SK海力士25日宣布，已開發(fā)出321層2Tb（太比特，Terabit） QLC* NAND閃存產(chǎn)品，并開始量產(chǎn)。

SK海力士表示：“公司全球率先完成300層以上的QLC NAND閃存開發(fā)，再次突破了技術(shù)極限。該產(chǎn)品在現(xiàn)有的NAND閃存產(chǎn)品中擁有最高的集成度，經(jīng)過全球客戶公司的驗(yàn)證后，計(jì)劃于明年上半年正式進(jìn)入AI數(shù)據(jù)中心市場?！?/p>

公司為了最大限度地提高此次產(chǎn)品的成本競爭力，將其開發(fā)為與現(xiàn)有產(chǎn)品相比容量翻倍的2Tb產(chǎn)品。

一般來說，NAND閃存容量越大，單元中儲存的信息越多，并且存儲器管理越復(fù)雜，導(dǎo)致數(shù)據(jù)處理速度就越慢。為此，公司通過將NAND閃存內(nèi)部可獨(dú)立運(yùn)行的平面*（Plane）架構(gòu)從四平面擴(kuò)展為六平面，從而提升了并行處理能力，緩解了因大容量導(dǎo)致的性能下降問題。

因此，該產(chǎn)品不僅實(shí)現(xiàn)了高容量，而且性能也較以往的QLC產(chǎn)品大幅提升。數(shù)據(jù)傳輸速度提高了一倍，寫入性能最多提升了56%，讀取性能也提升了18%。同時(shí)，數(shù)據(jù)寫入能效也提高了23%以上，在需要低功耗的AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域也具備了更強(qiáng)的競爭力。

公司計(jì)劃首先在電腦端固態(tài)硬盤（PC SSD）上應(yīng)用321層NAND閃存，隨后逐步擴(kuò)展到面向數(shù)據(jù)中心的企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSD）和面向智能手機(jī)的嵌入式存儲（UFS）產(chǎn)品。此外，公司也將基于堆疊32個(gè)NAND晶片的獨(dú)有封裝*技術(shù)，實(shí)現(xiàn)比現(xiàn)有高出一倍的集成度，正式進(jìn)入面向AI服務(wù)器的超高容量eSSD市場。

SK海力士NAND開發(fā)擔(dān)當(dāng)鄭羽杓副社長表示：“此次產(chǎn)品開始量產(chǎn)，大幅強(qiáng)化了高容量存儲產(chǎn)品組合，同時(shí)確保了成本競爭力。為了應(yīng)對迅速增長的AI需求和數(shù)據(jù)中心市場的高性能要求，我們將作為‘全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）’，實(shí)現(xiàn)更大的飛躍。”

* NAND閃存芯片根據(jù)每個(gè)單元（Cell）可以存儲的信息量（比特,bit），分為SLC（Single level Cell,1位）、MLC（Multi Level Cell,2位）、TLC（Triple Level Cell,3位）、QLC（Quadruple Level Cell,4位）、PLC（Penta Level Cell,5位）等不同規(guī)格。單元的信息存儲容量越大，意味著單位面積內(nèi)可儲存的數(shù)據(jù)越多。

* 平面（Plane）：是指可以在單一芯片內(nèi)能夠獨(dú)立運(yùn)行的單元和外圍電路。將其從4個(gè)增加至6個(gè)，改善了數(shù)據(jù)處理性能（Data Bandwidth）之一的同時(shí)讀取性能。

* 32DP（32 Die Package）：是指為了提升芯片（Chip）容量，將32個(gè)Die（裸芯）封裝在同一封裝中的方式。