韓國(guó)京畿道的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司ChipScale近日宣布，在獲得京畿道試驗(yàn)臺(tái)利用半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目的研發(fā)支持后，已于2023年開始在韓國(guó)首次量產(chǎn)650V氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體。

ChipScale作為京畿道一家代表性的無晶圓廠初創(chuàng)公司，憑借其單芯片設(shè)計(jì)能力，在高溫（150度）下仍能穩(wěn)定運(yùn)行，并實(shí)現(xiàn)小型化和高速化，被業(yè)界評(píng)價(jià)為在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國(guó)產(chǎn)化和設(shè)計(jì)先進(jìn)化的企業(yè)。

今年6月，ChipScale成功量產(chǎn)650V氮化鎵功率半導(dǎo)體，成為韓國(guó)首家實(shí)現(xiàn)這一技術(shù)的公司。氮化鎵相較于傳統(tǒng)的硅（Si）材料，具有更高的功率效率、更快的開關(guān)速度、更好的高溫穩(wěn)定性和更小型化的特點(diǎn)，因此在電動(dòng)汽車、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、數(shù)據(jù)中心等電力基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域備受關(guān)注。

為了進(jìn)一步拓展市場(chǎng)，ChipScale已通過世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織（WIPO）完成了氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)的國(guó)際商標(biāo)注冊(cè)，并積極推動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)，覆蓋人工智能（AI）、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源等多種應(yīng)用領(lǐng)域。

京畿道半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)部部長(zhǎng)樸敏京表示，京畿道將繼續(xù)全力支持像ChipScale這樣的初創(chuàng)企業(yè)，助力其在各自領(lǐng)域取得實(shí)質(zhì)性成果。

此外，氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景廣闊，不僅在電力基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域具有重要地位，還在推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的整體進(jìn)步。ChipScale的成功量產(chǎn)和全球市場(chǎng)戰(zhàn)略布局，標(biāo)志著韓國(guó)在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，也為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)注入了新的活力。