1.英特爾裁員又縮減投資引發(fā)人才出走潮 三星等廠商積極搶人
2.微電子所研發(fā)成功互補單晶硅垂直溝道晶體管（CVFET）
3.清華大學(xué)在石墨負(fù)極應(yīng)用于大規(guī)模電化學(xué)儲能領(lǐng)域取得系列進展
4.北京大學(xué)電子學(xué)院王興軍教授、舒浩文研究員團隊在超寬帶光電融合6G無線通信領(lǐng)域取得重大突破
5.清華大學(xué)深圳國際研究生院張正華團隊在鎧甲電催化膜突破催化活性-穩(wěn)定性的權(quán)衡效應(yīng)領(lǐng)域取得新進展
1.英特爾裁員又縮減投資引發(fā)人才出走潮 三星等廠商積極搶人
韓國媒體報導(dǎo)，美國芯片大廠英特爾（Intel）陷入困境，正導(dǎo)致人才大量出走，促使三星電子等半導(dǎo)體廠商積極搶人，尤其鎖定從事先進封裝技術(shù)、玻璃基板與晶背供電（BSPDN）等下一代科技研究的資深工程師。
朝鮮日報英文版20日引述韓國產(chǎn)業(yè)人士指出，英特爾已取消前行長基辛格啟動的項目與投資，并進行大規(guī)模裁員，部分員工已跳槽到三星電子與三星電機（Samsung Electro-Mechanics）等企業(yè)的美國子公司。
英特爾許多離職的員工，也包含在英特爾長期投資科技領(lǐng)域的關(guān)鍵工程師，吸引了許多半導(dǎo)體業(yè)者招攬，例如三星電子正積極攬才，以擴充美國的晶圓代工與研發(fā)人力。
報導(dǎo)指出，在英特爾自有2.5D嵌入式多芯片互連橋接技術(shù)（EMIB）領(lǐng)域具權(quán)威地位的一名工程師，今年已到三星電子的晶圓代工部門任職，三星電子半導(dǎo)體事業(yè)也鎖定玻璃基板與BSPDN等領(lǐng)域的研究人員。
報導(dǎo)引述知情人士指出，三星電子正積極招聘有十年以上經(jīng)驗的封裝制程工程師，也想延攬三星電子經(jīng)驗相對較少領(lǐng)域的工程師。
被譽為英特爾半導(dǎo)體封裝技術(shù)「王牌」的首席工程師段罡（Gang Duan），最近也到三星電機工作，預(yù)料將監(jiān)督三星電機美國子公司的技術(shù)營銷與應(yīng)用工程事業(yè)。
產(chǎn)業(yè)觀察家預(yù)測，隨著英特爾取消或縮減先前宣布的晶圓代工相關(guān)投資與新廠計劃，人力將繼續(xù)出走。
2.微電子所研發(fā)成功互補單晶硅垂直溝道晶體管（CVFET）
根據(jù)國際器件與系統(tǒng)路線圖（IRDS2023）顯示，在集成電路邏輯技術(shù)領(lǐng)域，互補場效晶體管（CFET）被公認(rèn)為FinFET和水平GAA之后的新一代晶體管架構(gòu)。CFET技術(shù)創(chuàng)新性地將NMOS與PMOS器件垂直堆疊，徹底改變了傳統(tǒng)平面工藝或FinFET/GAA的水平布局模式，從而在更為緊湊的空間內(nèi)實現(xiàn)更高集成密度和性能優(yōu)勢。
近期，微電子所基于自主研發(fā)的垂直溝道技術(shù)，成功研制出一種單片集成的互補垂直溝道晶體管結(jié)構(gòu)（CVFET）。該結(jié)構(gòu)采用與CMOS制造工藝完全兼容的雙側(cè)面技術(shù)，通過精確控制的兩步外延工藝分別調(diào)控納米片溝道厚度和柵極長度，實現(xiàn)了n型和p型納米片晶體管的上下堆疊與自對準(zhǔn)一體化集成。
