(chǎng)能夠一次性解決所有這些問(wèn)題，如今芯片行業(yè)在一定程度上也更具包容性。由于供應(yīng)鏈中持續(xù)存在地緣政治方面的干擾因素，芯片制造商們正在尋找多個(gè)供貨來(lái)源和多種技術(shù)選擇。

西門(mén)子EDA CEO Mike Ellow表示：“我們同時(shí)面臨著機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存的兩難困境。我們?nèi)绾尾拍芤龑?dǎo)初入職場(chǎng)的工程師和職業(yè)工程師，讓他們能夠完成必須交付的眾多新設(shè)計(jì)，并擁有所需的芯片？全球都依賴(lài)于一個(gè)有韌性、強(qiáng)大且分散的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)芯片供應(yīng)鏈。除此之外，我們還需要一套融入AI的技術(shù)，將更廣泛的生態(tài)系統(tǒng)連接起來(lái)，以便能夠創(chuàng)建所有的設(shè)計(jì)內(nèi)容?！?/p>

5.小米十年造芯路迎里程碑之作！雷軍官宣手機(jī)SoC芯片玄戒O1，或采用4nm工藝

5月15日晚上，小米CEO雷軍在微博上宣布重大消息，小米自主研發(fā)設(shè)計(jì)的手機(jī)SoC芯片，名字叫 玄戒O1，即將在5月下旬發(fā)布。

目前行業(yè)普遍預(yù)測(cè)玄戒O1將采用4nm工藝，性能對(duì)標(biāo)蘋(píng)果A16。當(dāng)前國(guó)內(nèi)7nm以?xún)?nèi)先進(jìn)制程芯片產(chǎn)品主要集中在車(chē)規(guī)芯片、手機(jī)配套小芯片等領(lǐng)域。玄戒O1的發(fā)布意味著內(nèi)地手機(jī)系統(tǒng)級(jí)芯片實(shí)現(xiàn)了5nm以?xún)?nèi)工藝設(shè)計(jì)的突破。

此前爆料稱(chēng)，小米自研芯片玄戒團(tuán)隊(duì)規(guī)模達(dá)千人，成立獨(dú)立公司運(yùn)作。

2023年10月，小米第二家玄戒芯片公司成立，注冊(cè)資本達(dá)30億元。經(jīng)營(yíng)范圍包含：集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)；集成電路芯片及產(chǎn)品銷(xiāo)售；集成電路設(shè)計(jì)等。

北京玄戒技術(shù)有限公司是小米旗下的第二家“玄戒技術(shù)”。早在2021年12月，上海玄戒技術(shù)有限公司成立，注冊(cè)資本 15億人民幣，法定代表人也是曾學(xué)忠。

資料顯示，上海玄戒技術(shù)有限公司的經(jīng)營(yíng)范圍包括：半導(dǎo)體科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)服務(wù)；信息系統(tǒng)集成服務(wù)；集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)；集成電路芯片及產(chǎn)品銷(xiāo)售；集成電路設(shè)計(jì)等。由X-Ring Limited全資控股。

小米十年造芯路迎里程碑之作

玄戒O1的發(fā)布，標(biāo)志著小米十年造芯之旅迎來(lái)里程碑之作，也成為小米成立十五周年的獻(xiàn)禮之作。

2014年10月，小米成立全資子公司北京松果電子，正式開(kāi)啟手機(jī)芯片研發(fā)之路。

在歷時(shí)三年，投入10億人民幣后，2017年2月，小米發(fā)布了首款自研SoC芯片澎湃S1，在小米5C上首發(fā)，成為繼蘋(píng)果、三星、華為之后，第四家擁有手機(jī)SoC芯片設(shè)計(jì)能力的手機(jī)廠(chǎng)商。

由于工藝制程、基帶能力等因素，澎湃S1這顆28nm的中端芯片產(chǎn)品更多有試水意義，發(fā)布后市場(chǎng)反響有限，也并未推出后續(xù)迭代產(chǎn)品，小米自研手機(jī)SoC按下暫停鍵。雷軍在后來(lái)接受媒體采訪(fǎng)時(shí)也承認(rèn)當(dāng)時(shí)低估了造芯的難度。

