由于英偉達急于快速拉高GPU效能，芯片內連結存儲器和GPU的中介層，材料將由硅轉為碳化硅，這將是碳化硅產業(yè)的新機會。

 今年5月，全球碳化硅龍頭Wolfspeed宣布破產，但是，同一個月，環(huán)球晶董事長徐秀蘭卻表示，環(huán)球晶將和客戶共同開發(fā)碳化硅新產品。加碼碳化硅市場的不止環(huán)球晶，格棋化合物半導體公司董事長張忠杰也透露，目前公司正積極開發(fā)新產品，而這項產品可用于半導體先進制程。

 如果把CoWoS封裝做出來的IC比喻成一棟大樓，把英偉達的GPU比喻成大樓里的工廠，硅中介層的作用，就象是大樓的樓板，除了承載英偉達的GPU，還可以串連旁邊的高性能存儲器，讓數(shù)據(jù)可以在GPU和存儲器之間快速移動。目前，一塊硅中介層里會配置一顆GPU和多顆存儲器。

 這棟大樓的基地，則是原有的載板，一塊載板上的空間足以擺上好幾棟這樣的「大樓」，通過載板交換信號，最后再封裝成一顆芯片。

 張忠杰透露，目前半導體先進制程正在研究，要將原本用硅制造的硅中介層換成用碳化硅制造，因為未來高階芯片計劃的功耗高達1000V！相比之下，特斯拉快充時的電壓，也只有350V。

 業(yè)界人士觀察，目前英偉達是最積極要采用這項技術的公司。因為英偉達的NVLink技術特性是，GPU和存儲器距離愈近，傳輸速度愈快，GPU的功率愈高，效能也愈好，未來英偉達甚至計劃要把GPU和存儲器疊在一起，用極大的電流驅動，由于碳化硅的導熱系數(shù)比銅還要好，能有效緩解大電流產生的高熱，因此被英偉達看上。

 不過，碳化硅如果拿來做中介層，要求和傳統(tǒng)的碳化硅不同，業(yè)界人士分析，晶圓廠是把碳化硅當作中介層材料，因此，傳統(tǒng)碳化硅產業(yè)在意的結構瑕疵，對制造中介層時影響并不大，但關鍵在切割技術，碳化硅硬度和鉆石相當，如果切割技術不佳，碳化硅的表面會呈波浪狀，無法用于先進封裝。

 此外，用絕緣的單晶碳化硅制造硅中介層，導熱效果最好，且必須要和現(xiàn)有的硅晶圓一樣大，由于目前碳化硅制造商多半只能制造6吋和8吋的碳化硅晶圓，因此投資制造更大的單晶碳化硅晶圓產線。

 目前臺積電邀集各國廠商共同研發(fā)碳化硅中介層的制造技術，但切割設備大廠如日本DISCO正在研發(fā)新一代激光切割機臺，因此，英偉達的Rubin GPU第一代仍會采用硅中介層，等新設備到位，碳化硅中介層制造會更為順利，但由于英偉達對效能進步的要求極高，當芯片內產生的熱超過極限，就必須采用碳化硅。最晚后年，碳化硅就會進入先進封裝。