電學(xué)性能測試顯示，該器件上下層（NMOS/PMOS）的亞閾值擺幅（SS）分別達(dá)到69 mV/dec和72 mV/dec，漏致勢壘降低（DIBL）分別為12 mV/V和18 mV/V，電流開關(guān)比（Ion/Ioff）分別高達(dá)3.1×10^6和5.4×10^6。其CMOS反相器成功實現(xiàn)了信號相位反轉(zhuǎn)功能，在1.2 V電源電壓（VDD）下，反相器增益達(dá)13 V/V；在0.8 V工作電壓下，高電平噪聲容限（NMH）和低電平噪聲容限（NML）分別為0.343 V和0.245 V。
該研究成果以"Complementary Vertical FETs (CVFETs) Enabled by a Novel Dual-Side Process"（DOI. 10.1109/LED.2025.3587989）為題，將于2025年7月正式發(fā)表在 IEEE Electron Device Letters期刊上。這項突破性研究獲得了國家自然科學(xué)基金、中國科學(xué)院戰(zhàn)略性先導(dǎo)專項（A類）等項目的大力支持。
論文鏈接：https://ieeexplore.ieee.org/document/11077411
圖1：(a) 單片集成CVFET器件結(jié)構(gòu)圖； (b) 單片集成CVFET器件的TEM截面圖和（c-f）EDX元素分布圖
圖2：（a）單片集成CVFET器件中NMOS和PMOS器件的Id-Vg轉(zhuǎn)移特性曲線; （b）CVFET反相器電壓傳輸特性；（c）在VDD=0.8 V下，反相器的噪聲容限值
表一 CVFET與CFET技術(shù)對比
3.清華大學(xué)在石墨負(fù)極應(yīng)用于大規(guī)模電化學(xué)儲能領(lǐng)域取得系列進展
鈉離子電池、鉀離子電池是大規(guī)模電化學(xué)儲能的重要研究方向，石墨負(fù)極作為這兩種新型電池體系的常用負(fù)極材料，在儲能過程中的結(jié)構(gòu)演變、自放電過程，以及石墨/電解液界面鈍化膜（SEI）的穩(wěn)定性等方面，仍有待深入研究。
近日，清華大學(xué)深圳國際研究生院康飛宇教授、翟登云副教授團隊在石墨負(fù)極的儲能和界面解析方面取得系列進展。團隊創(chuàng)新性地提出協(xié)同式競爭配位的電解液設(shè)計理念，實現(xiàn)了共插層溶劑的尺寸和數(shù)量的同步降低，構(gòu)建了更靈活的四元插層化合物。在該電解液體系中，石墨負(fù)極具有更溫和的插層儲鈉機制并降低了配位溶劑的穩(wěn)定性，有效降低了共插層的電位。這一發(fā)現(xiàn)為電解液設(shè)計調(diào)控電位提供了新的思路，可用于篩選其他系列共溶劑。同時，團隊聚焦溶劑共插層環(huán)境下石墨負(fù)極的界面相穩(wěn)定性問題，以日歷老化現(xiàn)象為研究工具，揭示了體積變化對界面相演變的影響。其中，以容量損失和庫倫效率變化作為兩項指標(biāo)，量化了插層相退化和SEI演變。
研究成果以“通過協(xié)同式競爭配位機制調(diào)控鈉電石墨負(fù)極的共插層電位”（Synergistically competitive coordination for tailoring sodium cointercalation potential of graphite）為題，于8月15日發(fā)表于發(fā)表于《自然·通訊》（Nature Communications），此前還曾以“石墨負(fù)極在日歷老化過程中的共插層相退化和醚基SEI演變”（Degradation of sodium co-intercalation chemistry and ether-derived interphase on graphite anodes during calendar aging）為題發(fā)表于《能源與環(huán)境科學(xué)》（Energy & Environmental Science）。清華大學(xué)深圳國際研究生院2023級博士生王佳麗為兩篇論文的第一作者，康飛宇和翟登云為論文通訊作者。研究得到國家自然科學(xué)基金和深圳市基礎(chǔ)研究項目的資助。