2020年8月9日，雷軍在小米成立十周年紀(jì)念日前夕回答米粉關(guān)于澎湃芯片進(jìn)展提問(wèn)時(shí)，回應(yīng)稱(chēng)“造芯計(jì)劃還在持續(xù)”。

此后，小米調(diào)整造芯戰(zhàn)略，重組松果電子，組建成立南京大魚(yú)半導(dǎo)體，專(zhuān)注AI和IoT芯片。2021年和2023年，小米相繼成立上海玄戒和北京玄戒，轉(zhuǎn)向ISP自研影像和電源管理等輕量化芯片研發(fā)，此后陸續(xù)推出自研ISP影像芯片澎湃C1、充電管理芯片澎湃P1、電池管理芯片澎湃G1等，強(qiáng)化在影像、快充等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)差異化優(yōu)勢(shì)，同時(shí)持續(xù)積累在手機(jī)SoC方面的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。

2023年，小米集團(tuán)總裁盧偉冰在財(cái)報(bào)電話(huà)會(huì)上表示，小米自研芯片的決心不會(huì)動(dòng)搖。要充分意識(shí)芯片研發(fā)是一個(gè)長(zhǎng)期且復(fù)雜的過(guò)程，需要尊重行業(yè)的發(fā)展規(guī)律，并做好持久戰(zhàn)的準(zhǔn)備。

2024年財(cái)報(bào)顯示，小米研發(fā)投入241億元，同比增長(zhǎng)25.9%。2025年小米研發(fā)投入將突破300億元，五年（2022年—2026年）研發(fā)總投入將超1000億元。今年2月，雷軍曾在小米15 Ultra發(fā)布會(huì)上透露，AI算法、芯片及終端應(yīng)用是重點(diǎn)研發(fā)方向。

對(duì)于小米玄戒O1，在一年前甚至更早業(yè)界便開(kāi)始有所傳聞，但目前官方公開(kāi)的信息十分有限。

從目前的一些行業(yè)傳聞看，在工藝制程方面，“3nn、4nm、5nm”都有涉及，但均指向先進(jìn)工藝制程，這表明小米在高性能芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了技術(shù)突破，也與傳聞中的數(shù)千人芯片團(tuán)隊(duì)規(guī)模對(duì)應(yīng)，并與小米挺進(jìn)高端的產(chǎn)品戰(zhàn)略一致。

考慮到高端芯片設(shè)計(jì)的復(fù)雜度，5G技術(shù)門(mén)檻、自研基帶難度較大等因素，目前的分析看，玄戒O1大概率會(huì)采用“Arm公版架構(gòu)AP+外掛5G基帶”SoC形式。Arm近年推出的X925超大核架構(gòu)，顯著提升了性能表現(xiàn)，并伴隨聯(lián)發(fā)科天璣9000系列在旗艦手機(jī)SoC市場(chǎng)成功。同時(shí)，Arm也在持續(xù)深化同芯片、手機(jī)廠(chǎng)商的合作。行業(yè)看來(lái)，Arm的這種“交鑰匙”的AP方案，能夠降低手機(jī)廠(chǎng)商構(gòu)建AP的進(jìn)入門(mén)檻。此外，聯(lián)發(fā)科CEO蔡力行在2024年1月的財(cái)報(bào)會(huì)上便曾所表示，“在基帶方面正在與包括小米、OPPO等自研AP的廠(chǎng)商合作”。

在具體性能方面，目前并未有太多消息，但考慮到小米作為手機(jī)廠(chǎng)商在整機(jī)端用戶(hù)體驗(yàn)、核心外圍芯片以及軟硬件結(jié)合方面的積累和優(yōu)勢(shì)，玄戒O1在性能、功耗、影像、游戲等方面的能力表現(xiàn)將非常值得期待。