圖1. 通過協(xié)同式競爭配位機制調(diào)控鈉電石墨負(fù)極共插層電位的示意圖
圖2.不同儲鈉階段日歷老化過程中石墨負(fù)極體積變化對相界面的影響
圖3.粘結(jié)劑的脫氟化氫過程對鉀離子電池石墨負(fù)極容量衰減的影響機制
圖4.鈉離子/鉀離子電池碳酸酯類電解液條件下石墨負(fù)極SEI形成的反應(yīng)路徑
另外，研究團隊針對石墨負(fù)極在鉀離子電池循環(huán)過程中的容量衰減機理，深入分析了石墨負(fù)極SEI的化學(xué)組分和電化學(xué)形成機理，形成“鉀電石墨負(fù)極”系列研究成果。該系列研究首先指出，作為鉀離子電池負(fù)極，影響石墨存儲容量衰減的關(guān)鍵因素不是鉀離子嵌入引起的石墨體積變化，而是石墨界面SEI的穩(wěn)定性。接著，團隊利用液相核磁譜學(xué)技術(shù)，解析出碳酸酯類電解液下石墨容量衰減的主要原因——中間產(chǎn)物醇鹽引發(fā)的溶液相鏈?zhǔn)椒磻?yīng)，導(dǎo)致大量有機低聚物在石墨界面的持續(xù)堆積，并提出了可能的反應(yīng)路徑。最后，研究進一步指出石墨負(fù)極中粘結(jié)劑對電極結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的關(guān)鍵作用，揭示出聚偏二氟乙烯粘結(jié)劑的脫氟化氫過程加劇了石墨負(fù)極的容量衰減。
該系列成果的第一篇以“揭示粘結(jié)劑的脫氟化氫過程對鉀離子電池石墨負(fù)極容量衰減的影響機制”（Unveiling the Influence of Dehydrofluorination of Poly (vinylidene fluoride) Binder on the Failure of Graphite Anode in Potassium‐ion Batteries）為題，發(fā)表于《德國應(yīng)用化學(xué)》（Angewandte Chemie International Edition）上；第二篇以“揭示鈉/鉀離子電池石墨負(fù)極SEI的形成機理”（Deciphering the formation and accumulation of solid-electrolyte interphases in Na and K carbonate-based batteries）為題，發(fā)表于《納米快報》（Nano Letters）；第三篇以“揭示影響鉀離子電池石墨負(fù)極容量衰減的關(guān)鍵因素”（Key factor determining the cyclic stability of the graphite anode in potassium-ion batteries）為題，發(fā)表于《美國化學(xué)學(xué)會·納米》（ACS Nano）。清華大學(xué)深圳國際研究生院2023級碩士生顏陽天、博士后胡俊洋和2019級碩士生袁馥為三篇論文的第一作者，康飛宇和翟登云為論文通訊作者。研究得到國家自然科學(xué)基金和深圳市基礎(chǔ)研究項目的資助。
論文鏈接：
https://www.nature.com/articles/s41467-025-63058-1
4.北京大學(xué)電子學(xué)院王興軍教授、舒浩文研究員團隊在超寬帶光電融合6G無線通信領(lǐng)域取得重大突破
北京大學(xué)電子學(xué)院王興軍教授、舒浩文研究員和香港城市大學(xué)電氣工程學(xué)院王騁教授聯(lián)合團隊在下一代無線通信（6G）和光電融合領(lǐng)域取得重大突破，首次實現(xiàn)了基于光電融合集成芯片的自適應(yīng)全頻段高速無線通信。2025年8月27日，相關(guān)研究成果以《全頻段無線通信的超寬帶集成光電融合芯片》（“Ultrabroadband on-chip photonics for full-spectrum wireless communications”）為題，在線發(fā)表于國際頂級學(xué)術(shù)雜志《自然》（Nature）上。
文章截圖
圖1 超寬帶光電融合集成技術(shù)賦能超寬帶泛在接入無線網(wǎng)絡(luò)示意圖
為滿足日益增長的泛在接入需求，未來下一代無線通信網(wǎng)絡(luò)將動態(tài)實時利用全頻譜資源來支持多樣化應(yīng)用場景（圖1a）。例如，高頻毫米波和太赫茲波段將提供更高的數(shù)據(jù)速率和更低的時延，從而支持?jǐn)U展現(xiàn)實（XR）、遠(yuǎn)程手術(shù)等新興數(shù)據(jù)密集型業(yè)務(wù)；而低傳播損耗的Sub 6GHz、微波等波段則繼續(xù)為城市或偏遠(yuǎn)區(qū)域提供廣域覆蓋。此外，系統(tǒng)還需具備實時頻譜重構(gòu)能力，以確保在復(fù)雜頻譜環(huán)境中的高效利用和穩(wěn)定連接。為實現(xiàn)這種自適應(yīng)全頻段靈活無線通信的愿景，亟須一種通用型硬件解決方案，以兼容全頻段無線信號，并滿足小型化/輕量化集成和低功耗運行的需求。然而，傳統(tǒng)電子學(xué)硬件僅可工作在單個頻段，不同頻段的器件依賴不同的設(shè)計規(guī)則、結(jié)構(gòu)方案和材料體系，難以實現(xiàn)跨頻段乃至全頻段范圍的工作。
為此，研究團隊提出了“通用型光電融合無線收發(fā)引擎”的概念，基于先進的薄膜鈮酸鋰光子材料平臺成功研制出超寬帶光電融合集成芯片，實現(xiàn)了超過110GHz覆蓋范圍的自適應(yīng)可重構(gòu)高速無線通信（圖1b）。該芯片在11mm × 1.7mm的微小功能區(qū)域內(nèi)（圖1d和e），集成了寬帶無線-光信號轉(zhuǎn)換、可調(diào)諧低噪聲載波/本振源產(chǎn)生以及數(shù)字基帶調(diào)制等完整無線信號處理功能，實現(xiàn)了系統(tǒng)級的高度集成（圖1c）。團隊基于該核心芯片提出了高性能光學(xué)微環(huán)諧振器的集成光電振蕩器（OEO）架構(gòu)。該架構(gòu)通過高精度微環(huán)的頻率精確選擇并鎖定振蕩模式，從而產(chǎn)生在超寬帶范圍內(nèi)任意頻點的低噪聲載波與本振信號。相比傳統(tǒng)基于倍頻器的電子學(xué)方案，該片上OEO系統(tǒng)首次實現(xiàn)了0.5GHz至115GHz中心頻率的實時、靈活、快速重構(gòu)能力。其跨越近8個倍頻程的低噪聲信號調(diào)諧性能，是迄今為止任何其他平臺或技術(shù)方案均無法企及的里程碑式突破。這一方案同時從原理上規(guī)避了傳統(tǒng)倍頻鏈因噪聲累積而導(dǎo)致高頻段相位噪聲急劇惡化的問題，從而徹底克服了以往系統(tǒng)在帶寬、噪聲性能與可重構(gòu)性之間難以兼顧的根本挑戰(zhàn)。
圖2 全頻段無線通信星座圖及誤碼率結(jié)果