在首發(fā)產(chǎn)品方面，曾有芯片行業(yè)人士從初代旗艦產(chǎn)品試水角度考慮，預(yù)計(jì)過(guò)一種小批量的出貨模式，比如“隨小米汽車(chē)搭售”等 ，但從目前社交媒體的傳聞看，即將在5月下旬發(fā)布的小米15s Pro有望首發(fā)玄戒O1，如果成真，這意味著小米的這顆芯片，已經(jīng)具備了在旗艦產(chǎn)品上規(guī)模發(fā)布的能力，也可以看做小米在這顆芯片上的信心和底氣。

上述懸念，都將在5月下旬伴隨玄戒O1的發(fā)布正式揭曉。

行業(yè)看來(lái)，十年造芯之旅，小米經(jīng)歷了從激進(jìn)試錯(cuò)到務(wù)實(shí)轉(zhuǎn)型的戰(zhàn)略調(diào)整，早期SoC受挫后，通過(guò)專(zhuān)用芯片積累經(jīng)驗(yàn)，通過(guò)投資和研發(fā)投入重返SoC賽道。在這一過(guò)程中，小米手機(jī)業(yè)務(wù)也實(shí)現(xiàn)了向高端挺進(jìn)。伴隨著玄戒O1的落地，小米成為近年來(lái)國(guó)產(chǎn)手機(jī)廠(chǎng)商造芯的率先突圍者，其構(gòu)建起“自研主芯片+核心外圍芯片”的整合能力，在未來(lái)的高端市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中也尤為重要，在對(duì)標(biāo)蘋(píng)果、三星等巨頭的同時(shí)，也將顯著增強(qiáng)小米手機(jī)產(chǎn)品的差異化優(yōu)勢(shì)和核心競(jìng)爭(zhēng)力。

6.阿聯(lián)酋與特朗普簽署協(xié)議，將建設(shè)美國(guó)境外最大AI園區(qū)

阿聯(lián)酋與美國(guó)簽署了一項(xiàng)協(xié)議，將建設(shè)美國(guó)境外最大的人工智能（AI）園區(qū)。此前，由于美國(guó)方面擔(dān)心中國(guó)可能獲取該技術(shù)，此類(lèi)協(xié)議曾受到限制。

兩國(guó)并未透露英偉達(dá)或其他公司的哪些AI芯片可能被納入阿聯(lián)酋數(shù)據(jù)中心，但消息人士稱(chēng)，這筆交易將使阿聯(lián)酋能夠更多地使用先進(jìn)AI芯片。

這項(xiàng)夢(mèng)寐以求的長(zhǎng)期協(xié)議于周四特朗普訪(fǎng)問(wèn)阿布扎比期間敲定，對(duì)阿聯(lián)酋來(lái)說(shuō)是重大勝利，阿聯(lián)酋一直在努力平衡與美國(guó)和中國(guó)的關(guān)系。這反映了特朗普政府對(duì)芯片可以安全管理的信心，部分原因是要求數(shù)據(jù)中心由美國(guó)公司管理。

阿聯(lián)酋是主要的石油生產(chǎn)國(guó)，一直在投入數(shù)十億美元，努力成為全球AI參與者。但在前總統(tǒng)喬·拜登政府期間，阿聯(lián)酋被限制了獲取美國(guó)芯片的機(jī)會(huì)。

白宮表示，這項(xiàng)AI協(xié)議“包括阿聯(lián)酋承諾投資、建設(shè)或資助至少與阿聯(lián)酋規(guī)模和性能相當(dāng)?shù)拿绹?guó)數(shù)據(jù)中心”。

“該協(xié)議還包含阿聯(lián)酋的歷史性承諾，即進(jìn)一步使其國(guó)家安全法規(guī)與美國(guó)保持一致，包括強(qiáng)有力的保護(hù)措施，以防止源自美國(guó)的技術(shù)被轉(zhuǎn)移?！?/p>

據(jù)報(bào)道，兩國(guó)已敲定一項(xiàng)技術(shù)框架協(xié)議，該協(xié)議要求雙方對(duì)技術(shù)安全做出承諾。

消息人士稱(chēng)，從2025年開(kāi)始，阿聯(lián)酋每年可能被允許進(jìn)口50萬(wàn)塊英偉達(dá)最先進(jìn)的AI芯片。美國(guó)商務(wù)部表示，周四宣布的協(xié)議核心是在阿布扎比建設(shè)10平方英里（25.9平方公里）的AI園區(qū)，為AI數(shù)據(jù)中心提供5千兆瓦的電力容量。

“這比我們迄今為止看到的所有其他重大AI基礎(chǔ)設(shè)施公告都要大，”蘭德公司分析師Lennart Heim在X上表示。他計(jì)算出，這足以支持250萬(wàn)塊英偉達(dá)頂級(jí)B200芯片。

該園區(qū)將由阿布扎比政府支持的G42公司建造，但美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)霍華德·盧特尼克在一份新聞稿中表示，“美國(guó)公司將運(yùn)營(yíng)數(shù)據(jù)中心，并在整個(gè)地區(qū)提供由美國(guó)管理的云服務(wù)。”

美國(guó)的情況說(shuō)明書(shū)還描述了芯片公司高通正在建設(shè)一個(gè)與AI相關(guān)的工程中心，以及亞馬遜網(wǎng)絡(luò)服務(wù)（AWS）將與當(dāng)?shù)睾献骰锇樵诰W(wǎng)絡(luò)安全和促進(jìn)云計(jì)算應(yīng)用方面開(kāi)展合作。

緩和關(guān)系

多年來(lái)，美國(guó)一直奉行保護(hù)主義政策，以限制中國(guó)獲取先進(jìn)半導(dǎo)體，包括確保芯片不會(huì)通過(guò)第三方進(jìn)入該國(guó)。

在特朗普?qǐng)?zhí)政期間，監(jiān)管正在放松，其AI主管David Sacks表示，拜登政府的出口管制“從未旨在俘獲朋友、盟友和戰(zhàn)略伙伴”。

授予阿聯(lián)酋更多使用英偉達(dá)等公司生產(chǎn)的最先進(jìn)芯片的渠道，標(biāo)志著一個(gè)重大轉(zhuǎn)變。

“這一轉(zhuǎn)變使（阿聯(lián)酋）能夠深化與美國(guó)的技術(shù)伙伴關(guān)系，同時(shí)仍然保持與中國(guó)的貿(mào)易關(guān)系，”中東研究所高級(jí)研究員Mohammed Soliman表示。

“這意味著其重新調(diào)整技術(shù)戰(zhàn)略，使其在最重要的領(lǐng)域（計(jì)算、云計(jì)算和芯片供應(yīng)鏈）與美國(guó)的標(biāo)準(zhǔn)和協(xié)議保持一致?！彼硎?。

G42和MGX是阿聯(lián)酋政府選定的推動(dòng)AI投資的機(jī)構(gòu)，它們也投資了OpenAI和埃隆·馬斯克的xAI等美國(guó)公司，而微軟去年同意向G42投資15億美元。

7.1.8nm工藝成關(guān)鍵：英特爾力爭(zhēng)在芯片代工領(lǐng)域超越三星，臺(tái)積電或?qū)⒅湟槐壑?/strong>

從2024年12月CEO帕特·基辛格突然離職，到裁員數(shù)萬(wàn)人以及不斷變化的美國(guó)關(guān)稅政策，英特爾經(jīng)歷了動(dòng)蕩的幾個(gè)月。

但這家美國(guó)芯片巨頭仍然希望到2030年成為全球第二大芯片代工公司。這意味著英特爾要擊敗第二大芯片代工商三星電子，并在臺(tái)積電不斷鞏固其領(lǐng)先地位的情況下，為自己開(kāi)辟出一片市場(chǎng)。

在今年4月舉行的英特爾年度Direct Connect大會(huì)上，新任CEO陳立武表示，他“致力于讓英特爾的芯片代工業(yè)務(wù)取得成功”。

這與基辛格在其IDM 2.0計(jì)劃中做出的承諾類(lèi)似，該計(jì)劃最終導(dǎo)致英特爾資產(chǎn)負(fù)債表慘淡，生產(chǎn)設(shè)施大量未完工，其代工業(yè)務(wù)也陷入十字路口。