實驗驗證表明，該系統(tǒng)可實現(xiàn)>120Gbps 的超高速無線傳輸速率，滿足6G通信的峰值速率要求。尤為關(guān)鍵的是，得益于光電融合集成芯片的超寬帶特性，端到端無線通信鏈路在全頻段內(nèi)展現(xiàn)出卓越的性能一致性（圖2），且高頻段性能未見劣化。這一突破性成果為6G通信高效開發(fā)太赫茲及乃至更高頻段的頻譜資源掃清了關(guān)鍵障礙。進一步，得益于光電融合集成電路的可調(diào)諧特性，該系統(tǒng)支持工作頻率的實時重構(gòu)。即使在信道受噪聲干擾或多徑效應(yīng)等被動影響而劣化時，仍能通過動態(tài)切換至安全頻段確保通信可靠性。
這種全頻段重構(gòu)的解決方案將催生更靈活、智能的AI無線網(wǎng)絡(luò)，有望重塑未來無線通信格局：一方面，基于“AI原生”的理念，可通過植入AI算法實現(xiàn)硬件參數(shù)的動態(tài)自適應(yīng)調(diào)整，以應(yīng)對復(fù)雜多變的通信環(huán)境；另一方面，該架構(gòu)還可應(yīng)用于通信感知一體化場景，通過加載線性調(diào)頻信號，同步實現(xiàn)實時數(shù)據(jù)傳輸與環(huán)境精準(zhǔn)感知。該方案還將產(chǎn)生顯著的產(chǎn)業(yè)鏈帶動效應(yīng)，特別是為寬頻帶可重構(gòu)天線等關(guān)鍵器件的創(chuàng)新發(fā)展注入新動力。下一步，研究團隊將著力提升系統(tǒng)集成度，以實現(xiàn)激光器、光電探測器和天線的單片集成，最終實現(xiàn)可適配任何系統(tǒng)的“即插即用”型智能無線通信模組。團隊期待這項研究能成為下一代無線通信技術(shù)革命的技術(shù)引擎，帶動整個產(chǎn)業(yè)生態(tài)的協(xié)同創(chuàng)新與跨越式發(fā)展，實現(xiàn)我國在該領(lǐng)域從跟跑、并跑到領(lǐng)跑的跨越式發(fā)展。
北京大學(xué)王興軍教授領(lǐng)導(dǎo)的研究團隊近幾年在高速光電子集成芯片和信息系統(tǒng)方面取得多項重要進展。在前期研究中，團隊的工作主要聚焦于光電融合并行化特性，驗證多個典型應(yīng)用。例如，在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，首次提出了微腔光梳驅(qū)動硅光芯片的技術(shù)路徑，實現(xiàn)了Tb/s級硅基片上大容量光通信（Nature, 605(7910): 457-463, 2022）；在自動駕駛領(lǐng)域，針對空間探測時間-頻率阻塞問題，研發(fā)出了超大規(guī)模并行混沌信號源（Nature Communications 14(1): 4590, 2023），實現(xiàn)了毫米級的感知精度和百倍數(shù)量級的抗噪能力提升（Nature Photonics, 17(4): 306-314, 2023）；在人工智能的數(shù)據(jù)密集型計算中，提出并驗證了片上計算互聯(lián)新架構(gòu)，先后實現(xiàn)了1.04 TOPS/mm2的高算力密度卷積計算（Nature Communications, 14(1): 66, 2023）和高達(dá)1.6 Tb/s/mm2的數(shù)據(jù)速率密度并行互聯(lián)（Nature Communications, 16(1): 6547, 2025）。上述成果系統(tǒng)性地展示了并行化在帶寬擴展和算力提升的獨特優(yōu)勢。以此為基礎(chǔ)，團隊研究方向近年來從“多通道并行擴展”深入至“單通道極限探索”，提升全維深度與靈活性。