“這或許是科技行業(yè)歷史上最艱難的扭虧為盈案例之一，”穆迪評(píng)級(jí)高級(jí)副總裁Raj Joshi表示。

盡管前路坎坷，但英特爾代工服務(wù)（IFS）總經(jīng)理Kevin O'Buckley表示，公司決心實(shí)現(xiàn)其2030年的目標(biāo)。

Kevin O'Buckley在Direct Connect大會(huì)上表示，英特爾在1.8nm技術(shù)（即Intel 18A）方面“落后”?！拔姨孤实爻姓J(rèn)，我們沒(méi)有完成18A的所有計(jì)劃，”他補(bǔ)充道，不過(guò)，Intel 18A工藝目前有望在2025年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，英特爾很快將擁有與臺(tái)積電和三星競(jìng)爭(zhēng)的技術(shù)領(lǐng)先地位。

臺(tái)積電、三星和英特爾均已宣布計(jì)劃在未來(lái)幾年開(kāi)始生產(chǎn)1.4nm尖端芯片。臺(tái)積電今年4月表示，計(jì)劃在2028年實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。

與此同時(shí)，英特爾代工表示其1.4nm技術(shù)將于2027年“問(wèn)世”，但并未具體說(shuō)明量產(chǎn)日期。據(jù)該公司稱(chēng)，已向主要客戶(hù)分發(fā)Intel 14A工藝設(shè)計(jì)套件的早期版本，其中一些客戶(hù)表示有興趣在新工藝節(jié)點(diǎn)上構(gòu)建測(cè)試芯片。

“與臺(tái)積電相比，我們的14A技術(shù)在功耗、性能和成本方面絕對(duì)具有競(jìng)爭(zhēng)力，”Kevin O'Buckley說(shuō)道。

三星曾表示將于2027年實(shí)現(xiàn)其1.4nm工藝的量產(chǎn)，但媒體報(bào)道稱(chēng)，這家韓國(guó)巨頭可能在最先進(jìn)的芯片制造技術(shù)上遇到問(wèn)題，這可能會(huì)導(dǎo)致下一代工藝節(jié)點(diǎn)的延遲，并為英特爾的追趕留下空間。

與英特爾一樣，三星仍在競(jìng)相縮小與臺(tái)積電在2nm工藝節(jié)點(diǎn)上的差距。臺(tái)積電利用其在2nm工藝上的優(yōu)勢(shì)，獲得了領(lǐng)先的AI芯片公司英偉達(dá)和蘋(píng)果的訂單，從而鞏固了其在晶圓代工市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。

根據(jù)Counterpoint Research數(shù)據(jù)，2024年，臺(tái)積電晶圓代工市場(chǎng)份額上升至67%，而三星的份額下降至11%。而英特爾代工IFS的份額則不到5%。

盡管英特爾與“兩大巨頭”之間的差距看似巨大，但標(biāo)普全球評(píng)級(jí)技術(shù)董事總經(jīng)理David Tsui表示，如果這家美國(guó)公司能夠確立自己作為先進(jìn)芯片制造“第二來(lái)源”的地位，它就有可能趕上三星。他表示，如果能夠做到這一點(diǎn)，“你的市場(chǎng)份額就會(huì)突然達(dá)到10%甚至20%?！彼a(bǔ)充道：“從他們目前的水平上升到三星的水平，并非遙不可及?！?/p>

Counterpoint半導(dǎo)體分析師Brady Wang表示，英特爾能否在2030年超越三星，取決于Intel 18A工藝。

“如果Intel 18A工藝在2025年下半年實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的良率和質(zhì)量，它將縮小與臺(tái)積電的差距，盡管在良率和產(chǎn)能方面仍然落后，”Brady Wang表示?！跋啾戎?，三星在其2nm節(jié)點(diǎn)上仍在努力應(yīng)對(duì)良率和質(zhì)量問(wèn)題?！?/p>