團隊通過引入慢光效應(yīng)，有效解決了傳統(tǒng)硅基調(diào)制器帶寬受限的瓶頸，實現(xiàn)了電光帶寬達(dá)110 GHz的純硅調(diào)制器（Science Advances, 9(42): eadi5339, 2023）；同時，探索并開發(fā)了片上微環(huán)諧振器的多模光子分子開關(guān)，展現(xiàn)出寬帶高精度的信號處理性能（Light: Science & Applications, 13(1): 51, 2024）?；谏鲜鲅芯炕A(chǔ)，當(dāng)前工作突破性拓展了頻域自由度，有效提升了頻率覆蓋范圍和頻率域的靈活調(diào)諧能力，為6G通信泛在接入與高速互連、動態(tài)頻譜靈活分配、小型化低成本提供了顛覆性解決方案（Nature 2025）。
北京大學(xué)電子學(xué)院博士后陶子涵、北京大學(xué)集成電路學(xué)院博士生王皓玉、香港城市大學(xué)電氣工程學(xué)院研究助理教授馮寒珂、北京大學(xué)電子學(xué)院博士生郭藝君以及博士后沈碧濤為本論文共同第一作者，王興軍、王騁以及舒浩文為本文共同通訊作者，北京大學(xué)長三角光電科學(xué)研究院助理研究員孫丹、香港城市大學(xué)博士后陶源盛、北京大學(xué)集成電路學(xué)院何燕冬研究員等為本文作出了重要貢獻(xiàn)。該研究得到了科技部國家重點研發(fā)計劃青年科學(xué)家項目，國家自然科學(xué)基金青年學(xué)生基礎(chǔ)研究項目、重點項目、國家重大科研儀器研制項目、青年科學(xué)基金項目（B類）、青年科學(xué)基金項目（C類），以及香港研究資助局優(yōu)配基金、新晉學(xué)者基金、香港裘槎基金項目的資助。其中，陶子涵獲得首批國家自然科學(xué)基金青年學(xué)生基礎(chǔ)研究項目資助，項目名稱為“面向6G全頻譜接入的集成微波光子射頻前端芯片研究”，為該論文相關(guān)工作的開展提供了重要支撐。
論文原文鏈接：
https://www.nature.com/articles/s41586-025-09451-8
5.清華大學(xué)深圳國際研究生院張正華團隊在鎧甲電催化膜突破催化活性-穩(wěn)定性的權(quán)衡效應(yīng)領(lǐng)域取得新進展
近日，清華大學(xué)深圳國際研究生院張正華副教授團隊提出了基于石墨烯保護的鎧甲催化策略。鎧甲電催化膜提供了一套工程化應(yīng)對方案，通過整合穩(wěn)固的催化劑錨定技術(shù)、保持氧化還原功能以及模塊化設(shè)計，克服了傳統(tǒng)催化活性-穩(wěn)定性之間的權(quán)衡效應(yīng)，實現(xiàn)了催化氧化與分子分離的同步進行。鑒于鎧甲催化劑及電催化膜構(gòu)型的獨特結(jié)構(gòu)優(yōu)勢，該研究成果對膜性能及底層催化機制的全面研究至關(guān)重要。
隨著全球人口的快速增長和工業(yè)擴張，過去70年來，家庭和工業(yè)用水量激增了400%以上。而水污染問題進一步加劇了水源短缺風(fēng)險，對環(huán)境和公共健康構(gòu)成威脅。應(yīng)對這一危機需要開發(fā)創(chuàng)新、高效且經(jīng)濟可行的水處理技術(shù)?；谶^硫酸鹽的高級氧化技術(shù)（AOPs）可以生成強氧化性的活性氧物種，成為一種降解水中污染物有效的策略。過渡金屬催化劑被廣泛用于活化過硫酸鹽，然而，在酸性條件、強氧化性質(zhì)和復(fù)雜的水環(huán)境作用下常常導(dǎo)致催化劑的腐蝕、浸出和結(jié)構(gòu)破壞。在AOPs中平衡催化活性與穩(wěn)定性仍是一項關(guān)鍵挑戰(zhàn)和研究熱點。
將過渡金屬包裹在碳材料中的鎧甲催化策略，是一種突破催化活性-穩(wěn)定性的權(quán)衡效應(yīng)的前沿方案。在鎧甲催化中，電子從金屬活性中心穿透碳層，在催化劑外表面引發(fā)反應(yīng)，通過防止反應(yīng)物與金屬位點直接接觸以提升催化劑穩(wěn)定性。碳?xì)涌梢愿淖兘饘俅呋行牡碾娮臃植迹赡芨淖兇呋磻?yīng)路徑并提升催化活性。然而，盡管碳?xì)佑兄诜乐菇饘偈Щ?，但并未完全解決以下限制——低價金屬的消耗速度快于其再生速率，碳?xì)友趸笈c過硫酸鹽之間的靜電排斥，粉末催化劑難以分離和回收。
為解決上述挑戰(zhàn)，將粉末催化劑制備成穿透式電化學(xué)膜是一種可行的方法。通過施加電場，能夠加速金屬價態(tài)循環(huán)，減緩碳層的氧化失活，并改善催化劑與過硫酸鹽之間的傳質(zhì)過程，從而提高催化效率。在過渡金屬催化劑中，銅基材料因其高過硫酸鹽活化效率、低成本、良好導(dǎo)電性和較低毒性而受到廣泛關(guān)注。其中銅納米線（CuNW）具有高反應(yīng)活性和1D結(jié)構(gòu)特性，使其成為制備催化膜的理想選擇。然而，CuNW在氧化環(huán)境中不穩(wěn)定，易被氧化導(dǎo)致催化活性降低，而且銅價態(tài)的緩慢循環(huán)影響了過硫酸鹽的活化。為解決這些挑戰(zhàn)并保留催化膜的優(yōu)勢及長期穩(wěn)定性。
基于此，研究團隊提出了基于石墨烯保護的鎧甲催化策略，同步解決了上述挑戰(zhàn)。該系統(tǒng)克服了傳統(tǒng)催化活性-穩(wěn)定性之間的權(quán)衡效應(yīng)，實現(xiàn)了催化氧化與分子分離的同步進行。研究中的CuNW@rGO鎧甲催化膜兼具電化學(xué)膜與鎧甲催化的雙重功能。這一創(chuàng)新設(shè)計通過施加電位在膜表面加速電化學(xué)反應(yīng)，同時借助其堅固的鎧甲結(jié)構(gòu)保護催化活性位點。研究將CuNW@rGO鎧甲電催化膜活化過一硫酸鹽（PMS）系統(tǒng)用于降解各種新污染物，并評估了其在實際水體中的效率、能耗及穩(wěn)定性。此外，結(jié)合實驗和理論計算分析了鎧甲電催化膜在PMS活化過程中的結(jié)構(gòu)-性能關(guān)系和電子轉(zhuǎn)移機制。
圖1.圖表摘要
圖2.鎧甲結(jié)構(gòu)CuNW@rGO膜的結(jié)構(gòu)表征
圖3.鎧甲CuNW@rGO電催化膜/PMS系統(tǒng)的催化性能與穩(wěn)定性
圖4.通電的鎧甲CuNW@rGO膜/PMS系統(tǒng)中活性物種的分析
圖5.反應(yīng)前后鎧甲CuNW@rGO膜表面的功能基團變化
圖6.PMS在鎧甲結(jié)構(gòu)中的活化機制與密度泛函理論計算
研究成果以“鎧甲電催化膜突破催化活性-穩(wěn)定性的權(quán)衡效應(yīng)”（Overcoming the Catalytic Activity–Stability Trade-Off by an Electrified Chainmail Membrane Composed of Copper Nanowires Encapsulated by Reduced Graphene Oxide）為題，于8月23日發(fā)表于《環(huán)境科學(xué)與技術(shù)》（Environmental Science & Technology）。
清華大學(xué)深圳國際研究生院副教授張正華為論文通訊作者，深圳國際研究生院2021級博士生張洋洋和科研助理張洪毅為論文共同第一作者。研究得到國家自然科學(xué)基金項目、深圳市基礎(chǔ)研究計劃項目等的資助。
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