除了期待已久的Intel 18A芯片之外，還有兩個(gè)因素將在英特爾的轉(zhuǎn)型中發(fā)揮關(guān)鍵作用：臺(tái)積電和AI需求。

臺(tái)積電表示，其AI芯片產(chǎn)能在2025年將繼續(xù)受到限制，尤其是在其旗艦先進(jìn)芯片封裝技術(shù)CoWoS方面。

“至少目前，英特爾正在接手臺(tái)積電不想要的東西，”David Tsui說(shuō)道。

在Direct Connect大會(huì)上，英特爾高管多次提到，公司愿意與臺(tái)積電等其他代工廠(chǎng)合作，以滿(mǎn)足客戶(hù)日益增長(zhǎng)的AI芯片需求。

“臺(tái)積電、三星和英特爾代工廠(chǎng)都需要我們的客戶(hù)取得成功，”Kevin O'Buckley表示，并補(bǔ)充說(shuō)，這三家公司之間存在“競(jìng)爭(zhēng)和合作”。

英特爾在此次活動(dòng)中展示了四種代工業(yè)務(wù)模式，其中一種模式允許客戶(hù)只選擇英特爾進(jìn)行封裝工藝——測(cè)試和組裝由其他代工廠(chǎng)完成。

英特爾代工服務(wù)執(zhí)行副總裁Navid Shahriari表示，EMIB-T等先進(jìn)封裝技術(shù)是其代工服務(wù)的一個(gè)差異化優(yōu)勢(shì)，尤其具有吸引力，因?yàn)樗梢杂蠈⒃絹?lái)越多的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）芯片集成到AI芯片中的趨勢(shì)。

“Intel 18A的成功也將推動(dòng)英特爾先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)的增長(zhǎng)，這是3nm以下工藝的關(guān)鍵推動(dòng)因素，”Counterpoint 的Brady Wang表示。

然而，先進(jìn)封裝服務(wù)尚未成為英特爾IFS的穩(wěn)定收入來(lái)源，該公司的大部分銷(xiāo)售額仍然依賴(lài)于英特爾內(nèi)部芯片的生產(chǎn)。

英特爾高管表示，到2028年，外部客戶(hù)將成為英特爾IFS的主要收入來(lái)源。

穆迪評(píng)級(jí)的Raj Joshi表示：“與制造環(huán)節(jié)類(lèi)似，在封裝方面，他們需要開(kāi)放或使其更加標(biāo)準(zhǔn)化，以便外部客戶(hù)能夠使用。但我認(rèn)為英特爾在封裝方面擁有良好的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，而業(yè)界顯然需要更多產(chǎn)能，至少目前是這樣?！?/p>

英特爾晶圓代工轉(zhuǎn)型計(jì)劃中最重要的部分或許是市場(chǎng)對(duì)臺(tái)積電替代方案的需求。

Raj Joshi表示：“典型的十大客戶(hù)……當(dāng)然希望擁有更多供應(yīng)商。你不想只依賴(lài)一家供應(yīng)商，受制于一家。”

鑒于近期關(guān)稅和其他貿(mào)易壁壘的不斷上升，“毫無(wú)疑問(wèn)，企業(yè)需要尋求供應(yīng)多元化，不僅是供應(yīng)商，還包括地域多元化?！彼a(bǔ)充道。

作為其1650億美元投資路線(xiàn)圖的一部分，臺(tái)積電今年已宣布在美國(guó)增設(shè)三家尖端晶圓工廠(chǎng)和兩家先進(jìn)封裝工廠(chǎng)，但Counterpoint的Brady Wang表示，英特爾在“地緣政治、供應(yīng)鏈韌性、國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求、政府激勵(lì)措施和全球視野人才”方面仍然具有優(yōu)勢(shì)——而臺(tái)積電在這些領(lǐng)域相對(duì)受限。

英特爾CEO陳立武承認(rèn)，對(duì)于這家美國(guó)科技巨頭來(lái)說(shuō)，“沒(méi)有快速解決方案”，但他表示，基于近期的挫折就否定其代工業(yè)務(wù)的未來(lái)還為時(shí)過(guò)早。

標(biāo)普的David Tsui表示，這家美國(guó)芯片巨頭可以成為重要的代工企業(yè)，即使它“仍然是一個(gè)非常遙遠(yuǎn)的‘第二大’代工廠(chǎng)。但他們將實(shí)現(xiàn)盈利，并且能夠保持第二大代工企業(yè)的地位。”